Новости про 1 нм

Этот анонс был сделан в ходе конференции IFS Direct Connect. Было отмечено, что он придёт на смену техпроцессу 14A, который будет доступен в 2026 году, при этом 10A предложит значительные усовершенствование в технологии производства.

Также в 2027 Intel планирует масштабировать процесс 14A, привлекая для этого машины high-NA-EUV от ASML. Они должны обеспечить уменьшение размеров транзисторов и более точное их размещение. Эта версия технологии будет называться 14A-E.

Буква «A» в названии технологии, без сомнения, означает не только переход на ангстремы в измерении размеров транзисторов, но и прозрачно намекает, что Intel собирается быть в технологическом авангарде. Конкретных деталей об этих процесс пока не называлось. Было сказано лишь об их высокой энергоэффективности и производительности, то, что мы и так слышим на каждом технологическом рывке.

Отмечается, что новый завод будет размещён в научном парке Taoyuan, что в часе езды от Тайбэя. В этом научном парке TSMC уже имеет пару предприятий по упаковке чипов и по их тестированию, что делает такое размещение предприятия вполне логичным. Тем не менее, компания пока не планирует начинать опытное производство на этом предприятии ранее 2027 года, и пока не сообщает каких-либо деталей об этом проекте.

Примечательно, что TSMC планирует строить новый завод и развивать более тонике технологии на фоне снижения мировой экономики. В текущем квартале компания запустит свой первый коммерческий продукт по технологии N3, а уже в 2023 году по этому техпроцессу будет изготавливаться 4—6% продукции. Технология N2 должна выйти на коммерческий уровень в 2025 году, однако об этой технологии пока известно крайне мало. Процесс N1 должен привести к размеру элементов 1,4 нм, однако пока это лишь расчёты компании, и работа находится на ранних этапах.

Безусловно, производители ищут выход из этой ситуации, пробуют различные материалы, которые позволят им и дальше сокращать размеры транзисторов. И вот, вслед за IBM, которая анонсировала 2 нм техпроцесс, крупнейший мировой производитель микросхем, TSMC, при поддержке Национального университета Тайваня и Массачусетского института технологии, объявил о разработке материала под названием полуметаллический висмут, который должен обеспечить возможность производство чипов с элементами в 1 нм в будущем.

По мере уменьшения размеров элементов производители сталкиваются с растущим влиянием их сопротивления и снижением силы тока на контатных электродах, которые отвечают за подачу питания. Согласно проведённому исследованию, использование полуметаллического висмута в качестве контактных электродов транзисторов может значительно снизить сопротивление и повысить силу проходящего тока. И всё это на контактах толщиной в 1 атом.

Пока технология находится на экспериментальном этапе, так что до коммерческой реализации 1 нм микросхем придётся подождать несколько лет.