Новости про DDR5

Память в утекших слайдах работает на скорости 6400 МГц, и скорость чтения на ней превышает 90 ГБ/с. Тесты сделаны на неизвестном компьютере от Dell.

Задержка по-прежнему не радует и составляет 92,5 нс. Будем надеяться, что с появлением памяти с таймингами 40-40-40-85 ситуация начнёт улучшаться. Для теста использовался процессор Core i5 12600K. Как дополнительный бонус, нам дают оценку производительности в одноядерном режиме CPU-Z, которая составила 785,6 баллов.

Хотя сейчас производительность DDR5 уже выглядит лучше, чем раньше, пока она не является явным лидером рынка. Но не стоит забывать, что всегда при смене стандарта памяти находятся лучшие рыночные образцы, которые работают быстрее первых решений нового поколения.

Южнокорейская фирма будет применять 8-слойные стеки меньшей толщины, чем нынешние 4-слойные пакеты DDR4. Снижение высоты на 40%, вероятно, обеспечивается за счёт сокращения зазоров между слоями, что является большим достижением. Кроме того, эти модули получат и лучшее охлаждение.

Модули DDR5 по 512 ГБ станут огромным рывком для владельцев систем HEDT и серверов, где объём DDR4 ограничен 32 ГБ и 64 ГБ на один сокет DIMM. Это значит, что общий объём ОЗУ не превышает 128 ГБ и 256 ГБ соответственно, в то время как в будущих системах можно будет получить 512 ГБ на одном сокете.

Новая оперативная память компании будет поставляться в наборах общим объёмом до 64 ГБ. Она сможет работать на скорости 8400 МТ/с, а питаться будет стандартным напряжением 1,1 В.

Очевидно, что модули ADATA DDR5-8400 лягут в основу потребительских систем, а модули с пропускной способностью 12600 МТ/с подойдут для систем HEDT в 2022 году. Таким образом, в такой высокопроизводительной системе можно установить два 64 ГБ набора одновременно и получить компьютер со 128 ГБ оперативной памяти DDR5.

Компания уже демонстрировала регистровую память DIMM (RDIMM) объёмом 512 ГБ, где используются стеки в форме 32×16 ГБ, основанные на чипах DRAM 8×16 Гб. Маломощные и качественные сигналы реализованы по технологии Through Silicon Via в 8-уровневых стеках. Однако используя такие же 8-уровневые стеки со слоями по 24 Гб, Samsung в 32 чиповом модуле может достичь объёма 768 ГБ.

В серверных системах с 2 модулями на канал мы можем увидеть 12 ТБ оперативной памяти DDR5. Сейчас серверы с процессорами Xeon Scalable Ice Lake-SP поддерживают лишь 6 ТБ памяти.

Компания отмечает, что планирует выпускать на рынок не только гигантские 768 ГБ модули, но также подготовит и более доступные планки объёмом 96 ГБ, 192 ГБ и 384 ГБ.

Что касается потребительского сегмента DDR5, то тут будут доступны модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, в то время как системы HEDT, без сомнения, будут иметь 128 ГБ ОЗУ и более.

Пока Samsung не сообщает сроки начала продаж новой памяти DDR5.

Мы знаем, что память этого типа несёт массу преимуществ и хороший прирост в скорости работы. Но насколько этот прирост большой? К счастью, стали известны первые оценки производительности памяти DDR5.

Благодаря тому, что 12-е поколение процессоров Intel содержит контроллеры памяти DDR4 и DDR5, появилась возможность сравнительного тестирования скорости работы памяти обоих типов. В тесте приняли участие модули DDR5-4800 и DDR4-3200, а сам тест проходил в утилитах Userbenchmark и Geekbench. И оказалось, что разница не такая уж и большая.

Так, в одноядерном тесте между DDR5-4800 и DDR4-3200 разницы почти нет. А вот в мультиядерном тесте в одном случае прирост оказался более значительным, хоть и не поразительным.

Если внимательно посмотреть на проведённые тесты, можно найти массу нестыковок, которые снижают точность результатов. Так, для разных тестов использовались разные процессоры Alder Lake-S, а также разные материнские платы. Модули памяти имели разный объём и производились разными компаниями. Так что говорить о точных величинах прироста не приходится. Тем не менее, полученные данные можно рассматривать как некий индикатор, и он явно не сулит ничего фантастического.

Используя эту технологию можно массово производить новейшие продукты DRAM четвёртого поколения по классу 10 нм. Новый техпроцесс компания назвала 1anm. Он придёт на смену нынешнему 1znm, запущенному в 2019 году. Более высокие плотности технологи 1a позволят выпускать на 25% больше микросхем на том же блине.

