Новости про Samsung, микросхемы и производство

Samsung выпускает первые в мире 32 Гб чипы DDR5-DRAM

Компания Samsung представила новое важное достижение — первые в мире чипы DDR5-DRAM объёмом 32 Гб, изготовленные по 12 нм классу. Ранее по 12 нм классу Samsung представляла чипы DDR5-DRAM объёмом 16 Гб и было это в мае 2023 года.

Компания отметила, что, в отличие от 16 Гб модулей, для производства которых использовалась технология Through Silicon Via (TSV), микросхемы объёмом 32 Гб не нуждается в ней. Тем не менее, энергопотребление у новых модулей на 10% меньше, чем у прошлого поколения. В результате эта память является хорошим решением для систем с высоким энергопотреблением, вроде промышленных центров обработки данных.

Samsung DDR5-DRAM

Новые микросхемы памяти DDR5 объёмом 32 Гб запланированы к массовому производству на конец этого года.

Samsung догоняет TSMC

По сообщениям обозревателей новый технологический процесс производства микросхем с размером элементов 3 нм от Samsung готов к тому, чтобы отбивать клиентов у TSMC.

За последние годы Samsung Foundry потеряла ряд клиентов из-за высокого процента производственного брака и проблем с теплоотводом.

И вот теперь инвестиционная фирма Hi Investment & Securities опубликовала отчёт, согласно которому выход годной продукции по 4 нм процессу Samsung Foundry превысил уровень 75%. У TSMC этот уровень составляет 80%. В то же время при производстве по 3 нм нормам у корейской компании дела идут лучше. Так, выход годной продукции у Samsung составляет 60%, в то время как у TSMC — 55%. Это значит, что Samsung добилась лучших результатов и большей эффективности производства, что может позволить ей вернуть клиентов, потерянных на этапах лидерства 4 нм и 5 нм технологий.

NVIDIA и Qualcomm сообщают, что рассматривают вариант возвращения к Samsung на второе поколение 3 нм процесса (SF3), в основном из-за того, что производственные мощности TSMC выкуплены Apple. Кроме того, чипы TSMC, которые будут производиться на заводах в Японии и США, будут на 15—30% дороже тайваньских, что также подталкивает заказчиков к смене подрядчика.

Samsung начинает производство по 3 нм технологии

Компания Samsung Electronics анонсировала начало первичного производства микросхем по 3 нм технологии.

Для производства используется архитектура транзисторов GAA (Gate-All-Around — окружающий затвор). Мультимостовые каналы FET (MBCFET) и технология GAA объединены Samsung впервые в мире, обойдя ограничения FinFET. При этом удалось поднять энергоэффективность за счёт снижения напряжения поддержки, а также увеличить производительность, подняв силу тока.

Инженеры Samsung демонстрируют новые 3 нм блины

Южнокорейский гигант начал первое применение нанолистовых транзисторов в составе высокопроизводительных полупроводниковых чипов.

Развитие технологии производства микросхем

Если говорить в цифрах, то изменения при переходе от 5 нм к 3 нм станут весьма значительными. Так, энергопотребление будет снижено на 45%, а производительность вырастет на 23%. Площадь микросхемы при этом будет снижена на 16%. При переходе на второе поколение 3 нм процесса энергопотребление будет снижено на 50%, производительность вырастет на 30%, а площадь будет снижена на 35%.

IBM и Samsung разработали новые транзисторы с невероятной энергоэффективностью

Корейский гигант Samsung Electronics, наряду с IBM, начал создавать новую конструкцию полупроводников, которая даёт возможность создать архитектуру вертикальных транзисторов.

Её использование означает снижение энергопотребления на 85%, по сравнению с существующей технологией. Обе компании заявили, что новая архитектура позволит создавать полупроводниковые устройства толщиной менее нанометра.

«Вафля» с микросхемами

Нынешняя конструкция интегральных схем предполагает горизонтальное размещение транзисторов. Электрический ток протекает в них от края до края, насквозь. Закон Мура гласит, что число транзисторов, то есть плотность интегральных схем, удваивается каждые два года. Но инженерные идеи уже заканчиваются, и дальнейшее уменьшение размеров оказалось под угрозой.

Новая архитектура транзисторов Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) меняет всё. Используя её, производители смогут размещать транзисторы перпендикулярно к плоскости чипа, что позволит продлить жизнь закону Мура. Также эта архитектура сможет обеспечить удвоение производительности или снижение энергопотребления на 85%, по сравнению с нынешними решениями. Это значит, что ваш смартфон от одной зарядки сможет проработать не один день, а целую неделю.

Samsung Foundry увеличивает цену производства микросхем

Южнокорейский производитель микросхем Samsung Foundry объявил об увеличении цены на производство чипов, что несомненно повлияет на огромное количество игроков на компьютерном рынке, включая NVIDIA, которая производит GPU для современных видеокарт именно у южнокорейского гиганта.

Причиной этого роста называется необходимость накопления средств для открытия нового завода в Пхентаке, где будут выпускаться микросхемы по технологиям 5 нм и 4 нм, что необходимо для сохранения конкуренции с TSMC, продукция которой находится в дефиците.

Блин с микросхемами Samsung

Учитывая, что Samsung уже подписала договоры с рядом своих клиентов, повышение цены не должно сказаться на продукции для графических плат и других изделий, уже находящихся в производстве. Однако при необходимости заключения нового контракта, клиент будет вынужден заплатить и новую цену. Будем надеется, что у NVIDIA достаточно долгосрочный договор, и это подорожание её не коснётся.

