Новости про Samsung и производство

TSMC ускоряет разработку 10 нм процесса

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) планирует ускорить разработку 10 нм техпроцесса, чтобы более плотно конкурировать с Samsung Electronics, которая, как сообщается, взялась за изготовление 14 нм FinFET чипов для Qualcomm.

Компании TSMC и Samsung сейчас между собой тесно конкурируют, стремясь наладить FinFET процесс. Однако корейская компания использует его в микросхемах с 14 нм узлами, а TSMC — с 16 нм. Процессоры по обеим, 14 нм и 16 нм технологиям, должны поступить в продажу в самом начале 2015 года.

TSMC

Тайваньская компания была пионером в области FinFET технологии и изначально планировала массово выпускать 16 нм микросхемы в конце 2014 года. Однако компании пришлось изменить свои планы, и выпустить вместо FinFET процесса усовершенствованный 16 нм процесс FinFET Plus, который будет потреблять меньше энергии и позволит ещё сильнее уменьшить размер ядра процессора.

Однако при этом Samsung, разрабатывающая 14 нм производство, действовала быстрее конкурента, заставив TSMC ускорить разработку своей 10 нм технологии, чтобы сохранить своё лидерство в этом бизнесе.

Samsung выпускает 32-слойную NAND память

Вертикальная NAND Flash технология является основным направлением деятельности компании Samsung при выпуске твердотельных накопителей, так что в постоянной её модернизации нет ничего удивительного.

Так, компания Samsung выпустила новый чип флэш-памяти, состоящий из 32-уровневого стека, что является заметным улучшением, по сравнению с нынешними 24-слойными чипами. Новый чип «второго поколения», как его назвала компания, будет использоваться в SSD, которые будут потреблять на 20% меньше электроэнергии, по сравнению с плоской технологией.

Чип Samsung 3D V-NAND второго поколения

Сами SSD, в которых будет применена новая память, будут иметь объёмы в 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Это будут высокопроизводительные модели премиум класса, предназначенные для геймеров, промышленности и владельцев рабочих станций. Примечательно, что чипы со стеком увеличенного объёма будут производиться на том же технологическом оборудовании, а значит, их себестоимость производства никак не изменится.

Будем надеяться, что всё это выльется в общее снижение цены. Конечно, SSD дороги сами по себе, но всё-таки было бы приятно увидеть некоторое общее снижение цены на твердотельные накопители. С другой же стороны, раньше память 3D V-NAND использовалась только в промышленных SSD, а значит Samsung может сосредоточиться на качестве и ёмкости продукции, а не на цене.

Qualcomm не хочет производить чипы у TSMC

Крупный игрок ARM рынка, компания Qualcomm объявила о своих планах переноса заказов на производство микросхем по 20 нм процессу от Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Новым исполнителем работ должны стать Samsung Electronics или Globalfoundries, сообщают промышленные источники.

Компания Qualcomm пошла на этот шаг после того, как TSMC во втором квартале начала производство процессоров A8 для Apple по улучшенной 20 нм технологии. Это заняло большие технологические ресурсы компании и нарушило планы Qualcomm, которая сейчас является крупнейшим заказчиком у TSMC, поясняет источник.

Qualcomm

В связи с этим Qualcomm начала поиск других производственных предприятий, которые бы смогли выпускать чипы с размером элементов в 20 нм, при этом главным направлением производства для компании являются 4G модемы.

По мере дальнейшего усовершенствования разработки компанией Apple, от процессоров приложений до, вероятно, собственных сотовых модемов и Wi-Fi чипов, она может стать серьёзным конкурентом для Qualcomm в этой сфере, также вытеснив последнюю и с производственных мощностей TSMC.

Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Samsung DDR3

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

Samsung и TSMC будут совместно изготавливать чипы для Apple

Компания Samsung Electronics подписала контракт на производство следующего поколения процессоров для смартфонов Apple, которые будут готовы в 2015 году. Эти чипы будут построены на 14 и 16 нм FinFET техпроцессах. Такую информацию распространили поставщики оборудования для гаджетов Apple.

При этом стоит отметить, источники информации ничего не сообщали о деталях будущих контрактных отношений.

