Rambus: HBM3 удвоит пропускную способность до 4000 Мб/с
Новый слайд от Rambus пролил немного света на цели в развитии памяти, показав будущее широкополосной памяти HBM3 и DDR5.
Дизайнер решений в области памяти отметил, что микросхемы обоих типов при готовности выйти на рынок будут произведены по 7 нм технологии. Таким образом, эти решения в области памяти не появятся раньше 2019 года. При этом конечные спецификации пока не утверждены и в будущем ещё могут измениться.
У Rambus уже есть работающий прототип DDR5. В фирме ожидают, что официальный стандарт будет нацелен на частоту от 4800 МГц до 6400 МГц, что вдвое больше, чем у DDR4.
Слайд также сообщает, что HBM3 вдвое увеличит пропускную способность по сравнению с HBM2, но при этом будет иметь более сложную конструкцию архитектуры.