Новости по теме «Micron начинает опытное производство DDR5 RDIMM»

Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.

Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.

Модули обеспечивают скорость передачи данных 5200 МТ/с и 5600 МТ/с с таймингами CL46 и напряжением 1,1 В. Модель DIMM DDR5-5600 предлагается в объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ. Кроме того, подготовлены также модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, которые построены на основе чипов объёмом 24 Гб. Что касается модулей DDR5-5200, то они доступны в традиционном объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ.

Используя модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, можно в двухканальном режиме получить объём 48 ГБ и 96 ГБ, перекрыв разрыв между 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. Цена на новые модули памяти пока не объявлена.

Новая память обеспечивает увеличенную производительность при меньшем энергопотреблении, что делает LPDDR5 идеальным решением для мобильных платформ. Её планируется использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также в некоторых устройствах ИИ и автомобильных системах.

Разработчики обещают, что память LPDDR5 предоставит скорость в 6400 Мб/с, что на 50% быстрее 4266 Мб/с в LPDDR4X. При этом энергопотребление было снижено на 20%.

На фоне массового старта технологии 5G, компания надеется, что её новая быстрая память позволит поднять скорость передаваемых данных, исключив медленную память из списка потенциальных ограничителей.

Микросхемы Micron LPDDR5 будут доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ со скоростями в диапазоне от 5,5 Гб/с до 6,4 Гб/с. К середине 2020 года компания начнёт поставки многочиповых UFS-модулей (uMCP5) для применения в смартфонах среднего и верхнего сегментов.

Изначально, память DDR5 должна иметь частоту в диапазоне от 4400 МГц до 6400 МГц. Однако главным изменением в этой памяти станет не производительность, а объём. Ожидается, что каждое ядро микросхемы будет иметь объём до 32 Гб.

Дело в том, что на рынке имеется высокий спрос на память, и современные задачи требуют большого объёма ОЗУ. Однако серверы физически могут работать лишь с ограниченным количеством модулей. Новый стандарт позволит производителям изготавливать микросхемы объёмом 16 Гб и 32 Гб со встроенной коррекцией ошибок. То есть подсистема памяти получит собственную ECC. Стандарт призван оптимизировать внутреннюю сегментацию и уменьшить тайминги. Кроме увеличения ёмкости ядра до 32 Гб память DDR5 унифицирует создание стеков, что облегчит производителям создание многоядерных чипов.

Пока использование памяти DDR5 видится только в серверах. Ожидается, что первое применение памяти DDR5 произойдёт в 2019/2020 годах, а её внедрение окажется стремительным. В Cadence, имеющей работающие чипы памяти нового типа, считают, что DDR5 обойдёт DDR4 к 2020 году.

Используя материнскую плату MSI MEG Z890 Unify-X с процессором Intel Core Ultra 7 265K и модули память Kingston FURY Renegade 24GB CKD он разогнал их до 6097,6 МГц, превратив память в DDR5-12916. Задержки при этом составили 48-120-120-127-2. Результат был верифицирован HWBOT.org и CPU-Z.

Примечательно, что процессор работал в конфигурации 2P+0E и на частоте лишь 400 МГц. Охлаждение, по всей видимости, выполнено жидким азотом, поскольку температура ядра составляла всего 5° С.

По новому процессу 1c были выпущены первые образцы чипов DDR5 объёмом 16 Гб. Это шестое поколение технологии с размером элементов 10 нм, благодаря чему открывается дорога к дальнейшему уменьшению элементов при производстве памяти.

В компании заявили: «уровень сложности уменьшения процесса технологии 10 нм уровня возрастал от поколения к поколению, однако SK Hynix стала первой в индустрии, превзошедшей технологические ограничения повысив уровень уплотнения в конструкции, благодря её лидирующей технологии 1b, пятого поколения процесса 10 нм».

Ким Чонван, глава подразделения DRAM заявил, что компания обеспечит «дифференцированный подход к клиенту при внедрении технологии 1c». Он добавил, что новая технология будет использована «продуктах следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7».

В производстве по технологии 1c используется новый материал, оптимизированный процесс EUV, в то время как улучшения в энергоэффективности позволят снизить стоимость электроэнергии для центров обработки данных до 30%.

Kingston Technology и MSI совместно представили решение, демонстрирующее эти новые технологии. Так, компании использовали память Kingston Fury Impact DDR5 на материнской плате MSI Project Zero PLUS Z790, дав понимание возможности использования CAMM2 в настольных ПК и оценив возможность разгона.

Применение CAMM2 открывает весьма интересные перспективы. Эта память намного ниже традиционных модулей DDR, что позволяет разместить её ближе к процессору и продумать новую более эффективную систему охлаждения, а главное — снизить помехи и ускорить передачу данных.

