SK Hynix анонсирует новую память по технологии 1anm
Один из ведущих мировых производителей оперативной памяти, SK Hynix, анонсировал новое поколение чипов, произведенных с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии.
Используя эту технологию можно массово производить новейшие продукты DRAM четвёртого поколения по классу 10 нм. Новый техпроцесс компания назвала 1anm. Он придёт на смену нынешнему 1znm, запущенному в 2019 году. Более высокие плотности технологи 1a позволят выпускать на 25% больше микросхем на том же блине.
В плане улучшений, которые даёт новый техпроцесс, можно отметить рост скорости памяти LPDDR4 до 4266 Мб/с, которая обычно характеризует память LPDDR4X. Кроме высокой скорости также прогнозируется снижение энергопотребления на 20%.
Память LPDDR4, произведённая по новой технологии, будет применяться в смартфонах, и первые устройства, оснащённые памятью по процессу 1anm появятся во втором полугодии. Кроме того, технология 1anm будет применена для производства памяти типа DDR5.