Новости про flash-память, Hynix, NAND, SSD и накопители

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI-Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.