Новости про SSD

Сейчас у фирмы есть несколько контроллеров для SSD начального уровня, которые можно встретить в SSD от Adata. Однако уже через год компания хочет выйти на рынок хай-энд накопителей.

Разрабатываемый контроллер RTS5771 предназначен для топовых SSD. Он планируется к выходу на III квартал 2020 года. Это будет многоядерный процессор с собственной памятью, с системой коррекции ошибок LDPC второго поколения и шифрованием AES. Производительность пока не называется, однако с 8 каналами NAND, интерфейсной скоростью 1200 МТ/с и шиной PCIe 4.0 x4, она должна быть не малой.

Также Realtek готовит и более доступный контроллер модели RTS5765DL. Он будет немного медленнее, не будет содержать ОЗУ, получит лишь 4 канала NAND и будет использовать шину PCIe 3.0 x4. Эта модель появится уже к концу текущего года. Тем не менее, его интерфейсная скорость составит 1200 МТ/с, и он также будет поддерживать LDPC, а процессор будет многоядерным.

В своём анонсе компания сообщила, что выпустила «самое быстрое PCIe 4.0 NVMe SSD решение». Учитывая, что промышленных SSD для шины PCIe 4.0 на рынке пока нет, такое утверждение вполне справедливо.

Накопители CM6 имеют объём от 800 ГБ до 30 ТБ и доступны в 2,5” формате с подключением U.2.

Что касается программного интерфейса, то накопитель должен поддерживать NVMe 1.4, новую версию протокола. Когда центры обработки данных смогут заказать SSD CM6, пока не сообщается.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI-Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.

Контроллер SM2264 имеет 8 каналов связи для флэш-интерфейса. Он поддерживает до 16 ТБ памяти и позволяет развивать скорость при последовательном чтении в 6,5 ГБ/с и до 3,9 ГБ/с при записи. Случайные операции чип может выполнять на скорости до 700K IOPS. Он рассчитан на работу с современной 9х-слойной памятью 3D NAND типа TLC и QLC.

Кроме топового, компания Silicon Motion также представила контроллер среднего уровня SM2267. Он также предназначен для шины PCIe 4.0 x4 и поддерживает протокол NVMe 1.3. В отличие от старшей модели в нём имеется 4 канала флэш-интерфейса, а максимальный объём памяти составляет 8 ТБ. При последовательных операциях скорости чтения и записи составляют 4 и 3 гигабайта в секунду соответственно, а при случайных достигают 400K IOPS.

Потребительских решений на базе новых микроконтроллеров стоит ожидать лишь в следующем году.

Конечно, таким объёмом сейчас никого не удивить, однако эти SSD стали первым этапом внедрения памяти V-NAND 6-го поколения, которая обеспечивает задержки на уровне 450 мкс при записи и 45 мкс при чтении, что на 10% меньше. Вместе с ростом производительности новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 15%.

Благодаря применению 136-слойной памяти компания смогла добиться 40% прироста числа ячеек в каждом чипе, по сравнению с прошлой 96-слойной технологией, при сохранении физического размера микросхемы. Также новая память требует создания меньшего числа каналов в чипе. Их количество снижается с 930 миллионов до 670 миллионов, что экономит место и снижает сложность производства, а это, в свою очередь, положительно скажется на ценах.

В скором будущем компания планирует выпустить SSD на базе 6-го поколения памяти TLC V-NAND объёмом 512 ГБ.

Теплоотвод от накопителя реализован алюминиевым радиатором. Что касается конструкции, то в основе накопителя лежит до 2 ТБ 3D NAND памяти, имеется SLC-кэш и DRAM-буфер. Также поддерживается полное E2E-шифрование данных и имеется поддержка RAID Engine.

Если говорить о скоростях, то S50 в последовательном режиме они достигают 5000/4400 МБ/с при чтении и записи соответственно. Случайные операции выполняются на скоростях до 750K IOPS.

Долговечность накопителя производитель не указал, зато дал гарантию на SSD в целых 5 лет. К сожалению, ни стоимость, ни дата начала продаж пока не называются.

