Новости про GDDR6 и Samsung

Память GDDR7 будет выпускаться в модулях по 16 Гб. Она придёт на смену GDDR6 со скоростью 24 Гб/с, выпущенной в прошлом году. Новая конструкция, несмотря на высокую скорость работы обеспечивает дополнительную стабильность работы. Так, пропускная способность GDDR7 составляет 1,5 ТБ/с, что в 1,4 раза выше, чем у GDDR6. Также увеличена пропускная способность контакта до 32 Гб/с. Эти улучшения стали доступны благодаря смене метода сигналирования с Non Return to Zero (NRZ) на Pulse Amplitude Modulation (PAM3), который позволяет передавать на 50% больше данных за один цикл сигналов.

Кроме того, память на 20% более энергоэффективна, чем GDDR6. Минимизация выделения тепла выполнена за счёт применения нового компаунда корпуса микросхемы, который обладает большей теплопроводностью, а также за счёт изменений в самой архитектуре интегральной схемы, что в сумме дало 70% снижения температурного сопротивления. Это обеспечит более стабильную работу в устройствах с плохим теплоотводом, таких как смартфоны и ноутбуки.

Южнокорейский гигант отметил, что квалификация первых образцов памяти состоится в течение этого года.

Память получила название GDDR6W. Её чипы изготовлены в классическом пакете BGA и будут предназначены для устройств среднего сегмента.

В настоящее время чипы GDDR6 и GDDR6X содержат память DRAM и 32-битный интерфейс. В то же время GDDR6W содержит два таких ядра памяти и два интерфейса в 32 бита. В результате объём чипа увеличился с 16 Гб до 32 Гб, а ширина интерфейса с 32 бит до 64 бит.

Технология, по которой собираются эти микросхемы, получила название Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP). Она пришла на замену традиционным печатным платам с распределительным слоем, обеспечивая меньшую толщину и лучшее соединение.

Таким образом, GDDR6W использует тот же протокол, что и GDDR6, но обеспечивает большую ёмкость и пиковую производительность. По сравнению с GDDR6 скорость передачи данных вырастает с 88 Гб/с до 176 Гб/с, а объём чипа с 16 Гб до 32 Гб. То есть для размещения одинакового объёма памяти потребуется вдвое меньше микросхем.

По сути, Samsung создала аналог HBM2E, только заметно дешевле и проще в монтаже на плате.

Память относится к 10 нм классу (процесс 1z). Для её производства используется экстремальная ультрафиолетовая литография, а сами микросхемы, очевидно, предназначены для использования в видеокартах нового поколения, ноутбуках, консолях и системах HPC.

Микросхемы разрабатывались с новой конструкцией и с использованием совершенных изоляционных материалов (High-K Metal Gate; HKMG), которые минимизируют ток утечки. Благодаря этому компания создала память, на 30% более быструю, по сравнению с нынешними 16 Гб/с модулями. В видеокартах премиального уровня такая память обеспечит общую пропускную способность в 1,1 ТБ/с. При этом микросхемы созданы в соответствии со спецификациями JEDEC, что означает полную совместимость со всеми конструкциями GPU.

Также новая линейка памяти имеет маломощную опцию, что позволит продлить срок автономной работы мобильных устройств. Подобные микросхемы обладают на 20% большей эффективностью и питаются напряжением 1,1 В, что на 0,25 В меньше, чем по стандарту для GDDR6.

Новые микросхемы памяти уже появились в каталоге продукции Samsung, правда, в каталоге пока не говорится, где эта память найдёт применение, хотя очевидно, что это будут видеокарты нового поколения или топовые модели нынешнего. Если NVIDIA в старших моделях заменит память GDDR6X на новые версии GDDR6, то при ширине шины памяти в 384 бит удастся развить скорость в 19,5 Гб/с.

Также они наверняка найдут себе место в видеокартах архитектуры AMD RDNA3 и NVIDIA Lovelace среднего уровня. Примечательно, что модули памяти с пропускной способностью 24 Гб/с упакованы в пакет 180FGBA, который применяется, в частности, с RX 6900 XT.

Таким образом, NVIDIA может стать первым производителем видеокарт, где будет примениться память быстрее 20 Гб/с, поскольку RTX 3090 Ti с модулями по 21 Гб/с, выйдет в январе. Самая быстрая карта AMD, Radeon RX 6900 XT LC, предлагает скорость 18,5 Гб/с.

Эпоха DDR5 только-только началась, а технологические гиганты уже смотрят в будущее. Спецификация памяти DDR6 ещё не разработана JEDEC, однако корейские гигант уже занят её проектированием. Ожидается, что эта память будет работать с пропускной способностью в 12800 Мб/с, а разогнанные модели смогут выдавать до 17000 Мб/с. Кроме того, в DDR6 количество банков памяти будет увеличено в 4 раза, по сравнению с DDR4, до 64. Первые модули типа DDR6 должны появиться в 2024 году.

