Новости про Samsung и производство

Samsung переименует 3 нм техпроцесс в 2 нм

На фоне растущей конкуренции в производстве самых передовых чипов компания Samsung Foundry решила провести ребрендинг.

Теперь компания решила, что второе поколение 3 нм производственного процесса, который сейчас называется SF3, будет переименован в 2 нм SF2. Данный ребрендинг позволит южнокорейскому гиганту упростить номенклатуру своих техпроцессов и лучше конкурировать с заводами Intel, по крайней мере, визуально.

Технологический прогресс Samsung

В то же время Intel уже в этом году запустит процесс 20A, технологию 2 нм класса. При этом Samsung уже уведомила заказчиков об изменениях наименования с SF3 на SF2. Компания уже пошла настолько далеко, что начала переподписывать договоры с заказчиками, которые ждут продукцию по нормам SF3.

Южнокорейская компания планирует запустить переименованный процесс SF2 во второй половине 2024 года. Технология будет использовать транзисторы с окружающим затвором GAA, которые Samsung называет Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistors (MBCFET), и не предлагает подвод энергии с обратной стороны, что является важным преимуществом у Intel 20A.

Samsung выпускает первые в мире 32 Гб чипы DDR5-DRAM

Компания Samsung представила новое важное достижение — первые в мире чипы DDR5-DRAM объёмом 32 Гб, изготовленные по 12 нм классу. Ранее по 12 нм классу Samsung представляла чипы DDR5-DRAM объёмом 16 Гб и было это в мае 2023 года.

Компания отметила, что, в отличие от 16 Гб модулей, для производства которых использовалась технология Through Silicon Via (TSV), микросхемы объёмом 32 Гб не нуждается в ней. Тем не менее, энергопотребление у новых модулей на 10% меньше, чем у прошлого поколения. В результате эта память является хорошим решением для систем с высоким энергопотреблением, вроде промышленных центров обработки данных.

Samsung DDR5-DRAM

Новые микросхемы памяти DDR5 объёмом 32 Гб запланированы к массовому производству на конец этого года.

Samsung догоняет TSMC

По сообщениям обозревателей новый технологический процесс производства микросхем с размером элементов 3 нм от Samsung готов к тому, чтобы отбивать клиентов у TSMC.

За последние годы Samsung Foundry потеряла ряд клиентов из-за высокого процента производственного брака и проблем с теплоотводом.

И вот теперь инвестиционная фирма Hi Investment & Securities опубликовала отчёт, согласно которому выход годной продукции по 4 нм процессу Samsung Foundry превысил уровень 75%. У TSMC этот уровень составляет 80%. В то же время при производстве по 3 нм нормам у корейской компании дела идут лучше. Так, выход годной продукции у Samsung составляет 60%, в то время как у TSMC — 55%. Это значит, что Samsung добилась лучших результатов и большей эффективности производства, что может позволить ей вернуть клиентов, потерянных на этапах лидерства 4 нм и 5 нм технологий.

NVIDIA и Qualcomm сообщают, что рассматривают вариант возвращения к Samsung на второе поколение 3 нм процесса (SF3), в основном из-за того, что производственные мощности TSMC выкуплены Apple. Кроме того, чипы TSMC, которые будут производиться на заводах в Японии и США, будут на 15—30% дороже тайваньских, что также подталкивает заказчиков к смене подрядчика.

Samsung начинает производство по 3 нм технологии

Компания Samsung Electronics анонсировала начало первичного производства микросхем по 3 нм технологии.

Для производства используется архитектура транзисторов GAA (Gate-All-Around — окружающий затвор). Мультимостовые каналы FET (MBCFET) и технология GAA объединены Samsung впервые в мире, обойдя ограничения FinFET. При этом удалось поднять энергоэффективность за счёт снижения напряжения поддержки, а также увеличить производительность, подняв силу тока.

Инженеры Samsung демонстрируют новые 3 нм блины

Южнокорейский гигант начал первое применение нанолистовых транзисторов в составе высокопроизводительных полупроводниковых чипов.

Развитие технологии производства микросхем

Если говорить в цифрах, то изменения при переходе от 5 нм к 3 нм станут весьма значительными. Так, энергопотребление будет снижено на 45%, а производительность вырастет на 23%. Площадь микросхемы при этом будет снижена на 16%. При переходе на второе поколение 3 нм процесса энергопотребление будет снижено на 50%, производительность вырастет на 30%, а площадь будет снижена на 35%.

NVIDIA забронировала 5 нм производство у TSMC для Ada Lovelace

Азиатский технологический сайт MyDrivers сообщает, что NVIDIA заключила соглашение с TSMC на использование 5 нм мощностей для производства графических процессоров будущего поколения.

Таким образом «зелёные» забронировали 5 нм производство для выпуска GPU серии Lovelace, которые будут применяться в видеокартах поколения GeForce RTX 40.

Несмотря на то, что NVIDIA является давним клиентом TSMC, источник отмечает, что фирме не удалось заключить настолько выгодный контракт, как это вышло у Apple, MediaTek и AMD. Сообщается, что NVIDIA пришлось внести за будущие микросхемы гигантскую переплату.

Речь идёт о предоплате в 1,64 миллиарда долларов в III квартале 2021 года, а в I квартале 2022 года будет внесено ещё 1,79 миллиарда. Всего же на производство GPU NVIDIA потратит невероятные 6,9 миллиардов долларов, что больше, чем было выплачено в 2020 году. Важно отметить, что эта сумма касается и Samsung, которая также будет выпускать GPU для NVIDIA, однако большую её часть получит всё-таки TSMC за 5 нм технологию.

IBM и Samsung разработали новые транзисторы с невероятной энергоэффективностью

Корейский гигант Samsung Electronics, наряду с IBM, начал создавать новую конструкцию полупроводников, которая даёт возможность создать архитектуру вертикальных транзисторов.

