Новости про Toshiba

Дело в том, что для хранения одного бита на ячейку необходимо использовать два состояния напряжения. В памяти MLC — четыре, TLC — восемь, а QLC — целых шестнадцать. Это приводит к частому появлению ошибок из-за повреждения данных, которые могут произойти в связи с большим количеством состояний заряда. Для успешного коммерческого использования технологии специалистам придётся применять различные механизмы коррекции.

Как оказалось, Toshiba с этим успешно справилась. По её данным, память 3D QLC NAND выдержала порядка 1000 циклов программирования/очистки, что близко к значениям TLC NAND. Это заметно выше 100—150 циклов, которые прогнозировали специалисты для QLC.

Ожидается, что массовое производство продукции на базе QLC памяти начнётся в конце 2018 или начале 2019 года.

Благодаря технологии QLC, представленной 64-слойной стековой структурой, Toshiba сможет представить миру кристаллы крупнейшего объёма в 768 Гб (96 ГБ). Новая память также позволяет создавать 1,5 ТБ устройства с 16-слойной архитектурой кристаллов в едином пакете, что также на 50% увеличивает ёмкость пакета, по сравнению с прошлым поколением устройств.

Память типа QLC имеет те же проблемы (если не большие), с которыми столкнулись разработчики при выпуске памяти MLC. Главная из них заключается в том, как поместить данные в одну ячейку без влияния на надёжность хранимых данных и производительность. Так что вопрос того, смогут ли SSD, основанные на QLC NAND, предложить достаточную производительность, остаётся открытым.

Скорее всего данная память найдёт себе место в накопителях для ЦОД, где ключевую роль играют низкое энергопотребление и физический размер накопителя. Однако, возможно, QLC можно будет встретить и в некоторых других отраслях.

Как сообщает разработчик, образцы устройств на основе памяти QLC поставляются производителям SSD и контроллеров для SSD с июня месяца, которые используют новую память для разработки накопителей. Новое поколение образцов будет представлено в августе в ходе Flash Memory Summit 2017.

Накопители AL14SX имеют форм-фактор 2,5”. Скорость вращения их шпинделя составляет 15 000 об/мин, а подключение осуществляется через 12 Гб/с интерфейс SAS. Разработчики предложили две модели с различными режимами работы. Первая предусматривает родную (native) поддержку режима секторов 4K (4Kn) и режим эмуляции 512 (512e) с поддержкой Advanced Format Sector Technologies. Вторая модель работает в режиме 512n, она предназначена для наследных приложений и гипервизоров.

Модели серии AL14SX доступны в объёмах 300 ГБ, 600 ГБ и 900 ГБ, что является 50% увеличением объёма по отношению к предшествующей серии AL13SX. Модели с режимами 4Kn и 512e также предлагают 19% прирост в скорости передачи данных, которая теперь составляет 290 МБ/с, и 28,7% улучшение удельной энергоэффективности.

Заказывая диски, клиенты могут выбрать модели с поддержкой технологии Sanitize Instant Erase (SIE), которая обеспечивает быстрое повреждение записанных данных для эффективной очистки диска перед повторным использованием.

Компания Toshiba сообщила, что поставки опытных версий накопителей уже начались.

Новые 512 гигабитные чипы построены из 64 слоёв по технологии трёхуровневых ячеек хранящих по три бита на ячейку (TLC). Эти чипы станут частью модельного ряда продуктов BiCS FLASH.

Сейчас компания начала поставки опытных чипов объёмом 512 Гб, а их массовое производство компания начнёт во втором полугодии.

Новый флеш продукт обладает на 65% большей ёмкостью, по сравнению с прошлым поколением, в котором использовались 48 слоёв ячеек NAND. В дополнение к 512 Гб устройства линейка Toshiba BiCS FLASH будет включать 64-слойные 256 Гб решения, которые уже находятся в массовом производстве.

По словам Скотта Нельсона, старшего вице-президента подразделения памяти TAEC, «представление нами третьего поколения BiCS FLASH в паре с крупнейшим в промышленности 1 ТБ чипом заметно укрепляет наши позиции в качестве передового решения в области памяти, и мы продолжим развивать нашу 3D технологию для соответствия постоянно возрастающим требованиям рынка к объёму хранимых данных».

Таким образом, компания планирует выпустить по этой технологии микросхему, объёмом 1 ТБ.

Чип будет использоваться в накопителях для ЦОД, а также найдёт себе место в SSD продуктах, а значит, он будет достаточно дёшев для использования в игровых системах хай-энд уровня.

Шива Шиварам, исполнительный вице-президент WD, отметил, что с июля 2016 года компания удвоила плотность чипов в 64-слойных стеках.

«Это превосходное дополнение к нашему быстро распространяющемуся портфелю технологии 3D NAND. Это также располагает нас к ответу на растущий спросу на накопители в связи с быстрым увеличением количества данных, используемых в широком спектре потребительских розничных, мобильных устройств и ЦОД», — отметил господин Шиварам.

Компания Western Digital разработала производственную технологию совместно с Toshiba. Эта совместная работа также позволила выпустить первую в мире 64-слойную память в июле 2016 года и 48-слойную память в 2015 г.

Когда же 512 гигабитная 64-слойная память появится в конечных продуктах, пока не сообщается.