Представленная модель SSD S5E обеспечивает полное шифрование и специальные средства безопасности, вроде быстрой очистки, SMART's Security Data Elimination Technology (SDET), отвечающей современным стандартам, а также содержит кнопку очистки. Всё это делает накопитель S5E лучшим решением для систем жизнеобеспечения, телеметрии и обороны, где надёжность хранения и быстрое удаление являются важнейшими функциями в критических ситуациях.

Кроме двух внешних переключателей, накопитель обеспечивает автоматическое 256-битное AES-XTS шифрование. Надёжность удаления данных превосходит современные военные стандарты к очистке накопителей.

Что касается технических характеристик, то накопитель S5E построен на одноячеестой памяти (SLC) и предлагается в объёме до 480 ГБ. Надёжность устройства весьма высока и составляет 40 000 циклов полной перезаписи. Имеется и защита от внешних неблагоприятных факторов: температуры, влажности, высоты, ударов и вибрации.

О цене на SSD S5E пока ничего не сообщается.

Накопитель T-FORCE Cardea Liquid изготовлен в формате M.2 и использует шину PCIe 3-го поколения. Как нетрудно догадаться, он создан для геймеров и работы в высокопроизводительных компьютерах. Его система охлаждения со скользящей направляющей и прозрачным верхом стала отличной комбинацией находчивости и стиля.

Для охлаждения используется эффект самоциркуляции, который, согласно проведённым тестам, позволяет снизить температуру до 10 градусов.

Накопитель доступен в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Скорость последовательного чтения и записи достигает 3400 МБ/с и 3000 МБ/с соответственно в старшей модели. Случайный доступ также самый быстрый в терабайтном SSD. Скорости чтения и записи блоками по 4K составляют 450k и 400k операций ввода-вывода в секунду.

К сожалению, ни о цене, ни о старте продаж информации не поступало.

Архитектура NVMe 1.4 обеспечивает быструю и более простую в масштабировании технологию. Архитектура NVMe-oF 1.1 улучшит волоконную коммуникацию и, по сути, обеспечит промышленную реализацию NVMe/TCP.

Основные возможности NVMe 1.4:

• Помощник перестройки упрощает восстановление данных и их миграцию.
• Постоянный журнал событий обеспечивает надёжную историю сбоев и отладок в работе накопителя.
• NVM Sets и IO Determinism улучшают производительность, изоляцию и QoS.
• Многопоточность или Asymmetric Namespace Access (ANA) обеспечивает оптимальные и избыточные пути к именному пространству для высокой доступности и многоконтроллерной масштабируемости.
• Буфер хост-памяти обеспечивает снижение задержек и сложности SSD.

Что касается NVMe-oF 1.1, то эта спецификация предлагает:

• Поддержку транспортом TCP протокола NVMe-oF в нынешней TCP/IP инфраструктуре ЦОД.
• Асинхронное открытие событий информирования хостов о дополнении или исключении целевых точек в независимом от волокна стиле.
• Отключение очереди ввода-вывода обеспечивает лучшее управление ресурсами ввода-вывод.
• Контроль потока от края до края (от команды до ответа) повышает параллельность.

NVM Express, Inc. должна детально представить спецификации NVMe 1.4 и NVMe-oF 1.1 в ходе конференции Flash Memory Summit в начале августа.

Накопитель собран на печатной плате белого цвета и имеет пассивное охлаждение с помощью алюминиевого радиатора и медной тепловой трубки. Он выполнен в формате M.2 2280 с интерфейсом PCIe 4.0 x4, который поддерживается только новыми материнскими платами на базе чипсета X570.

Под радиатором расположился высокопроизводительный контролер Phison PS5016-E16 и 96-слойная память Toshiba BiCS4 3D TLC. Предлагаемый объём памяти составляет 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Самое быстрое последовательное чтение, 5000 МБ/с, демонстрирует модель объёмом 500 ГБ, а запись, 4400 МБ/с, самая быстрая в моделях ёмкостью 1 ТБ и 2 ТБ. Скорость случайного чтения достигает 750 000 операций ввода-вывода, а записи — 700 000 IOPS.

К сожалению, компания ничего не сообщила о гарантии, цене и надёжности нового накопителя. Но учитывая июльский релиз, ждать осталось недолго.