SK Hynix готовит ещё более быструю память HBM3
Южнокорейская компания обновила спецификации разрабатываемой памяти HBM3 уже в третий раз.
В октябре SK Hynix сообщила, что увеличит скорость новой 12-Hi (слоёв) памяти HBM3 DRAM до скорости 820 ГБ/с. Теперь же компания уверяет, что скорость будет составлять 896 ГБ/с, о чём она объявила на форуме ISSCC 2022 (IEEE International Solid-State Circuits Conference).
Детали пока не оговариваются, однако в заголовке сессии на конференции указана её скорость. Новые микросхемы также будут состоять из 12 слоёв ёмкостью по 196 Гб (24 ГБ). Высокая скорость будет достигаться за счёт автокалибровки и оптимизации на основе машинного обучения сквозных связей TSV. Также пока не ясно, идёт ли речь о первых прототипах, или же компания всерьёз задумывается о выпуске этих микросхем в продажу.
Первые спецификации HBM3 от SK Hynix должны были обеспечивать скорость в 5,5 Гб/с на контакт (665 ГБ/с суммарно). И уже через несколько месяцев была заявлена скорость в 819 ГБ/с. Теперь же скорость увеличена ещё на 10%, до 7 Гб/с на контакт.
Кроме этого компания также планирует обсудить 27 Гб/с память GDDR6 с технологией Merged-MUX TX, оптимизированной работой WCK и альтернативной шиной данных. Подобная память станет самой быстрой в мире и позволит обойти выпускаемые в настоящее время модули Samsung, имеющих скорость в 24 Гб/с. Память SK Hynix также будет выпускаться в микросхемах объёмом 16 Гб, как и решения GDDR6 от Samsung и GDDR6X от Micron.