Новый стандарт памяти потребляет на 58% меньше энергии и занимает на 64% меньше места, чем обычные модули DDR5 SODIMM, что позволяет создавать более эффективные портативные устройства.

Используя память LPDDR5X, компания Crucial предлагает пользователям скорость в 7500 МТ/с, что в 1,3 раза больше, чем ноутбучная DDR5 SODIMM. Компания готовит модули LPDDR5X 7500 LPCAMM2 объёмом 32 ГБ и 64 ГБ по цене 210 и 395 долларов США соответственно.

Данное изменение уже появилось в версии Windows Insider 22635.3570б которая доступна для бета теста.

В чём же суть дела? В 1990-х года в компьютерах использовалась память SDRAM, передача данных в которой была синхронизирована с тактовой частотой. К примеру, частота 100 МГц означала скорость передачи в 100 миллионов транзакций в секунду. Позднее, когда компьютеры перешли на память DDR SDRAM, передача данных удвоилась и при частоте 100 МГц уже осуществлялось 200 МТ/с.

Про современную память DDR5 пишут, что она работает на частоте 6000 МГц, однако на самом деле, это 6000 МТ/с, а реальная частота работы памяти составляет 3000 МГц. Если говорить о графической памяти GDDR5X, то тут уже отношение скорости к частоте составляет 4.

Таким образом компания Microsoft решила внести ясность в этот вопрос работы оборудования.

Новые маломощные модули памяти с плотным размещением (LPCAMM2) имеют заметно меньшие габариты, по сравнению с традиционными SODIMM, а также обеспечивают куда большую производительность.

Новый промышленный стандарт предусматривает модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. Скорость передачи данных при этом достигает 9600 МТ/с. Несмотря на меньший размер, LPCAMM2 обладает шиной шириной 128 бит. Заменяя собой SODIMM эти модули обеспечивают большую гибкость, ремонтопригодность и возможность апгрейда, а также увеличивают производительность и снижают энергопотребление.

Что касается цены, то она пока неизвестно, но очевидно, что LPCAMM2, как более сложное и современное устройство, будет стоить куда дороже традиционных SODIMM.

По словам Samsung модули LPDDR5X-6400 обеспечивают скорость передачи данных до 7,5 Гб/с и на 60% меньше места, при приросте производительности 50%, по сравнению с модулями SO-DIMM. Двухканальные модули Samsung LPCAMMs предлагаются в вариантах объёмом 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, обеспечивая невероятно большие объёмы ОЗУ в невероятно малом формате.

Пока Samsung валидировала совместимость LPCAMM с Intel, поэтому ей ещё предстоит гарантировать совместимость с платформами AMD, Qualcomm и Apple.

Таким образом, новый тип модулей обеспечивает уменьшение габаритов на 60%, ускорение на 50% и на 70% большую энергоэффективность, по сравнению с традиционной памятью DIMM.

Компания Samsung будет использовать стандарт CAMM только для DDR5 и не будет использован для DDR4. В будущем, же, почти наверняка стоит ожидать появления модулей DDR6 в таком же формате.

В этом новом поколении компания отойдёт от семейства «Core», что означает существенные изменения в конструкции процессоров и технологии их производства.

Ожидается, что этот сокет, LGA-1851, просуществует до 2026 года. Для него будут созданы новые «плиточные» процессоры, которые предполагают наличие на мультичиповом модуле отдельных плиток с центральным и графическим процессорами.

Для повышения производительности компания увеличит объём кэша L2 для P-ядер до 3 МБ. Для сравнения, у Raptor Lake и Alder Lake кэш составляет 2 МБ и 1,25 МБ. Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3.

С переходом на новое поколение Intel планирует отказаться от наследной поддержки DDR4, что делает сокет LGA-1851 рабочим исключительно в связке с DDR5. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа. Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.0, по-настоящему открывая путь к накопителям с шиной PCIe 5.0.

По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.

Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.

Компания в партнёрстве с производителями материнских плат проводила целый ряд тестов, подтверждая работоспособность и стабильность на платформах Intel 700 и 600.

Наборы T-Force Delta RGB DDR5 предназначаются для геймеров и будут доступны в объёме 48 ГБ (2×24 ГБ) на скорости 6000 МГц, 6400 МГц, 6800 МГц, 7200 МГц, 7600 МГц, 8000 МГц с XMP 3.0. Для творчества же предлагается предлагаются наборы T-Create объёмом 64 ГБ (2×32 ГБ). Это модули DDR5-6000 и DDR5-6400 с дальнейшим расширением линейки. Кроме того, серия будет включать 64 ГБ наборы DDR5-6800 и 96 ГБ наборы (2×48 ГБ) DDR5-6800.

Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года.

Теперь же, благодаря Crucial и недавнему анонсу модулей объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, эти материнские платы смогут поддерживать до 96 ГБ и 192 ГБ памяти в двух и четырёх каналах соответственно.

Примечательно, что для поддержки большего объёма DDR5 платы серий 600 и 700 MAG, MEG MPG и Pro, обновления BIOS не потребуется. Достаточно просто установить модуль — и всё заработает само. По информации MSI, платы для процессоров AMD не обладают такой возможностью.

Учитывая, что для поддержки новых модулей памяти никаких манипуляций на материнских платах MSI проводить не нужно, лишь вопрос времени, когда об аналогичных возможностях заявят и другие производители.

Он использовал процессор Intel Core i9-13900K, флагманскую материнскую плату AORUS Z790 Tachyon, а также DDR5-память непосредственно от Gigabyte.

Разгон выполнялся на той же памяти, которую два месяца назад анонсировали со скоростью 9300 МТ/с. В результате оверклокер при таймингах 64-127-127-127-127 смог достичь частоты памяти 5567,5 МГц или скорости 11136 МТ/с. Этот результат в HWBOT расположился на первом месте. Примечательно, что результат был достигнут на воздухе, хоть и со специальным радиатором, а вот процессор охлаждался жидким азотом.

Пока память AORUS DDR5 не поступила в продажу. По факту, в процессе разгона её вообще впервые показали в реальности.

С такими результатами разгона можно утверждать, что память DDR5 постепенно достигает своего желанного максимума в 12600 МТ/с, однако в ближайший год стоит ждать лишь выхода в продажу памяти на скорости 10 000 МТ/с.

Новые чипы обладают большей энергоэффективностью и на 23% большей производительностью, чем предыдущее поколение чипов DRAM. Технологический прорыв оказался возможен за счёт применения high-κ материалов, которые увеличивают ёмкость ячеек. Кроме того, компания также усилила критически важные цепи.

Согласно пресс-релизу Samsung, новые микросхемы DRAM DDR5 используют многослойную литографию для обеспечения «наибольшей плотности в индустрии», обеспечивая на 20% большую продуктивность при выпуске блинов. Эти чипы способны передавать данные на скорости до 7,2 Гб/с, один из самых высоких показателей в отрасли.

Корейский гигант планирует начать массовое производство памяти DDR5 DRAM 12-нм класса в начале этого года. В продаже она будет доступна в IV квартале.

Достичь этого будет возможно за счёт применения технологии Multiplexer Combined Ranks (MCR), которая использует сразу два банка одновременно, задействуя буферную зону сервера.

Таким образом, чипы не работают быстрее сами по себе. Технология MCR помогает удвоить скорость работы всего модуля, смещая 128 байт данных за раз, вместо традиционных 64 байт. В результате, суммарная скорость работы модуля составляет 8000 МТ/с, что быстрее любого существующего на рынке модуля DDR5.

Компания разрабатывает эти высокоскоростные модули RDIMM в объёмах 48 ГБ и 96 ГБ, доступна она будет в следующем году. Стоит отметить, что это далеко не самые ёмкие модули. К примеру, Samsung сможет предложить модули объёмом 512 ГБ и даже 768 ГБ, которая также будет нацелена на серверы и высокопроизводительные вычислительные системы.

Так, наряду с модулями традиционного объёма 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, компания подготовила и модули памяти объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Всё это касается модулей памяти DDR5 RDIMM для серверов.

Модули предлагаются со скоростями DDR5-5600 и DDR5-6400. Первый является стандартом JEDEC и поддерживается процессорами Xeon Scalable Sapphire Rapids. При этом все они поддерживают и стандарт DDR5-6400. Поддержки XMP или разгона SPD — нет, однако стандарт JEDEC предполагает, что процессор может сам тренировать память.

Флагманским модулем памяти от SK Hynix стал модуль DDR5-5600 RDIMM объёмом 256 ГБ, что означает возможность комплектования серверов по 4 ТБ на сокет, по две планки на канал.

До недавнего времени, DDR5 была заметно дороже DDR4, но вскоре всё изменится. Так, в июле цена на чипы DDR5 упала на 20%, но это было только начало. По информации Digitimes, производители памяти начали отгружать свои чипы DDR5 поставщикам. Их склады теперь активно заполняются, а это приведёт к дальнейшему снижению цены на модули.

Ранее память DDR5 стоила вдвое дороже DDR4, сейчас же практически достигнут паритет. А вот в следующем году цена должна заметно опуститься. К примеру, модуль объёмом 16 ГБ, который стоит порядка 70 долларов через год может опуститься до 60.

