Новости про GDDR6 и оперативная память

Компания представила первый образец памяти GDDR6-AiM, работающий на скорости 16 Гб/с. Новая память отличается от предыдущих решений, поскольку содержит дополнительные вычислительные возможности, что позволяет снимать часть нагрузки с GPU или CPU, и увеличивать конечную производительность до 16 раз.

Новая память GDDR6-AiM предназначена для систем машинного обучения, высокопроизводительных расчётов, устройств хранения и Big Data. Память GDDR6-AiM питается напряжением 1,25 В, что на 0,1 В ниже, чем у GDDR6. Кроме того, благодаря вычислительным возможностям снижается объём передаваемых данных между памятью и CPU+GPU, что в сумме обеспечивает снижение энергопотребления на 80%.

Отмечается, что благодаря новой памяти SK Hynix сможет построить новую экосистему с собственным вычислительным функционалом.

Эпоха DDR5 только-только началась, а технологические гиганты уже смотрят в будущее. Спецификация памяти DDR6 ещё не разработана JEDEC, однако корейские гигант уже занят её проектированием. Ожидается, что эта память будет работать с пропускной способностью в 12800 Мб/с, а разогнанные модели смогут выдавать до 17000 Мб/с. Кроме того, в DDR6 количество банков памяти будет увеличено в 4 раза, по сравнению с DDR4, до 64. Первые модули типа DDR6 должны появиться в 2024 году.

В ходе мероприятия компания Samsung также рассказала о 1z нм процессе для производства GDDR6, которую она назвала GDDR6+. Этот новый вариант графической памяти сможет развить скорость от 18000 Мб/с до 24000 Мб/с, что на 33% больше, чем у предшественника. На смену GDDR6+ придёт GDDR7, которая получит защиту от ошибок в реальном времени и максимальную скорость передачи данных до 32000 Мб/с.

Говоря о LPDDR6, компания Samsung особое внимания уделила вопросу энергоэффективности, хотя и скорость также должна возрасти. Компания ожидает повысить эффективность примерно на 20%, а скорость передачи данных возрастёт до 17000 Мб/с.

Наконец, компания рассказала о своих планах по производству памяти HBM3 со скоростью 800 ГБ/с и HBM2E с пропускной способностью 450 ГБ/с. Первые модули типа HBM3 южнокорейский гигант должен выпустить во II квартале 2022 года.