12 нм технология GlobalFoundries обещает не уступать 10 нм процессам конкурентов
Компания GlobalFoundries объявила о доступности нового технологического процесса 12 Leading Performance (12LP), который был назван 12LP+. Этот процесс должен обеспечить заметный прирост производительности и снижение энергопотребления.
Разработчики сообщают, что прирост в производительности соответствует 7-нанометровой технологии, но при этом сохраняется преимущество низкой себестоимости платформы 12LP. Также на 15% увеличится плотность транзисторов.
Собственно говоря, 12LP+ FinFET от GF предлагает 20% прирост в производительности или 40% снижение в энергопотреблении по отношению к базовой платформе 12LP, которая сама предлагает 10% улучшение над 16/14 нм и 15% улучшение в масштабировании логики. Это тот же уровень, который заявляет TSMC для 7 нм по отношению к 16 нм.
Также компания отмечает, что процесс 12LP+ является зрелым в технологическом смысле, а потому имеет мало брака, а новая система «однократного инжиниринга» NRE (non-recurring engineering) позволяет снизить стоимость разработки вдвое.
Ещё одной интересной особенностью платформы стало размещение на чипах ячеек низковольтной SRAM напряжением 0,5 В, которые предлагается использовать в качестве кэша между памятью и процессором, что будет полезно для систем ИИ.
Сейчас GlobalFoundries утверждает, что она уже имеет заказы на производство чипов для облачных вычислений и ИИ от нескольких заказчиков. Первые опытные образцы этих микросхем должны быть выпущены во второй половине 2020 года, а массовое производство запланировано на 2021 год.