Новости про flash-память, SSD и разработчики

Новая технология ускорит SSD в 4 раза

Команда японских разработчиков придумала технологию, которая коренным образом улучшит скорость записи, энергоэффективность и возможности перезаписи (т.е. увеличит срок эксплуатации) устройств, которые основаны на NAND памяти.

Группой учёных руководил Кэна Такэути, профессор департамента инжиниринга электрики, электроники и связи, факультета науки и инжиниринга университета Тюо, Токио. Данная разработка была представлена в ходе мероприятия 2014 IEEE International Memory Workshop, международной академической конференции по полупроводниковой памяти, которая проходила в Тайбэе в конце мая.

Суть исследования основана на том, что при использовании твердотельной NAND памяти невозможно перезаписать данные на то же самое физическое место. Вначале необходимо записать данные на другой свободный участок, а затем очистить старую зону. В результате данные оказываются фрагментированными, увеличивается количество ошибочных участков и снижается ёмкость накопителя. Для устранения последствий записи в SSD применяется «уборка мусора», которая пересобирает фрагменты данных в продолжительные цепочки и очищает блоки ошибочных участков. Данный процесс может занимать 100 мс и даже больше, что заметно снижает скорость записи и увеличивает физический износ диска.

Новый же метод формирует промежуточный слой, названный «скремблер LBA (logical block address)». Этот слой располагается между операционной системой и накопителем. Скремблер логических блоков взаимодействует с контроллером памяти, конвертирующем логические адреса в физические на стороне SSD, и конвертирует логические адреса данных, которые должны быть записаны, таким образом, чтобы снижать эффект фрагментации.

Таким образом, вместо записи данных на новое свободное пространство, данные записываются на фрагментированную страницу, которая расположена в блоке, подлежащем очистке. В результате, количество ошибочных блоков, подлежащих очистке, в странице снижается, а также понижается количество безошибочных страниц, подлежащих копированию в новое место при уборке мусора.

К сожалению, до опытного внедрения данной технологии ещё очень далеко.

MOSAID объявили о создании 16-и ядерного NAND стека

Компания MOSAID Technologies Inc. объявила, что представила первый в мировой промышленности NAND Flash MCP (multi-chip package) с 16-и ядерным NAND стеком, работающем в одном высокопроизводительном канале.

Чип MOSAID 512 Гб HLNAND (HyperLink NAND) MCP представляет собой стек из 16-и 32 Гб NAND флеш ядер с двумя HLNAND интерфейсными каналами, достигающими скорости вывода в 333 МБ/с по однобайтовому HLNAND интерфейсному каналу. Для сравнения, существующие NAND Flash MCP чипы состоят из не более чем четырёх NAND ядер. Увеличение числа ядер в стеке ведёт к снижению производительности. Таким образом, увеличение числа ядер ведёт к росту каналов связи при сохранении скорости.

Чин-кхи Ким, вице-президент MOSAID, заявил: «16-и ядерный стек 512 ГбHLNANDMCP демонстрирует превосходную масштабируемость кольцевой архитектуры HLNAND, по сравнению с архитектурой параллельной шины, используемой сейчас в производстве NAND флеш. Архитектура HLNAND позволяет создать виртуально неограниченное количество ядер NAND, подключаемых на один канал без снижения производительности».

Главный технолог и вице-президент компании Петер Джилингэм (Peter Gillingham) добавил: «Используя технологию HLNAND, системные инженеры могут спроектировать твердотельные накопители (SSD) с пропускной способностью в гигабайт на секунду и терабайт объёмом на едином чипе-контроллере».