Samsung готовит 7 нм производство на следующий год
Несмотря на то, что исполнительный директор находится за решёткой, компания Samsung продолжает готовить новые технологии, среди которых и 7 нм техпроцесс, запланированный на 2018 год.
Компания Samsung Electronics продемонстрировала дорожную карту, касающуюся производства микросхем.
В ходе презентации вице-президент Samsung по технологии Хо-Кью Кан отметил, что многие производители столкнулись с проблемой при разработке технологий меньше 10 нм. Однако Samsung справилась с задачей, ключом к которой стало использование полевого транзистора с «кольцевым» затвором (GAA FET). Эти транзисторы позволят компании продолжить уменьшать элементы до размера 7 нм и 5 нм. Для изготовления пластин компания применит технологию экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV).
Вице-президент отметил, что 7 нм процесс Samsung разрабатывается для изготовления чипов хай-энд уровня, таких как GPU и процессоры искусственного интеллекта, серверных процессоров и систем помощи управления автомобилем.
Что касается 5 нм производства, то Кан отметил, что его планируют запустить в серию в 2020 году.
Кроме новых технологий с малым размером элементов Samsung также сообщила о запуске технологии FD-SOI, которая является недорогой альтернативой FinFET, а также представила 28 нм FD-SOI, которая создана специально для устройств интернета вещей.