Новости про Samsung

Samsung выпускает процессоры для майнинга

Компания Samsung стала новым лидером в области интегральных схем, подвинув Intel на второе место. Вместе с новым достижением компания сообщила о выпуске процессоров для майнинга криптовалют, что ещё больше упрочит её положение.

Да, 25-летняя эпоха непоколебимого лидерства Intel завершилась. Отсутствие мобильных решений и слабые инновации в новых CPU привели к появлению нового мирового лидера — Samsung. Разработка и выпуск мобильных процессоров помогли Samsung, и после публикации результатов за 2017 год стало ясно, что в этой отрасли появился новый король.

Samsung Exynos

Однако южнокорейский гигант не собирается сидеть, сложа руки. Теперь компания нацелилась на рынок специализированных микросхем, которые используются для майнинга криптовалют, в первую очередь — Bitcoin. Этот ход позволит компании заработать немного денег до того, как пузырь Bitcoin лопнет.

Отсутствие дополнительной информации привело к спекуляциям о том, что Samsung хочет стать большим игроком в сфере майнинга. Ведь сейчас фирма производит чипы памяти для видеокарт, часто используемых при добыче.

Начав выпуск решений для майнинга компания не только выходит на активный развивающийся рынок, но и получает специализированный продукт, который позволит другим компаниям использовать решения Samsung по прямому назначению, а не перепрофилировать их в фермы для криптовалюты, зарабатывая на новых ASIC ещё больше средств.

Samsung начинает массовое производство 16 Гб чипов GDDR6

Три месяца назад компания Samsung сообщила о завершении подготовительных работ с памятью GDDR6, но только теперь компания опубликовала некоторые детали об этой памяти.

Южнокорейский гигант Samsung сообщил о начале массового производства первой памяти GDDR6 объёмом 16 Гб. Эта память появится в видеокартах уже в этом году.

16 Гб чипы памяти Samsung GDDR6

Память данного типа будет использоваться в игровых видеоплатах, а также системах для автомобилей, сетевого обслуживания и искусственного интеллекта. Эти микросхемы изготавливаются по 10 нм технологии и имеют ёмкость 16 Гб, что вдвое выше 8 Гб чипов Samsung памяти GDDR5.

По данным разработчика новая память работает на скорости 18 Гб/с на контакт, обеспечивая передачу данных до 72 ГБ/с. Это гигантский прорыв для Samsung, особенно учитывая, что изменений в энергопотреблении не произошло. Благодаря новой принципиальной схеме, микросхемы GDDR6 работают при напряжении 1,35 В, что на 35% ниже чем GDDR5, которая обычно работает на напряжении 1,55 В.

Samsung представила SSD 860 Pro объёмом 4 ТБ

Компания Samsung на своём официальном сайте представила твердотельные накопители модели 860 PRO, максимальный объём которых составляет 4 ТБ.

Твердотельный накопитель 860 PRO объёмом 4 ТБ с интерфейсом SATA3 и шириной 2,5” предлагает скорость чтения и записи на уровне 560 МБ/с и 530 МБ/с при последовательном доступе. К сожалению, это пока единственная доступная о его производительности информация.

SSD Samsung 860 Pro

Стоит отметить, что 4 ТБ — это внушительный объём. Анонс таких продуктов означает, что Samsung готова массово производить MLC чипы NAND в 64-слойном вертикальном стеке. Что касается модельного ряда, то можно допустить, что будут представлены модели ёмкостью 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. В прайсе значится модель ёмкостью 4 ТБ по цене 1900 долларов США, то есть по 47 центов за гигабайт.

Samsung начинает производство памяти HBM2 нового поколения

Компания Samsung объявила о начале производства второго поколения 8 ГБ памяти типа High Bandwidth Memory-2, предлагая самую высокую пропускную способность из доступных на рынке.

Новые чипы получили название Aquabolt, и целью их применения являются суперкомпьютеры нового поколения, решения искусственного интеллекта и графические системы.

Память Aquabolt работает на скорости 2,4 Гб/с на контакт при напряжении 1,2 В, что на 50% больше, чем у первого поколения памяти HBM2, которое обеспечивало при том же напряжении пропускную способность 1,6 Гб/с.

Samsung HBM2 Aquabolt

Один пакет Aquabolt предлагает скорость в 307 Гб/с, что в 9,6 раза выше, чем 8 ГБ чип GDDR5, который обеспечивает скорость в 32 Гб/с. По словам компании, применив четыре Aquabolt можно обеспечить пропускную способность равную 1,2 Тб/с.

В Samsung обещают обеспечить стабильные поставки памяти Aquabolt всем IT клиентам по всему миру.

Qualcomm Snapdragon 855 будет изготовлен TSMC по 7 нм нормам

Всего пара недель прошла с момента анонса Snapdragon 845, как уже появились слухи о его последователе. Нынешний, 845-й чип, изготавливается по 10 нм нормам FinFET компанией Samsung. Его последователь будет изготовлен по 7 нм нормам.

Если Snapdragon 835 и Snapdragon 845 изготавливались на заводах Samsung, то по информации Nikkei, Qualcomm решил перейти к производителю TSMC. Также TSMC будет изготавливать для Qualcomm модемы для смартфонов и лёгких устройств-конвертеров.

