Samsung объявляет об освоении технологии производства интегральных схем X-Cube 3D
Компания Samsung Electonics объявила о внедрении трёхмерной технологии производства интегральных схем, которая получила название eXtended-Cube (X-Cube). Теперь она доступна для заказчиков.
Компания уверяет, что она сумела создать «первую в индустрии работоспособную 3D-SRAM-логику по 7 нм технологии и более новой». Для построения такой микросхемы применяются сквозные межслойные связи Through-Silicon Via (TSV), которые обеспечивают надёжное соединение даже в случае применения процесса EUV. Однако, что боле важно, технология X-Cube обеспечивает «значительный прорыв в скорости и энергоэффективности».
При построении тестового чипа инженеры Samsung изготовили логическое ядро с расположенным поверх пакетом SRAM. Соединение осуществлялось посредством TSV, технологии, ранее зарекомендовавшей себя в микросхемах памяти, позволяющей сократить дистанцию прохождения сигнала и уменьшающую размеры интегральной схемы.
По словам Samsung, X-Cube доступен для партнёров по технологиям производства 7 нм и 5 нм. В компании надеются, что представленная технология сможет привлечь больше контрактных заказчиков.