Apple TSMC

В настоящее время известно, что компания Samsung будет использовать 14 нм FinFET процесс для производства доли чипов Apple iPhone серии A в 2015 году. В помощь ей придёт TSMC со своей 16 нм FinFET технологией, отмечают источники. При этом основную часть, 60—70% производства, для Apple будет расположено в TSMC, ну а оставшейся долей производства, в 30—40%, займётся южнокорейская компания.

Правда, источники не исключают и возможности того, что оба производителя поделят заказы поровну.

Процессоры Apple будет производить GloFo?

Из США пришли довольно занимательные слухи. Издание Albany Times Union сообщает о том, что компания Apple может начать производство следующего чипа серии A на заводе Globalfoundries Fab 8 на Мальте.

Надо отметить, что Albany Times Union это не совсем техническое издание, однако оно имеет отличных информаторов и в прошлом им часто выпускались сообщения, связанные с GloFo.

Завод GloFo Fab 8

Итак, согласно отчёту, небольшая команда инженеров Samsung посетила Fab 8, чтобы поделиться опытом с местными производственниками. Этот ход на практике может означать стремление Apple найти себе ещё одного производственного партнёра, который наряду с TSMC будет производить SoC для фирмы из Купертино.

По этому плану Samsung сыграет некоторую роль на Fab 8, а также использует новый центр разработки Globalfoundries Technology Development Centre, который сейчас только строится. Также ожидается некоторое партнёрство между обоими производителями чипов.

Тем не менее, пока ещё не ясно, станет ли Apple прямым клиентом GloFo, или же Samsung просто передаст часть своего производства, связанного с Apple, этой компании, но в любом случае, происходящее весьма интересно.

Цены на NAND память снизятся

В четвёртом квартале 2013 года цены на память NAND снизятся, несмотря на имеющийся спад общемировых поставок.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Чипы NAND памяти Samsung

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

TSMC произведёт большую часть A8 для Apple

Издание Korea Economic Daily сообщает, что Taiwan Semiconductor Manufacturing Company займётся производством львиной доли систем-на-чипе A8 для компании Apple, при этом доля производства Samsung составит от 20 до 30%.

В настоящее время Samsung является единственным поставщиком чипов для iPad и iPhone. Также чип её производства, 64-битный A7, стоит внутри нового смартфона компании iPhone 5S.

Офис Apple в Тайбее

В июне Wall Street Journal сообщал, что Apple подписала контракт с TSMC на производство SoC, предположив, что TSMC станет единственным производителем вычислительных микросхем для Apple.

Напомним, что Samsung был важным звеном в производственной цепочке iPhone с момента его выпуска в 2007 году. Но после того как компании завалили друг друга судебными исками, Apple решила сменить производителя чипов, чтобы держаться от конкурента как можно дальше.

Samsung начала промышленное производство 20 нм памяти DDR4

Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Модуль памяти Samsung DDR4

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Samsung начал выпуск первой 3D вертикальной NAND памяти

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство усовершенствованной версии NAND флэш-памяти, известной как 3D Vertical NAND (V-NAND), которая должна помочь обойти ограничения масштабирования, установленные традиционной NAND памятью.

Южнокорейский гигант исправил свою архитектуру Charge Trap Flash для использования слоёв в трёх измерениях, которые могут быть собраны друг над другом для создания больших по плотности хранилищ.

Чип V-NAND от Samsung

С V-NAND, компания Samsung, как она утверждает, не только достигла от двух до десяти кратного повышения надёжности, по сравнению с традиционной NAND, но и два раза увеличила скорость записи по сравнению с NAND памятью 10 нм класса с плавающими транзисторами. Первые версии чипов, изготовленных по этой технологии, будут иметь объём 16 ГБ, а с учётом возможности Samsung собирать по 24 слоя, общий объём одной микросхемы составит 128 ГБ.

И хотя данное достижение впечатляет, оно ничто, по сравнению с недавним анонсом компании Crossbar, представившую резистивную память (RRAM), которая позволяет хранить до 1 ТБ данных на чипе размером с почтовую марку. При этом такие микросхемы заметно быстрее, более энергоэффективны и, теоретически, более надёжны, чем V–NAND от Samsung.  Правда, V-NAND даже после 10 лет разработки по-прежнему не готова к массовому производству. В то же время, 3D микросхемы Samsung уже находятся в массовом производстве, а значит, мы увидим продукцию с этой памятью на полках магазинов уже в ближайшее время.