Новости про 12 нм и DDR5

Компания отметила, что, в отличие от 16 Гб модулей, для производства которых использовалась технология Through Silicon Via (TSV), микросхемы объёмом 32 Гб не нуждается в ней. Тем не менее, энергопотребление у новых модулей на 10% меньше, чем у прошлого поколения. В результате эта память является хорошим решением для систем с высоким энергопотреблением, вроде промышленных центров обработки данных.

Новые микросхемы памяти DDR5 объёмом 32 Гб запланированы к массовому производству на конец этого года.

По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.

Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.

Новые чипы обладают большей энергоэффективностью и на 23% большей производительностью, чем предыдущее поколение чипов DRAM. Технологический прорыв оказался возможен за счёт применения high-κ материалов, которые увеличивают ёмкость ячеек. Кроме того, компания также усилила критически важные цепи.

Согласно пресс-релизу Samsung, новые микросхемы DRAM DDR5 используют многослойную литографию для обеспечения «наибольшей плотности в индустрии», обеспечивая на 20% большую продуктивность при выпуске блинов. Эти чипы способны передавать данные на скорости до 7,2 Гб/с, один из самых высоких показателей в отрасли.

Корейский гигант планирует начать массовое производство памяти DDR5 DRAM 12-нм класса в начале этого года. В продаже она будет доступна в IV квартале.