В отличие от обычных накопителей, эти устройства содержат контроллеры и память в одном пакете, упрощая создание устройств.

Новые e-MMC устройства доступны в объёмах от 16 ГБ до 128 ГБ. Все они изготавливаются по нормам 15 нм процесса, что делает эти чипы одними из самых маленьких в мире. Последовательное чтение данных достигает 320 МБ/с, а запись — 180 МБ/с, что на 2—20% быстрее памяти Toshiba прошлого поколения. Скорость случайного же чтения выросла примерно на 100%, а записи — на 140%.

В памяти UFS используется более широкий интерфейс связи MIPI M-PHY, что позволило в новых модулях увеличить скорость чтения до 850 МБ/с, а записи — 180 МБ/с. Микросхемы UFS построены на той же 15 нм NAND памяти и доступны в объёмах от 32 ГБ до 128 ГБ.

Компания Toshiba производит для своих накопителей не только память, но и контроллеры. Так, фирма разработала собственное аналоговое ядро M-PHY 3.0 и цифровое ядро UniPro 1.6, интегрируемые в UFS контроллер. В результате полученные микросхемы отвечают всем требованиям по скорости работы.

Отмечается, что в этом году компания может выпустить накопители с ещё большей ёмкостью. Данная информация получена из сообщения The Register, согласно которому стартап-компания Apeiron, использующая NVMe связи для бизнес решений, сертифицировала два накопителя Toshiba высокой ёмкости.

Идея, стоящая за Apeiron SSD — это комбинирование NVMe и Ethernet для более быстрой, по сравнению с PCIe, передачи данных на накопитель.

По информации Apeiron, компания Toshiba готовит на этот год NVMe SSD накопители ещё большей ёмкости. По слухам, речь идёт о твердотельниках объёмом 7 ТБ и даже 14 ТБ, однако пока эта информация не подтверждена. Кроме того, речь не идёт о розничной продаже, так что если вы хотите приобрести 3,2 ТБ NVMe SSD, вам придётся немного подождать.

Данный накопитель позиционирован разработчиками как хай-энд решение. Оно основано на 15 нм MLC NAND памяти Toshiba, при этом используется протокол NVMe и шина PCI-Express Gen3 x4, что позволяет значительно ускорить передачу данных, по сравнению со стандартным интерфейсом SATA.

Согласно представленным спецификациям, OCZ RD400 NVMe SSD достигает скорости последовательного чтения в 2600 МБ/с и записи в 1600 МБ/с. При чтении и записи случайных блоков по 4 кБ скорость составляет 210 000 и 140 000 операций ввода-вывода в секунду соответственно.

Накопитель Toshiba OCZ RD400 будет предложен в двух версиях: стандартном M.2 модуле или плате расширения PCIe. При этом накопители будут представлены в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1024 ГБ. Надёжность OCZ RD400 достигает 592 TBW (в зависимости от модели). В продажу накопители M.2 должны поступить в ближайшее время по цене в 110, 170, 310 и 740 долларов США за SSD объёмом 128, 256, 512 и 1024 гигабайта соответственно. Версии в корпусе платы расширения обойдутся на 20 долларов дороже

В результате некоторые третьи компании, использовавшие комплектующие TSST, могут прекратить собственное производство по исчерпанию складских запасов. Таким образом, к концу года единственными производителями ODD станут LG и Liteon.

Сайт KitGuru отмечает, что TSST подтвердила данную информацию о прекращении производства, добавив, что последние поставки комплектующих будут произведены до конца этого года. Также было сообщено, что к 2017 году единственным производителем оптических накопителей станет LG Hitachi.

Наши коллеги с KitGuru связались с Liteon, чтобы получить дополнительную информацию. Менеджер по продажам Майк Хуан сообщил, что «TSST(Samsung ODD) действительно прекратила производство с середины апреля». При этом Liteon получила огромное количество заказов на производство, и сейчас завод работает на полную мощность. Хуан добавил: «Мы продолжим вести агрессивный бизнес ODD для достижения порядка 50% рынка». Также он сообщил о «выпуске на рынок новых ODD».

Также журналисты связались с Asus, которая использовала комплектующие TSST. Однако поскольку информация о прекращении производства TSST не оглашена официально, Asus отказалась комментировать возможный уход из этого бизнеса, отметив: «ODD по-прежнему в центре нашего внимания и является важным продуктом, который мы поддерживаем в Великобритании».

Ранее TSST отмечала, что ищет финансовую поддержку для защиты от кредиторов.

Новая серия клиентских SSD получила название SG5. Как было сказано выше, накопители основаны на микросхемах NAND памяти, изготовленной по 15 нм технологии. Выпуск накопителей в различных форм-факторах, как старом добром 2,5”, так и новомодном M.2 2280 (одно- и двухстороннем), позволяет продукту найти себе применение в различных условиях монтажа.

Кроме эффективной памяти серия SG5 также может похвастать собственной технологией коррекции ошибок, получившей название QSBCTM (Quadruple Swing-By Code), и поддержкой высокоэффективной кодировки коррекции ошибок ECC, которая повышает защищённость пользовательских данных от повреждения и повышает долговечность накопителя.

Таким образом, компания продолжает усиливать свои позиции на рынке SSD, предлагая новые модели накопителей для различных нужд. Поставки опытных образцов накопителей Toshiba SG5 уже начались.