Toshiba готовит память XL-Flash с низкими задержками

Компания Toshiba поделилась некоторыми сведениями о новом типе памяти 3D NAND, получившим название XL-Flash. Эта новая память призвана заметно сократить задержки доступа.

Примечательно, что память XL-Flash может быть изготовлена по современно процессу 96-слойной BiCS4 3D NAND от Toshiba. Она ускорит случайный доступ к данным, особенно в случае короткой очереди. Эта память будет подвидом SLC, однако разработчики уже заняты созданием MLC варианта. О XL-Flash информации очень мало, о скорости её работы также пока не сообщается. Разработчики лишь отметили, что её задержки при чтении будут в 10 раз меньше, чем у TLC NAND.

SLC NAND память Toshiba
SLC NAND память Toshiba

Также отмечается, что, несмотря на современную технологию производства, память XL-Flash использует более короткие последовательности данных и более короткие последовательности слов, что вызвано строением памяти с большим числом плоскостей, чем 2 или 4 в обычных NAND устройствах.

Слайд из презентации Toshiba XL-Flash
Слайд из презентации Toshiba XL-Flash

Некоторые обозреватели отмечают, что память XL-Flash очень похожа на то, что анонсировала с Samsung под брендом Z-NAND. Обе эти технологии ускоряют случайный доступ к данным и конкурируют с памятью X-point от Intel.

В первую очередь память XL-Flash предназначена для ЦОД и корпоративных клиентов, но ни о цене, ни о сроках внедрения ничего не сообщается.