Новости про видеопамять

Данная память представлена вместе с новым ускорителем NVIDIA H200 AI и GB200 Grace Blackwell Superchip, где установлено 36 ГБ видеопамяти. Инновация SK Hynix позволила на 40% уменьшить толщин чипов.

Кроме этого, 12-слойная память позволила увеличить пропускную способность до 9,6 Гб/с, а внедрение процесса MR-MUF — улучшить теплоотвод на 10%.

Издание Business Korea считает, что всё это позволило SK Hynix создать самые быстрые, тонкие и стабильные чипы памяти в мире.

Новая 12-слойная HBM3E и будущая HBM4 были представлены SK Hynix на конференции SEMICON Taiwan 2024.

Компания отметила, что 12-слойная HBM3E была предоставлена NVIDIA и протестирована ещё в марте 2024 года, а в массовое производство началось уже + месяцев спустя. Что касается HBM4, то она будет предназначена в первую очередь также для NVIDIA и её GPU Rubin R100 AI.

Конкуренты SK Hynix, Samsung и Micron, готовятся запустить производство GDDR7 в конце этого года. Несмотря на отставание на несколько месяцев SK Hynix выражает оптимизм. Компания отмечает, что её память GDDR7 будут изготовлены в плотностях 16 Гб и 24 Гб, а целевой скоростью будет 40 Гб/с, что заметно превышает 32 Гб/с, которые предложат конкуренты.

Стандарт GDDR7, утверждённый JEDEC, станет критически важным для GPU нового поколения и ускорителей ИИ. Эта память обеспечит большие скорости и ёмкости, что станет ответом на возрастающие требования к объёму и скорости передачи данных.

Несмотря на задержку с выпуском продукции на рынок, SK Hynix уверена, что сможет подготовить инженерные образцы уже сейчас, позволив производственным партнёрам заранее пройти процесс тестирования и валидации GDDR7 в своих продуктах.

Информационное агентство ссылается на нескольких своих источников, которые утверждают о начличии больших проблем у Samsung с её чипами HMB3. Они заключаются в том, что чипы не просто горячие, что само по себе крайне важно для NVIDIA, которая уже завершила верификацию систем охлаждения, но и потребляют больше энергии, чем нужно. Сообщается, что Samsung пытается провести валидацию HBM3 и HBM3E у NVIDIA ещё с 2023 года, а значит, проблема длиться уже более 6 месяцев.

Проблема наблюдается как с 8-слойными, так и с 12-слойными стеками HMB3E, а это означает, что NVIDIA сейчас может использовать лишь память от Micron и SK Hynix. В чём кроется проблема у Samsung, в производстве пластин или упаковке чипов — не ясно. Сам Reuter полагает, что корейский гигант просто не успел отладить производство и поспешил с выпуском продукта. В то же время Samsung в реакции на статью говорит о проблемах кастомизации под требования NVIDIA.

Модификация под названием NvStrapsReBar включает поддержку ReBAR на видеокартах серий GeForce GTX 16 и RTX 20. К сожалению, серия NVIDIA GTX 10 не поддерживается.

Наши коллеги из KitGuru опробовали поддержку Resizable BAR на старых видеокартах, и она работает. Однако при этом она даёт очень незначительное увеличение производительности, поэтому применение модификаций для UEFI остаётся сомнительным.

С другой стороны, если для вас даже небольшой прирост производительности важен, то вы можете попробовать NvStrapsReBar, поскольку официальных патчей от NVIDIA для поддержки ReBAR на видеокартах GTX 10/16/RTX 20 ожидать не приходится.

По сравнению с нынешним поколением графической памяти, память GDDR7 обладает большей энергоэффективностью и более широкой пропускной способностью. Такие компании, как, NVIDIA и AMD, уже уготовляться использовать новую память в своих ближайших продуктах.

Ключевые изменения в GDDR7 включают:

• Независимая от ядра палитра тренировки регистра линейно-обратного смещения с маскировкой визуальных ошибок и счётчиком ошибок для улучшения тренировки и снижения её имени.
• Удвоение количества независимых каналов с двух в GDDR6 до четырёх GDDR7.
• Поддержка плотностей от 16 Гб до 32 Гб, включая двухканальный режим для удвоения ёмкости.
• Интеграция функционала, который требует рынок, включая ECC на ядре с отчётом в реальном времени, искажение данных, проверка ошибок и паритетность адресации команд с блокировкой.

