Новости про Samsung и сервер

Samsung выпускает 8 ТБ NVMe SSD формата NF1

Компания Samsung анонсировала выпуск новых твердотельных накопителей NVMe формата Next-generation Small Form Factor (NGSFF), которые стали самыми ёмкими в промышленности. Их объём равен 8 ТБ.

Новые 8 ТБ NVMe NF1 SSD были оптимизированы для приложений с высокой интенсивностью обмена данными и промышленных серверов. Накопители построены на 16 NAND пакетах объёмом 512 ГБ от Samsung. Каждый из них представлен стеком из 16 слоёв объёмом по 256 Гб 3-х битной памяти V-NAND. В результате объём накопителя составляет 8 ТБ при габаритах 11х3,05 см. Это вдвое больший объём, чем предлагают обычные M.2 SSD размером 11х2,2 см, созданные для сверхтонких ноутбуков.

SSD накопитель Samsung объёмом 8 ТБ формата NF1
SSD накопитель Samsung объёмом 8 ТБ формата NF1

Новый формат должен быстро заменить 2,5” накопители благодаря втрое большей плотности, позволяя использовать беспрецедентные 576 ТБ в последних серверах 2U.

Кроме новой памяти накопители также получили и новый высокопроизводительный контроллер с поддержкой протокола NVMe 1.3 и интерфейса PCIe 4.0. Всё вместе это обеспечивает скорость последовательного чтения на уровне 3100 МБ/с и запись со скоростью 2000 МБ/с, что впятеро быстрее типичного SATA SSD. Скорости случайного чтения и записи могут достигать 500K и 50K операций в секунду соответственно.

Для гарантирования длительной сохранности данных накопитель был создан с уровнем надёжности в 1,3 перезаписи в день за свой гарантийный трёхлетний период.

Samsung изготовила 8 Гб микросхемы DDR4

Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

32 ГБ модуль памяти DDR4 от Samsung

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

Samsung начала промышленное производство 20 нм памяти DDR4

Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Модуль памяти Samsung DDR4

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Samsung готовит SSD со скоростью 3000 МБ/с

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в производстве памяти, анонсировала разработку первого в промышленности 2,5” твердотельного накопителя с интерфейсом PCIe.

Этот накопитель предназначен для корпоративного хай-энд рынка. Недавно разработанный NVMe SSD объёмом 1,6 ТБ обеспечивает умопомрачительную скорость последовательного чтения данных — 3000 МБ/с. Это означает, что с этого диска можно будет прочитать целый терабайт данных менее чем за 6 минут. Если сравнивать разработанный накопитель с традиционными серверными хранилищами на жёстких дисках, то он окажется в 14 раз быстрее и в 6 раз быстрее предыдущего поколения корпоративных SSD накопителей от Samsung.

PCI-E SSD Samsung XS1715

Скорость случайного чтения достигла 740 000 операций вывода в секунду, что более чем в 10 раз быстрее SSD прошлого поколения. Диск получил название модели XS1715 и он доступен в вариантах с ёмкостью 400 ГБ, 800 ГБ и 1,6 ТБ.

И хотя уже сейчас накопитель позволяет резко увеличить производительность по сравнению с жёсткими дисками и 2,5” SSD, компания планирует продолжать разработку и выпуск NVMe SSD и впредь повышая производительность систем хранения данных.