В ходе мероприятия компания Samsung также рассказала о 1z нм процессе для производства GDDR6, которую она назвала GDDR6+. Этот новый вариант графической памяти сможет развить скорость от 18000 Мб/с до 24000 Мб/с, что на 33% больше, чем у предшественника. На смену GDDR6+ придёт GDDR7, которая получит защиту от ошибок в реальном времени и максимальную скорость передачи данных до 32000 Мб/с.

Говоря о LPDDR6, компания Samsung особое внимания уделила вопросу энергоэффективности, хотя и скорость также должна возрасти. Компания ожидает повысить эффективность примерно на 20%, а скорость передачи данных возрастёт до 17000 Мб/с.

Наконец, компания рассказала о своих планах по производству памяти HBM3 со скоростью 800 ГБ/с и HBM2E с пропускной способностью 450 ГБ/с. Первые модули типа HBM3 южнокорейский гигант должен выпустить во II квартале 2022 года.

Во всех анонсированных во вторник видеокартах Quadro моделей RTX 8000, RTX 6000 и RTX 5000 используется память GDDR6 объёмом 16 Гб от Samsung, обеспечивая высокую скорость и эффективность.

По данным Samsung, эта память на 35% более экономична, чем GDDR5. Это достигается новой конструкции цепи, что позволяет памяти GDDR6 от Samsung работать на напряжении 1,35 В против 1,55 В у GDDR5. Скорость в новой памяти также радует. Она достигает 14 Гб/с на контакт, а общая скорость передачи данных составляет 56 ГБ/с, что на 75% быстрее, чем 8 Гб чипов GDDR5.

Свой пресс-релиз компания дополнила заявлением своего корпоративного вице-президента Джима Элиотта, который назвал это событие «привилегией со стороны NVIDIA».

Южнокорейский гигант Samsung сообщил о начале массового производства первой памяти GDDR6 объёмом 16 Гб. Эта память появится в видеокартах уже в этом году.

Память данного типа будет использоваться в игровых видеоплатах, а также системах для автомобилей, сетевого обслуживания и искусственного интеллекта. Эти микросхемы изготавливаются по 10 нм технологии и имеют ёмкость 16 Гб, что вдвое выше 8 Гб чипов Samsung памяти GDDR5.

По данным разработчика новая память работает на скорости 18 Гб/с на контакт, обеспечивая передачу данных до 72 ГБ/с. Это гигантский прорыв для Samsung, особенно учитывая, что изменений в энергопотреблении не произошло. Благодаря новой принципиальной схеме, микросхемы GDDR6 работают при напряжении 1,35 В, что на 35% ниже чем GDDR5, которая обычно работает на напряжении 1,55 В.

Первая касается новой высокоскоростной памяти GDDR6, которая обладает большей скоростью работы при меньшем энергопотреблении, чем нынешняя память для графики. Новая память GDDR6 от Samsung обладает пропускной способностью 16 Гб/с, что означает скорость ввода-вывода в 64 ГБ/с. Память работает на напряжении 1,35 В.

Второй позицией на CES станут новые SSD NGSFF (next-gen form factor) объёмом 8 ТБ. Используя этот новый форм-фактор, Samsung сможет резко увеличить производительность серверов формата 1U. Накопитель сможет обеспечить скорость ввода-вывода на уровне 0,5 ПБ/с. Также, при размере 30х11х4,4 мм, новый SSD занимает меньше места.

Скорее всего, никаких деталей о новых продуктах мы не узнаем до января, когда и состоится их официальная презентация.

Современная память GDDR5, используемая в Radeon RX 480/  GeForce GTX 1070 обладает пропускной способностью в 7—8 Гб/с, а скорость GDDR5X, которая используется в GTX 1080, может достигать 10 Гб/с. Если Samsung сможет воплотить планы в жизнь, то к моменту своего появления GDDR6 получит ту же производительность, что и GDDR5X к 2018 году, а именно — 14 Гб/с. Ожидается, что через 2 года после релиза технология усовершенствуется, и разработчикам удастся достичь пропускной способности в 16 Гб/с.

Это означает удвоение скорости передачи данных, по отношению к нынешней памяти, и увеличение частот. Что касается питания, то в GDDR6 планируется сохранить нынешнее напряжение в 1,35 В.

Отмечается, что кроме новой видеопамяти южнокорейский гигант активно занимается разработкой оперативной памяти DDR5 и её ноутбучной версии LPDDR5.