Qualcomm Snapdragon

Переход от Samsung к TSMC — это большой шаг для Qualcomm и всей индустрии, ведь большинство флагманских Android-смартфонов основаны именно на платформе Qualcomm. Также в ближайшее время начнут появляться ноутбуки на базе этих платформ.

Кроме новости о Qualcomm, Nikkei также сообщила о том, что TSMC также изготовит наследника для Apple A11, который используется в iPhone 8, iPhone 8 Plus и iPhone X. Сейчас Apple A11 Bionic изготавливается TSMC на 10 нм мощностях.

Samsung выпустила самую маленькую микросхему DRAM

Компания Samsung Electronics выпустила новые микросхемы оперативной памяти, которые по её уверению являются самыми маленькими в мире.

Микросхемы DRAM DDR4 от Samsung, выпущены по второму поколению технологии 10 нм класса, они имеют объём 8 Гб. Они обеспечивают 30% прирост в производительности по сравнению с первым поколением 10 нм класса производства. Энергоэффективность новых микросхем была увеличена на 15%, а 10% прирост производительности обусловлен новыми проприетарными технологиями производства. Среди инноваций компания отметила высокочувствительную систему данных ячеек и прогрессивную схему воздушного зазора.

Микросхемы Samsung DDR4 10нм-класса второго поколения

Новые 8 Гб микросхемы DDR4 могут работать на скорости 3600 Мб/с на контакт, в то время как 8 Гб чипы первого поколения обеспечивают скорость в 3200 Мб/с на контакт.

Компания Samsung уже завершила валидацию памяти второго поколения 10 нм класса у производителей CPU. Следующим шагом компании станет тесное сотрудничество с заказчиками в разработке более эффективных вычислительных систем следующего поколения.

Samsung разрабатывает графеновую батарею

Все мы не удовлетворены временем зарядки своих мобильных устройств. На рынке постепенно появляются новые технологии, которые позволят её ускорить, но пока до кардинальных изменений далеко. Теперь за дело взялась Samsung, которая работает над графеновым аккумулятором. Новая разработка должна не только повысить ёмкость батареи, но и ускорить зарядку в 5 раз.

Об этой разработке институт современных технологий Samsung сообщил. Графен долгое время считается многообещающим материалом во многих отраслях, включая хранение энергии. Исследовательское подразделение Samsung Electronics сообщило об успешном синтезировании «графеновых шариков», которые можно использовать в создании литий-ионных батарей большей ёмкости и с боле быстрой зарядкой.

Графеновый аккумулятор

По данным Samsung, данная технология сможет предложить батарею смартфона, способную полностью зарядиться за 12 минут. Ёмкость также должна вырасти на 45%. По данным разработчика, батарея остаётся стабильной до температуры 60°, а потому может быть использованы в электрокарах.

Конструкция графенового аккумулятора

Когда же компания начнёт производство аккумуляторов, пока не сообщается.

Samsung начинает производство 512 ГБ чипов eUFS

Почти два года назад Samsung приступила к выпуску 256 ГБ чипов Universal Flash Storage (UFS) 2.0 со скоростями чтения и записи 850 МБ/с и 260 МБ/с соответственно. Однако теперь фирма готовит 512 ГБ накопители с интерфейсом UFS.

Компания сообщила, что выпускает эти накопители для «использования в мобильных устройствах следующего поколения». Вероятно, речь идёт о пока не анонсированных смартфонах Galaxy S9. В пресс-релизе Samsung ничего не говорится об использованной версии интерфейса, но сказано, что накопители достигнут скорости «последовательного чтения и записи равной 860 мегабайт в секунду и 255 МБ/с соответственно», что весьма близко к нынешним показателям UFS 2.0.

Samsung eUFS

Учитывая наличие 512 ГБ памяти в телефоне, людям вряд ли понадобится дополнительный накопитель в виде карты microSD. С другой стороны, встроенные полтерабайта очевидно поднимут стоимость конечного устройства, ведь даже нынешние Galaxy Note8 с 256 МБ встроенной памяти стоят 1000 долларов.

Samsung представила первый дисплей MicroLED

В 2015 году главным изменением на рынке крупноформатных дисплеев была технологи OLED, в 2016—2017 — технология квантовых точек (QLED). Следующий же год станет эпохой дисплеев MicroLED.

Её первая реализация, гигантский 150-дюймовый телевизор, будет представлен на выставке CES в павильоне Samsung. В технологии MicroLED используются твердотельные светодиоды, собранные на кремниевой подложке. Каждый из этих светодиодов имеет размер менее 100 мкм, и каждый из них работает как отдельный субпиксель.

Экран MicroLED

При дальнейшем развитии эта технология позволит достигать больших пиксельных плотностей, а также не будет страдать от выгорания при статичных изображениях, что часто является проблемой OLED экранов. Экран с диагональю 150”, который на CES представит Samsung, будет обладать разрешением 4K.

Следующее поколение экранов MicroLED в Samsung планируют уже применять на смартфонах. Главный конкурент компании на этом рынке, Apple, уже ведёт совместную разработку с TSMC по созданию собственных панелей MicroLED.

Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Samsung Z-SSD

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

Спецификации SSD Samsung SZ985

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.