Расшифровывается аббревиатура как Extended Profiles for Overclocking, и по сути является аналогом технологии XMP от Intel, позволяя владельцам процессоров Ryzen увеличивать производительность оперативной памяти DDR5 на основе заранее созданных профилей.

Благодаря технологии EXPO владельцы Ryzen 7000 могут использовать весь потенциал модулей памяти DDR5, применяя более агрессивные частоты и тайминги, чем заложено производителем. Технология дружественна к пользователям и легко активируется на материнских платах с сокетом AM5.

Несмотря на схожесть с Intel XMP, EXPO обладает важным отличием. Эта технология оснащена массой документации. Она предоставляет «богатый набор документов по тестированию», позволяя опытным пользователям самостоятельно оценивать способности модулей к разгону с применением индивидуальных настроек.

К моменту релиза платформы AMD Ryzen 7000 будет доступно 15 наборов памяти с поддержкой AMD EXPO от таких производителей как ADATA, G.Skill, Corsair, Geil, и Kingston. Со временем количество поддерживаемых модулей будет только увеличиваться.

Согласно отчёту ComputerBase, память DDR5-4800 теперь стоит менее пяти евро за гигабайт, что на 20% дешевле, чем месяц назад. Это заметное снижение цены, по сравнению с пятнадцатью евро, которые стоила память в конце 2021 года.

Трекер цены от ComputerBase учитывает более двухсот различных наборов DDR5. Стандартные наборы SO-DIMM (для десктопов) DDR5-4800 объёмом 32 ГБ (стандарт JEDEC) сейчас стоят 154 евро.

Что касается мобильной памяти U-DIMM, где типично используются модули по 16 ГБ, то такие модули стоят 42 евро, что более чем вдвое ниже цены февраля (99 евро).

В то же время цены на память DDR4 почти не меняются. Так, наборы G.SKILL Aegis 16GB со скоростью 3200 MT/s стоят 56 евро, что примерно эквивалентно цене полгода назад.

В IV квартале нас ожидает бурное развитие платформ с поддержкой DDR5. Так, платформы Intel Raptor Lake будут работать с более быстрой памятью, чем Alder Lake, а вот AMD AM5 вообще будет работать эксклюзивно с памятью DDR5.

Новые модули CAMM на 57% тоньше традиционных SO-DIMM, которые используются в большинстве ноутбуков и миникомпьютеров. При этом в двухстороннем исполнении модули CAMM способны разместить до 128 ГБ памяти DDR5. Невероятный объём для быстрого и лёгкого ноутбука.

Это значит, что вместо использования 4 модулей по 32 ГБ, Dell в ноутбуках серии Precision 2022 установить один модуль CAMM на 128 ГБ. При этом модули нового стандарта не являются эксклюзивом для Dell. Компания оформила патент на конструкцию, однако она создавалась при сотрудничестве других компаний и производителей памяти, включая Intel.

Новые модули памяти появятся в ноутбуках Dell в самое ближайшее время. Модулями CAMM будут оснащаться модели Precision 7770 и 7670, обе на базе процессоров Intel Alder Lake-HX.

Производитель памяти Apacer опубликовал таблицу, в которой подтвердил, что процессоры AMD Ryzen 7000 не получат поддержки памяти DDR4. Некоторые производители ПК надеялись, что Ryzen 7000 будет работать как с DDR4, так и DDR5, но надежды оказались призрачными.

Так, Apacer уверяет, что AMD с первым поколением будет поддерживать DDR5-5200, более быструю версию, чем поддерживает Intel Alder Lake (DDR5-4800). При этом обе платформы будут работать и с более быстрой памятью при условии разгона.

Исключительная поддержка DDR5 связана с тем, что AMD возлагает большие надежды на производительность своего контроллера памяти. Так ли это на самом деле, покажет недалёкое будущее.

Бренд Crucial Ballistix прекращает своё существование. Компания не имеет планов по дальнейшему выпуску продукции этого типа. Это касается таких брендов как Ballistix, Ballistix Max и Ballistix Max RGB. Компания не стала пояснять причины такого шага, при этом нигде в прессе или собственных сообщениях не шла речь о прекращении выпуска модулей памяти DDR5/DDR4 в принципе. Также компания продолжит работу на своими «NVMe и SSD» накопителями.

Компания одной из первых представила модули стандарта DDR5 для настольных ПК, даже раньше выхода процессоров 12-го поколения Core Alder Lake-S, которые пока единственные на рынке поддерживают эту память. В то же время, Crucial никогда ничего не говорил о серии Ballistix DDR5, а значит, планы по закрытию бренда существовали достаточно давно.