В плане улучшений, которые даёт новый техпроцесс, можно отметить рост скорости памяти LPDDR4 до 4266 Мб/с, которая обычно характеризует память LPDDR4X. Кроме высокой скорости также прогнозируется снижение энергопотребления на 20%.

Память LPDDR4, произведённая по новой технологии, будет применяться в смартфонах, и первые устройства, оснащённые памятью по процессу 1anm появятся во втором полугодии. Кроме того, технология 1anm будет применена для производства памяти типа DDR5.

Эта модель имеет производительность 4800 МТ/с при напряжении 1,1 В и задержках CAS 40-40-40-77. В плане объёма память предлагается в версии 16 ГБ на модуль в стандартных наборах по 2 модуля. Как и вся память DDR5, анонсированные планки имеют поддержку ECC, что должно сделать её работу более стабильной, чем у памяти прошлого поколения.

В декабре прошлого года компания заявляла о начале процесса валидации памяти DDR5, и похоже, что теперь этот этап полностью пройден и память готова к производству. Компания отметила, что память Elite полностью совместима с чипсетами серии 600, а значит, модули Elite DDR5-4800 будут без проблем работать на процессорах с сокетом LGA 1700, который дебютирует моделью Alder Lake-S.

В то же время, о совместимости с сокетом AM5 от AMD пока информации нет. С другой стороны, появление этого сокета, и, как следствие, поддержка памяти DDR5, произойдёт в лучшем случае через год.

Современная память DDR4 при использовании XMP 2.0 может работать на частоте до 5 ГГц, в то время как стандартом оговорена лишь частота 3200 МГц.

Разработчики утилиты Hardware Info (HWiNFO) опубликовали сведения о готовящихся изменениях в этой утилите, и одним из изменений значится «добавление поддержки Intel XMP 3.0 для DDR5». Это означает, что Intel готовит обновление этой технологии с возможностью лучшего управления памятью DDR5. Также третья версия XMP должна обеспечить более высокий уровень автоматизации при работе с памятью, без необходимости дальнейшей ручной подстройки. Мы можем лишь надеется, что не только частота и напряжение (которое и так регулируется модулями памяти DDR5 самостоятельно), но и задержки при работе с памятью будут сами выставляться действительно идеально.

Кроме внедрения поддержки XMP 3.0 для DDR5, утилита также получит раннюю поддержку процессоров AMD Zen 4, возможность контроля температуры каждого ядра Zen по отдельности, а также поддержку новых видеокарт NVIDIA серии LHR, таких как RTX 3070 Ti и RTX 3080 Ti.

Первые модули DDR5 будут относится к серии CASTER. Объём каждой планки будет составлять 8 ГБ, 16 ГБ или 32 ГБ, а частота от 6000 МГц до 7400 МГц.

Серия будет выпущена в вариантах с RGB-подсветкой и без таковой. При этом обе получат систему охлаждения одинаковой конструкции. Компания-разработчик отметила, что разрабатывала память в тесном сотрудничестве с MSI, Gigabyte, ASUS и ASRock, что должно гарантировать стабильную работу на материнских платах этих производителей.

Память нового типа обеспечит большую скорость работы благодаря тактовой частоте более 4800 МГц, большую надёжность за счёт встроенной коррекции ошибок, меньшее энергопотребление, благодаря переходу на напряжение 1,1 В и большую совместимость, за счёт применения контроллера питания непосредственно на планке.

В настоящий момент XPG не опубликовала полные спецификации модулей CASTER. По всей вероятности, больше информации будет доступно ближе к моменту релиза.

Память GeIL Polaris RGB DDR5 будет выпущена в IV квартале этого года, и будет предлагаться в модулях объёмом от 16 ГБ (1×16 ГБ) до наборов в 128 ГБ (4×32 ГБ). Компания тесно сотрудничает с производителями материнских плат, чтобы обеспечить высокую скорость и совместимость, а также надёжность в платформах от Intel и AMD.

Что касается скорости, то компания готовит модули частотой 4800 МГц с таймингами CL40-40-40, более производительные модули частотой 6000 МГц с таймингами CL32-36-36 и 6400 МГц с теми же таймингами CL32-36-36. Более того, компания даже планирует выпустить варианты модулей без подсветки, но частотой 6800 МГц (CL36-44-44) и даже 7200 МГц (CL36-44-44). Во всех случаях напряжение питания составит стандартные 1,1 В. Пока, это наиболее производительная память DDR5, из обещанных к выпуску, и мы все с нетерпением ждём появления новых платформ.