У Samsung проблемы с наладкой 5 нм процесса

Производство микросхем — сложная задача. Проблемы с переходом на новые технологии не являются редкостью. С ними сталкиваются даже крупнейшие компании, вроде Intel и GloFo, которая так и не вышла из кризиса. Сейчас же в затруднительной ситуации оказалась Samsung.

Согласно информации, опубликованной Business Korea, компания Samsung снова испытывает проблемы с наладкой 5 нм процесса. Ранее сообщалось, что внедрение 5 нм технологии южнокорейским гигантом продвигается медленно, но было неясно, насколько всё плохо и удалось ли компании решить проблемы.

По информации прессы, технология 5 нм от Samsung страдает низким качеством продукции. Выпуск годных микросхем составляет 50%. Это значит, что каждый второй выпущенный чип является бракованным. И это очень плохо.

Микросхемы памяти Samsung

Обычно технология считается готовой для массового производства, когда доля годной продукции достигает 95%. При меньших величинах прибыльность такого производства резко падает. Компания Samsung запускает процесс 5 нм на заводе V1 Line, расположенном в Хвасоне. Для производства используется оборудование с ультрафиолетовой литографией, и несмотря на упорную работу инженеров результаты качества не превышают 50%.

Будем надеяться, что корейские специалисты найдут выход из сложившейся ситуации, это очень важно на фоне продолжающегося кризиса полупроводниковой продукции. Иначе нас ждёт очередное усиление дефицита.

Samsung объявляет об освоении технологии производства интегральных схем X-Cube 3D

Компания Samsung Electonics объявила о внедрении трёхмерной технологии производства интегральных схем, которая получила название eXtended-Cube (X-Cube). Теперь она доступна для заказчиков.

Компания уверяет, что она сумела создать «первую в индустрии работоспособную 3D-SRAM-логику по 7 нм технологии и более новой». Для построения такой микросхемы применяются сквозные межслойные связи Through-Silicon Via (TSV), которые обеспечивают надёжное соединение даже в случае применения процесса EUV. Однако, что боле важно, технология X-Cube обеспечивает «значительный прорыв в скорости и энергоэффективности».

Сравнение плоской и трёхмерной конструкции интергральных схем

При построении тестового чипа инженеры Samsung изготовили логическое ядро с расположенным поверх пакетом SRAM. Соединение осуществлялось посредством TSV, технологии, ранее зарекомендовавшей себя в микросхемах памяти, позволяющей сократить дистанцию прохождения сигнала и уменьшающую размеры интегральной схемы.

X_Cube_Eng

По словам Samsung, X-Cube доступен для партнёров по технологиям производства 7 нм и 5 нм. В компании надеются, что представленная технология сможет привлечь больше контрактных заказчиков.

Intel вернёт себе корону полупроводникового рынка

Долгие годы компания Intel была лидером полупроводниковой отрасли. Поступления от продажи её продукции всегда превышали таковые у конкурентов, однако в 2017 году вперёд вышла Samsung благодаря резкому скачку на рынке памяти.

Два года назад поступления Intel составили 61,7 миллиарда долларов, в то время как компания Samsung получила 65,9 миллиардов. В прошлом году поступления заметно возросли для обеих фирм. Так, Intel получила 69,9 миллиарда, а Samsung — 78,5 миллиарда.

Однако в текущем году аналитики из IC Insights прогнозируют другую картину. Доход Intel от продажи полупроводниковой продукции продолжит расти и достигнет 70,6 миллиардов долларов. В то же время Samsung резко потеряет доход до 63,1 миллиарда. Столь значительный спад связывают с 24% снижением рынка памяти, который потянет за собой весь рынок полупроводниковой продукции вниз на 7%. Таким образом, общемировой рынок полупроводников составит 468,9 миллиарда долларов, тогда как в 2018 году он достиг 504,1 миллиарда.

В своём отчёте аналитики обратили внимание только на двух лидеров, однако отметили, что из-за спада рынка DRAM и NAND, 20% снижение продаж ожидает такие компании, как Micron, SK Hynix и Toshiba.

Samsung может стать крупнейшим производителем микросхем

Обозреватели рынка полупроводников уверяют, что в скором времени может появиться новый мировой лидер в этой отрасли — компания Samsung должна стать крупнейшим производителем чипов, сместив с пьедестала Intel.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Samsung ищет новых клиентов для производства микросхем

Компания Samsung Electronics ищет для себя новых клиентов, которые бы захотели производить свою продукцию на их заводе, в попытках компенсировать потери от заказов Apple, которая перенесла своё производство на заводы TSMC.

Компания предпринимает ряд мер для привлечения новых клиентов, включая снижение цены. Об этом сообщает сайт DigiTimes со ссылкой на производственные источники.

Конечно, часть производственных мощностей компании занимает собственный бизнес Samsung по производству мобильных устройств связи. На них изготавливаются логические процессоры и SoC. В любом случае, фирма ищет новых клиентов для своего производства взамен покинувшей южнокорейского гиганта Apple, отмечает источник.

Источник отмечает, что компания может переманить к себе некоторые компании, нуждающиеся в производстве, значительным снижением цены, по сравнению с конкурентами, а это значит, что между контрактными производителями микросхем в ближайшее время начнётся ценовая война.

По данным некоторых СМИ, компания Samsung уже присматривает себе в производственные партнёры таких гигантов как Amazon, Sony и NVIDIA.