Новости про оперативная память и стандарты

Память типа HBM3 сможет обеспечить скорость в 819 ГБ/с и объём 64 ГБ. Для сравнения, память HBM2e, используемая в AMD MI250 обеспечивает вдвое меньшую скорость, 410 ГБ/с, и вчетверо меньший объём, 16 ГБ.

Из восьми стеков MI250 можно собрать модуль на 128 ГБ и 3277 ГБ/с. В то же время 8 стеков HBM3 дадут 512 ГБ и 6552 ГБ/с. При этом пока в мире не существует модулей HBM2e, которые бы отвечали максимальной спецификации.

Кроме этого HBM3 получит удвоение независимых каналов, с 8 до 16, а также получит «псевдоканалы», которые могут создавать до 32 виртуальных каналов.

JEDEC ожидает, что первое поколение продуктов HBM3 появится на рынке в ближайшее время, однако они не будут отвечать максимальным спецификациям. Скорее всего, стоит ждать появления 12-слойных стеков объёмом 2 ГБ.

Новый стандарт LPDDR5X должен обеспечивать скорость передачи данных в 8355 МТ/с, что на треть выше, чем у LPDDR5. Память предназначена для систем-на-чипе нового поколения используемых в ИИ и машинном обучении, а также других тяжёлых задач, включая графику.

Кроме более высокой скорости передачи память LPDDR5X получит увеличенное соотношение сигнал-шум, что позволит поднять частоту и производительность. Также будет улучшена целостность сигнала благодаря эквализации TX/RX, а за счёт новой функции адаптивного управления обновлением будет повышена надёжность.

Главные изменения в DDR5 включают:

• Удвоение максимальной плотности DIMM до 64 Гб, что означает возможность изготовления памяти объёмом 2 ТБ.
• Максимальная стандартная скорость передачи данных составит 6,4 Гб/с, вдвое быстрее 3,2 ГБ/с у DDR4. К моменту запуска DDR5 должна обеспечить скорость в 4,8 Гб/с, с ростом в будущем.
• Поскольку технологии не позволяют увеличить частоту работы памяти, в DDR5 будет увеличен параллелизм. Так, DDR5 обеспечит два независимых канала по 32 бита на DIMM, однако стандарт по-прежнему требует установку пар DIMM.
• Операционное напряжение снижено до 1,1 В с 1,2 В у DDR4.
• Модуль регулировки напряжения будет исключён из материнских плат. Это позволит снизить стоимость плат и не требует дополнительного функционала для повышения конфигурации памяти.
• Память будет содержать те же 288 контактов, что и DDR4, но отличительная конфигурация ключей не позволит установить DDR5 в старые слоты.

Разработчик стандарта считает, что первая память DDR5 появится в устройствах через 15—18 месяцев, то есть во второй половине 2021 года. Пока же ни AMD, ни Intel официально не объявляли о платформах, которые получат память нового типа.

Такие не теряющие данные двухлинейные модули памяти NVDIMM (non-volatile dual in-line memory module) будут использованы для сверхвысокопроизводительных накопителей, а также для сверхбезопасных решений ОЗУ.

Первый тип таких модулей называется NVDIMM-N. В нём объединена память DRAM и NAND типов для обеспечения создания резервных копий и последующего восстановления всей ОЗУ, что значительно повышает надёжность работы в случае внезапного прекращения питания. Второй тип получил название NVDIMM-F. В нём применяется прямая адресация к NAND флеш, которая адресуется как блочно-ориентированный накопитель. Память NVDIMM-F сможет предложить сверхвысокопроизводительные твердотельные накопители для использования в качестве кэша записи, хранения метаданных и т.п.

Оба типа памяти будут использовать форм-фактор с 288 контактами, т. е. будут соответствовать стандартным модулям DDR4, и смогут устанавливаться в двухлинейные слоты стандартных промышленных серверов и платформ накопителей. Они будут распознаваться контроллерами как стандартная DDR4 SDRAM. Канал памяти же будет разделяться между DRAM и NAND чипами.

Первое коммерческое решение, соответствующее спецификации JEDEC NVDIMM ожидается к появлению в конце 2015 или начале 2016 года.