Новости про 7 нм, CPU, Intel и производство

Intel активно готовит 7 нм процесс

Возможно, что у Intel появился свет в конце туннеля производства микросхем. Компания сообщила об активной разработке 7 нм технологии производства.

Этот 7 нм процесс будет использовать экстремальную ультрафиолетовую литографию (EUV). Об этом Intel сообщила инвесторам. Процесс будет отвязан от печально известного 10 нм глубокого ультрафиолета (DUV), и команды, работающие над технологиями, разделены. Сейчас протекает процесс квалификации 10 нм DUV технологии, и компания изготавливает небольшое количество маломощных процессоров Cannon Lake.

Пластина с микросхемами

Переход от 10 нм к 7 нм позволит вдвое уменьшить размер транзисторов. В 10 нм процессе DUV используется комбинация ультрафиолетовых лазеров с длинной волны 193 мм и мультипаттеринг (на самом деле 4 уровня). В процессе 7 нм EUV применяются суперсовременные непрямые лазеры 135 нм длины волны, исключая мультипаттеринг. Объединение этого лазера с масками позволит создать 5 нм технологию.

Успешная работа над 7 нм процессом означает готовность к квалификации в конце 2019 года и начало массового производства в 2020—2021 годах. Учитывая, что квалификация 10 нм DUV началась в конце 2017 года, а массовое производство началось в мае 2018 года, Intel не станет использовать 10 нм в течение многих лет, как произошло с 14 нм технологией.

Intel: проблемы 10 нм не коснутся 7 нм

Переход на 10 нм технологию производства доставил Intel массу проблем. Долгие годы компания отрабатывает этот техпроцесс, однако он до сих пор он даёт слишком много брака, когда речь заходит о высокопроизводительных решениях.

В ходе встречи с акционерами исполнительный директор Intel Брайан Крзанич в своём докладе коснулся и этой темы. Он заявил, что проблемы с 10 нм привели к тому, что AMD смогла вырваться в технологическом плане вперёд, однако переход на 7 нм не вызовет трудностей, поскольку это совершенно новая технология производства, к тому же компания поставит себе менее амбициозные цели.

Исполнительный директор Intel Брайан Крзанич

«7 нанометров будет первым переходом к литографическим инструментам, которые затем откроют нам возможность к печати элементов намного, намного мельче, и намного проще. Так что это первый шаг, отделяющий 10 и 7 нанометров. Ещё одна вещь… из-за которой мы не сделали 10 нанометров, связана с намного более агрессивным фактором масштабирования. Вместо наших типичных 2,4, промышленность применяет масштабирование в 1,5 и 2 раза», — заявил Крзанич. Он уточнил, что переход на 10 нм должен привести к масштабированию в 2,7 раза, а это очень сильно осложняет задачу.

Сбудутся ли обещания, данные директором своим акционерам, мы узнаем только через пару-тройку лет.

Intel планирует выпустить 7 нм процессоры к 2018 году

В ходе Международной конференции по твердотельным цепям, ISSCC 2015, компания Intel заявила о том, что конструкция микросхем и технологии производства будут готовы к выпуску чипов с размером элементов в 7 нм к 2018 году.

Старший научный сотрудник Intel, директор группы технологии и производства, Марк Бор пояснил репортёрам, как нынешние технологии производства будут по-прежнему подходить для производства 7 нм чипов. В Intel ожидают, что в следующем году компания сможет перейти на 10 нм производственный процесс. При этом при переходе на процессы мельче 7 нм, промышленность должна будет вложить дополнительные средства в разработку нового дорого и сложного метода производства, который будет включать использование ультрафиолетового лазера.

Бор также сообщил, Intel старается избежать задержек любого рода при выпуске поколения 10 нм процессоров, как это произошло с 14 нм Broadwell. Компания задержала выпуск этих чипов на несколько месяцев в связи с производственными проблемами. С самого начала выход годных пластин был низкий, и компании пришлось провести ряд экспериментов для отработки технологии. Сейчас же Бор подтвердил, что пробная 10 нм линия производства работает на 50% быстрее, чем 14 нм, поэтому он выразил уверенность в том, что 10 нм технология своевременно окажется в массовом доступе.