Новости про Samsung

Детали по-прежнему скудны, однако известно, что в новом чипе Samsung хочет объединить CPU Exynos и собственный GPU. Главная цель данного проекта — сохранить конкурентоспособность на рынке систем с гетерогенной архитектурой. Таким образом, данная разработка даст преимущество компании на долгие годы. В оригинале южнокорейский гигант хотел представить GPU намного раньше, но планы пришлось перенести на долгий срок вперёд.

Графический процессор Samsung появится только через 2—3 года, что в вычислительной технике является большим сроком. Известно, что Exynos 7420 будет использовать графику Mali-T760 MP8, а в 2016 году фирма будет применять графику Mali-T860.

В то же время конкуренты не спят. Компания Apple использует графику PowerVR, у Qualcomm есть собственный GPU Adreno, прекрасно себя демонстрирующий в мобильной среде, а MediaTek хоть и использует GPU Mali, однако новейшая модель T860 уже интегрируется в новую мейнстрим SoC Helio P10.

Бенчмарк был опубликован одним из пользователей Weibo, который представил результаты тестирования последних нескольких недель различных мобильных систем. Оказалось, что процессор Exynos 8890 набрал 2304 балла в однопоточном тесте GeekBench, а в многопоточном тесте этот процессор показал впечатляющие 8038 очков.

Несмотря на то, что однопоточные результаты новой SoC Samsung несколько ниже, чем у Apple A9 в iPhone 6s, многопоточный тест почти вдвое превышает процессор из Купертино и Exynos 7420, лежащий в основе Galaxy S6 и Galaxy Note 5. Что касается ещё одного конкурента, Snapdragon 820, то его результаты в GeekBench и рядом не стояли с новым процессоров Samsung. В однопоточном тесте Snapdragon 820 достигает лишь 719 баллов, в то время как в многопоточном составляет 1942 очка.

Таким образом, всё указывает на то, что южнокорейская компания в этом году станет лидером отрасли мобильных систем-на-чипе.

В августе в ходе саммита по вопросам флэш-памяти, компания Samsung анонсировала третье поколение своей памяти V-NAND. Новая память позволяет увеличить число слоёв с нынешних 32 до 48. Использовать же третье поколение памяти 3d V-NAND компания планирует с самого начала 2016 года, и первыми продуктами, в которых она применит новую память, станут SATA III 2,5” SSD 850 PRO и 850 EVO. Именно эти накопители и получат увеличение объёма. Сейчас же максимальный объём этих моделей составляет 2 ТБ.

Также увеличение ёмкости коснётся и форм-фактора M.2. При меньших габаритах SSD их объём увеличиться с 512 ГБ до 1 ТБ. Накопители PM863 и SM863 также получат новую NAND.

Также вместе с реализацией новых накопителей будет произведён ребрендинг памяти, которая вместо 3D V-NAND будет называться просто V-NAND.

По сравнению с прошлой версией Gear VR, новый шлем стоит на 100 долларов дешевле и обладает на 22% меньшей массой, что делает его более комфортным для использования. Трекпад, размещённый на дужке шлема, теперь имеет тактильные отметки направления, таким образом можно легко понять, куда вы нажимаете. В прошлой версии шлема трекпад был гладким, и понять, куда именно вы нажимаете, и касаетесь ли вы вообще трекпада, а не корпуса шлема, было затруднительно. В дополнение новый шлем оснащён и новым игровым контроллером Gear VR Gamepad, который имеет дизайн контроллера для Xbox.

Несмотря на всеобщее ожидание выпуска Oculus Rift, необходимость в проводном подключении к мощному компьютеру резко сужает аудитории пользователей виртуальной реальности, однако Gear VR и прочие мобильные шлемы, вроде Google Cardboard, позволяют людям с лёгкостью приобщаться к виртуальной реальности, выводя её на массовый уровень.

Использование протокола NVMe позволяет Samsung 950 PRO обеспечить улучшенную производительность, а также меньшее энергопотребление, помогая увеличить срок автономной работы и снизить операционные затраты.

Накопитель 950 PRO предлагается в объёмах 256 ГБ и 512 ГБ. Версия объёмом 512 ГБ обеспечивает последовательную скорость чтения/записи на уровне до 2500 МБ/с и 1500 МБ/с соответственно. Случайная скорость чтения составит 300 000 IOPS, а записи — 110 000 IOPS. Накопитель поставляется с 256-битным AES шифрованием и технологией Dynamic Thermal Guard которая защищает накопитель и данные в температурном диапазоне от 0 до 70 °C.

На свой накопитель производитель предлагает 5 летнюю гарантию с объёмом перезаписи на уровне 200 ТБ для 256 ГБ модели, и 400 ТБ для 512 ГБ варианта. Оба накопителя поступят в продажу в октябре по цене в 200 и 350 долларов США.

