Новости про NAND, Samsung и смартфон

Samsung анонсирует первые в мире чипы LPDDR4X объёмом 24 Гб

Компания Samsung объявила, что смогла создать первый в мире мультичиповый пакет памяти LPDDR4X на основе формата UFS. Этот пакет имеет объём 12 ГБ и уже готов к началу поставок.

Модуль 12 GB uMCP LPDDR4X будет производиться по 1y-нанометровому процессу. В нём комбинируются 4 чипа LPDDR4X объёмом по 24 Гб каждый и NAND накопитель eUFS 3.0. Всё это заключено в едином пакете.

Компания отмечает, что использование данных пакетов позволит предложить 12 ГБ оперативной памяти не только для смартфонов хай-энд класса, но и для телефонов среднего уровня. Этот объём необходим, поскольку производители смартфонов применяют экраны всё большего разрешения, и компаниям просто необходимо увеличение доступной ОЗУ, чтобы обеспечить высокую производительность и многозадачность.

Пакет Samsung 12 GB uMCP LPDDR4X
Пакет Samsung 12 GB uMCP LPDDR4X

Новая технология предлагает полуторное увеличение ёмкости оперативной памяти, по сравнению с прошлым поколением, при сохранении скорости в 4266 Мб/с. Этого достаточно для видео в разрешении 4K и средств искусственного интеллекта.

Модули Samsung 12 GB uMCP LPDDR4X уже находятся в массовом производстве. Их поставки заказчикам начнутся в ближайшее время.

Samsung анонсировал высокоскоростную флэш-карту для смартофонов

Компания Samsung заявила, что они разработали высокоскоростную карту памяти объёмом 64 ГБ, предназначенную для использования в планшетах и смартфонах.

Карта памяти формата e-MMC использует стек чипов памяти объёмом 64 Гб. Применяемые микросхемы представляют собой NAND память «20 нм класса» с интерфейсом DDR2. Микросхемы памяти имеют толщину 1,4 мм и массу 0,6 г.

«Начав в этом году производство 64 ГБ e-MMC решений на основе 64 Гб микросхем, мы ускорили темп внедрения встраиваемых карт памяти премиум класса»,— заявил в своем отчёте вице-президент по маркетингу памяти Samsung Мьюн Хо Ким (Myung Ho Kim).

20 нм карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung

По заявлению компании-производителя, карта памяти способна обеспечить последовательное чтение на скорости до 80 МБ/с и последовательную запись до 40 МБ/с, что примерно в три раза лучше продуктов нынешнего поколения. Производительность ввода-вывода заявлена разработчиками на уровне 400 IOPS.

Первые карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung начали поставлять ещё в январе 2010 года, используя для их производства 30 нм чипы NAND объёмом 32 Гб. Производство 64 ГБ модулей NAND памяти с использованием 20 нм чипов ёмкостью 32 Гб было начато ранее в этом году. О том, когда же компания начнёт поставки представленной вчера памяти, ничего не сообщается.