Лидеры рынка, включая SK Hynix, Micron и Samsung уже готовы к началу массового производства памяти GDDR7.

Новый инструмент с открытым исходным кодом позволяет активировать ReBAR на большом количестве систем, увеличивая производительность компьютера в играх до 12%.

Технология ResizableBAR стала популярной в 2020 году, когда AMD представила Smart Access Memory (SAM). При этом такие возможности доступны многим материнским платам, выпущенным за последнее десятилетие.

Тем не менее, если ваша материнская плата не позволяет выделять дополнительную память для видеокарты, новая утилита ReBarUEFI подменяет существующие процессы, проверяющие совместимость с ReBAR в модуле загрузки. При запуске системы он модифицирует размер ReBAR и убеждает ОС использовать её, в результате повышая производительность. Конечно, такая уловка работает не со всеми системами, однако обозреватели утверждают, что им удалось запустить ReBAR на плате с процессором Sandy Bridge 2011 года.

Сам разработчик смог увеличить производительность машины на базе процессора Core i3-3470 и видеокарты Radeon RX 580 на 12%, увеличив BAR до 2 ГБ. В среднем же прирост составляет 6%.

Память GDDR7 будет выпускаться в модулях по 16 Гб. Она придёт на смену GDDR6 со скоростью 24 Гб/с, выпущенной в прошлом году. Новая конструкция, несмотря на высокую скорость работы обеспечивает дополнительную стабильность работы. Так, пропускная способность GDDR7 составляет 1,5 ТБ/с, что в 1,4 раза выше, чем у GDDR6. Также увеличена пропускная способность контакта до 32 Гб/с. Эти улучшения стали доступны благодаря смене метода сигналирования с Non Return to Zero (NRZ) на Pulse Amplitude Modulation (PAM3), который позволяет передавать на 50% больше данных за один цикл сигналов.

Кроме того, память на 20% более энергоэффективна, чем GDDR6. Минимизация выделения тепла выполнена за счёт применения нового компаунда корпуса микросхемы, который обладает большей теплопроводностью, а также за счёт изменений в самой архитектуре интегральной схемы, что в сумме дало 70% снижения температурного сопротивления. Это обеспечит более стабильную работу в устройствах с плохим теплоотводом, таких как смартфоны и ноутбуки.

Южнокорейский гигант отметил, что квалификация первых образцов памяти состоится в течение этого года.

В настоящее время GDDR6 обладает скоростью 20 Гб/с. Такие чипы используются в серии карт Radeon RX 7900. В то же время технология Micron GDDR6X, применяемая в NVIDIA RTX 40, достигает скорости 22,4 Гб/с в RTX 4080. Очевидно, что GDDR7 будет быстрее, вот только насколько?

Скорее всего, первое поколение памяти не будет столь же быстрым, как последующие. К примеру, GDDR6 изначально обеспечивала пропускную способность 14 Гб/с. В то же время сейчас Samsung выпускает GDDR6 со скоростью 24 Гб/с.

С переходом на GDDR7 производители памяти получат не только прирост пропускной способности, но и возможность сэкономить на ширине шины, получив сравнимую скорость передачи данных.

Что касается первых решений на основе GDDR7, то их появление также ожидается в 2024 году.

Память получила название GDDR6W. Её чипы изготовлены в классическом пакете BGA и будут предназначены для устройств среднего сегмента.

В настоящее время чипы GDDR6 и GDDR6X содержат память DRAM и 32-битный интерфейс. В то же время GDDR6W содержит два таких ядра памяти и два интерфейса в 32 бита. В результате объём чипа увеличился с 16 Гб до 32 Гб, а ширина интерфейса с 32 бит до 64 бит.

Технология, по которой собираются эти микросхемы, получила название Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP). Она пришла на замену традиционным печатным платам с распределительным слоем, обеспечивая меньшую толщину и лучшее соединение.

Таким образом, GDDR6W использует тот же протокол, что и GDDR6, но обеспечивает большую ёмкость и пиковую производительность. По сравнению с GDDR6 скорость передачи данных вырастает с 88 Гб/с до 176 Гб/с, а объём чипа с 16 Гб до 32 Гб. То есть для размещения одинакового объёма памяти потребуется вдвое меньше микросхем.

По сути, Samsung создала аналог HBM2E, только заметно дешевле и проще в монтаже на плате.