Её использование означает снижение энергопотребления на 85%, по сравнению с существующей технологией. Обе компании заявили, что новая архитектура позволит создавать полупроводниковые устройства толщиной менее нанометра.

«Вафля» с микросхемами

Нынешняя конструкция интегральных схем предполагает горизонтальное размещение транзисторов. Электрический ток протекает в них от края до края, насквозь. Закон Мура гласит, что число транзисторов, то есть плотность интегральных схем, удваивается каждые два года. Но инженерные идеи уже заканчиваются, и дальнейшее уменьшение размеров оказалось под угрозой.

Новая архитектура транзисторов Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) меняет всё. Используя её, производители смогут размещать транзисторы перпендикулярно к плоскости чипа, что позволит продлить жизнь закону Мура. Также эта архитектура сможет обеспечить удвоение производительности или снижение энергопотребления на 85%, по сравнению с нынешними решениями. Это значит, что ваш смартфон от одной зарядки сможет проработать не один день, а целую неделю.

Qualcomm ожидает сокращение дефицита процессоров уже в 2022 году

В недавнем интервью руководство компании Qualcomm сделало радостное заявление.

По мнению Кристиано Эймона, исполнительного директора Qualcomm, мировой дефицит микросхем уже 2022 году пойдёт на спад, а уже сейчас ситуация начинает улучшаться.

Исполнительный директор Qualcomm Кристиано Эймона

По мнению директора, ситуация с микросхемами в будущем году заметно улучшиться, по сравнению с 2020 годом. Сейчас компания испытывает проблемы с поставками процессоров, что привело к сокращению производства смартфонов. Флагманская SoC нового поколения Qualcomm Snapdragon 8 Gen будет изготавливаться по 4 нм технологии на заводах Samsung. При этом степень выхода годной продукции Samsung Foundry позволит Qualcomm обеспечить спрос в следующем году.

Будем надеется, что предсказания господина Эймона сбудутся. По крайней мере, такие прогнозы куда более оптимистичны тех, что недавно дала IBM, по мнению которой дефицит продлится минимум до 2023 года.

3 нм процесс Samsung будет готов в первой половине 2022 года

В ходе ежегодного форума производителей, компания Samsung рассказала о планах на полупроводниковое производство.

Корейский гигант заявил, что уже в первой половине 2022 года он начнёт производство микросхем по технологии 3 нм, а второе поколение этих чипов появится в 2023. Двумя годами позднее, в 2025, компания будет готова реализовать 2 нм технологию.

Завод Samsung

Новые техпроцессы компании будут использовать технологии GAA и Multi-Bridge-Channel FET. Первая версия 3 нм процесс производства обеспечит 35% сокращение размера, 30% прирост производительности или 50% снижение энергопотребления, по сравнению с 5 нм технологией. Также 3 нм блины логически близки к технологии 4 нм, которая уже выведена Samsung на массовое производство.

В то же время представитель Samsung на конференции сообщил, что компания продолжит инвестировать в технологию FinFET. Несмотря на то, что 14 нм процесс FinFET устарел на несколько лет, компания продолжает его улучшать, добавив поддержку высокого напряжения 3,3 В и встраиваемую твердотельную память MRAM, повышая скорость и плотность записи.

Samsung Foundry увеличивает цену производства микросхем

Южнокорейский производитель микросхем Samsung Foundry объявил об увеличении цены на производство чипов, что несомненно повлияет на огромное количество игроков на компьютерном рынке, включая NVIDIA, которая производит GPU для современных видеокарт именно у южнокорейского гиганта.

Причиной этого роста называется необходимость накопления средств для открытия нового завода в Пхентаке, где будут выпускаться микросхемы по технологиям 5 нм и 4 нм, что необходимо для сохранения конкуренции с TSMC, продукция которой находится в дефиците.

Блин с микросхемами Samsung

Учитывая, что Samsung уже подписала договоры с рядом своих клиентов, повышение цены не должно сказаться на продукции для графических плат и других изделий, уже находящихся в производстве. Однако при необходимости заключения нового контракта, клиент будет вынужден заплатить и новую цену. Будем надеется, что у NVIDIA достаточно долгосрочный договор, и это подорожание её не коснётся.

У Samsung проблемы с наладкой 5 нм процесса

Производство микросхем — сложная задача. Проблемы с переходом на новые технологии не являются редкостью. С ними сталкиваются даже крупнейшие компании, вроде Intel и GloFo, которая так и не вышла из кризиса. Сейчас же в затруднительной ситуации оказалась Samsung.

Согласно информации, опубликованной Business Korea, компания Samsung снова испытывает проблемы с наладкой 5 нм процесса. Ранее сообщалось, что внедрение 5 нм технологии южнокорейским гигантом продвигается медленно, но было неясно, насколько всё плохо и удалось ли компании решить проблемы.

По информации прессы, технология 5 нм от Samsung страдает низким качеством продукции. Выпуск годных микросхем составляет 50%. Это значит, что каждый второй выпущенный чип является бракованным. И это очень плохо.

Микросхемы памяти Samsung

Обычно технология считается готовой для массового производства, когда доля годной продукции достигает 95%. При меньших величинах прибыльность такого производства резко падает. Компания Samsung запускает процесс 5 нм на заводе V1 Line, расположенном в Хвасоне. Для производства используется оборудование с ультрафиолетовой литографией, и несмотря на упорную работу инженеров результаты качества не превышают 50%.

Будем надеяться, что корейские специалисты найдут выход из сложившейся ситуации, это очень важно на фоне продолжающегося кризиса полупроводниковой продукции. Иначе нас ждёт очередное усиление дефицита.