TSMC рассказала о подготовке к 3 нм технологии
В ходе ежегодного Симпозиума Технологии компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company рассказала о готовящейся технологии производства N3 (3 нм).
Компания отметила, что планирует начать рисковое производство уже в 2021 году, а к массовому выпуску она перейдёт в 2022 году. До выпуска N3 компания будет вести производство по нормам N5 (5 нм) и N5P (5 нм+).
Пятинанометровый процесс обеспечивает 15% прирост производительности по сравнению с 7 нм, при сохранении энергопотребления. Альтернативно заказчики могут получить 30% снижения потребления энергии без прироста к скорости. Переход на 5 нм обеспечит увеличение транзисторной плотности в 1,8 раза.
Следующая технология, 5 нм+, станет модификацией 5 нм и обеспечит 5% подъём частоты или 10% снижение энергопотребления. Однако самое интересное начинается при переходе на 3 нм. Эта технология даст 25—30% прорыв в снижении потребляемой энергии при той же производительности, что и 5 нм. Либо же предлагается поднять производительность на 10—15% без изменений в энергопотреблении. Транзисторная плотность вырастет в 1,7 раза.
Кроме этого компания сообщила, что продолжает и дальнейшие разработки, пытаясь создать нанолисты и нанопровода применяя материалы нового поколения вместо кремния. Для будущих разработок компания ищет возможности применения высокомобильных каналов, 2D-транзисторов и углеродных нанотрубок.