Новое прочное стекло от Samsung должно называться Turtle Glass, по крайней мере именно так оно зарегистрировано в Южной Корее. Пока же неизвестно, когда именно Turtle Glass впервые появится в устройствах, но можно допустить, что Samsung решит представить новую разработку в составе раскладного смартфона Project Valley, который по слухам будет выпущен в январе. Также ходят слухи, что анонс состоится в составе будущего флагмана компании — смартфона Galaxy S7.

До настоящего времени Samsung является фактически эксклюзивным клиентом Corning Gorilla Glass, используя это стекло в большинстве своих смартфонов и планшетов. Кроме того, компания всегда первой получала доступ к новым поколениям защитных стёкол Corning.

Ожидается, что фаза массового производства начнётся в первом квартале 2016 года, однако пилотное производство и тесты надёжности будут завершены до конца этого года. Второй в мире производитель памяти, SK Hynix, уже поставляла первое поколение широкополосной памяти для AMD и NVIDIA, однако во втором поколении к этой гонке решила подключиться и Samsung.

К сожалению, Micron пока не будет поставлять память для видеокарт. Несмотря на то, что её технология HMC (Hybrid Memory Cubes) очень похожа на HBM, компания пока не может обеспечить достаточное качество продукции.

Используя второе поколение HBM вместе с GPU Pascal, компания NVIDIA сможет добиться намного лучшего результата, чем AMD с первым поколением HBM в видеокартах Fury X, Fury, Nano и Fury X2.

Кроме того, NVIDIA получит и более плотные чипы, что без сомнения позволит увеличить объем видеопамяти в картах до 16—32 ГБ при шине 4096 бит. В результате будущие видеоигры без проблем смогут работать в разрешениях 4K или даже 8K. Также память HBM обладает высокой энергоэффективностью. При увеличении скорости передачи данных в 4—8 раз, по сравнению с традиционной DDR, широкополосная память потребляет на 40% меньше энергии.

Сайт BusinessKorea сообщает, что TSMC сохранит свой статус эксклюзивного партнёра NVIDIA при производстве GPU архитектуры Pascal, которые будут иметь размер элементов в 16 нм.

По информации промышленных источников, два дня назад NVIDIA решила позволить TSMC осуществлять массовое производство графических процессоров Pascal, которые запланированы к выпуску на следующий год, используя для этого 16 нм FinFET технологию. Как известно, выбор производителя осуществлялся среди двух компаний, в результате NVIDIA предпочла крупнейшего в мире производителя и своего постоянного партнёра из Тайваня.

TSMC является партнёром NVIDIA уже в течение 20 лет. Источник отмечает, что Samsung выиграл контракт на производство, но не смог бы его выполнить в связи с недостаточно большими объёмами производства. 14 нм технология FinFET от Samsung очень похожа на 16 нм FinFET от TSMC, и NVIDIA, вероятно, решила не разрушать 20-летние партнёрские отношения, поддавшись на предложения из Южной Кореи.

Работа над подготовкой стандарта начинается за много лет до начала его реализации, и сейчас для памяти будущего южнокорейская компания предлагает частоты от 3,2 ГГц до 6,4 ГГц при типичном объёме модуля от 8 ГБ до 32 ГБ. Таким образом, скорости передачи данных в будущих модулях ОЗУ достигнут 6,4 Гб/с на контакт с возможностью дальнейшего роста. В результате пропускная способность памяти достигнет 51,2 ГБ/с.

Говоря о памяти «после DDR4», как она называется на многих слайдах презентации, можно подразумевать память DDR5, однако вполне возможны и радикальные изменения в интерфейсе и архитектуре памяти.

Новая память будет предназначаться для серверов, настольных ПК и ноутбуков. По словам Samsung, первый прототип памяти будет готов в 2018 году, с внедрением в 2020. Эта память будет изготовлена по техпроцессу с размером элементов менее 10 нм. Существовать новая память на рынке будет до 2025 года и далее.

Южнокорейский гигант заявил о начале массового производства 12 Гб (1,5 ГБ) модулей памяти DDR4 для мобильных устройств, производимых на собственных 20 нм заводах. Эти новые микросхемы памяти имеют тот же физический размер, что и 6 Гб модули компании, что означает, что устройства могут получить вдвое больше ОЗУ при том же занимаемом на печатной плате пространстве. Либо же будут доступны меньшие по размеру телефоны с 3 ГБ ОЗУ.

Кроме того сообщается, что новые модули на 30% более производительны, чем 8 Гб чипы компании, используемые во многих устройствах с 4 ГБ ОЗУ, что несомненно положительно скажется на общей производительности мобильных устройств. Вообще же Samsung амбициозно заявила, что её новая память вдвое быстрее, чем DDR4 RAM для компьютеров. Также эта память использует на 20% меньше энергии, означая более эффективное использование заряда аккумулятора.

Сейчас компания занимается производством чипов и заполнением складов, а значит, ваш следующий гаджет может иметь больше ОЗУ, чем ваш настольный компьютер.