Новости про Micron

Накопители серии Micron 2450 будут предлагаться в трёх форм-факторах: M.2-2280, M.2-2242 и M.2-2230. Объём этих устройств будет составлять 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Данные SSD предназначены для ежедневного использования, а потому и цена на них будет вполне доступная. Скорости чтения производителем заявлены на уровне 3600 МБ/с, а записи — 3000 МБ/с.

Старшая из представленных моделей, Micron 3400, будет выпускаться исключительно в формате M.2-2280 и будет доступна в объёмах 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Это куда более быстрый накопитель. Скорость его чтения будет составлять 6600 МБ/с, а записи — 5000 МБ/с. Это значит, что он позволит заметно увеличить производительность компьютера при переходе со стандарта PCIe 3.0.

Обе серии накопителей получат рассеиватель тепла для снижения троттлинга и будут построены на собственном контроллере Micron стандарта NVMe 1.4. При этом компания отметила, что из-за имеющегося дефицита чипов она может выпускать эти SSD с контроллерами иных производителей.

Когда можно будет приобрести накопители Micron 2450 и Micron 3400 пока не сообщается.

В своём заявлении компания отметила: «Micron планирует применить знания, полученные от прорывного достижения в инициативе 3D XPoint, а также связанные инженерный опыт и ресурсы в новых типах продуктов памяти, которые нацелены на иерархию накопителей».

Таким образом, Micron бросит все силы на выпуск продуктов на основе CXL с интерфейсом PCIe, что обеспечит гибкую связь между вычислительной частью, памятью и накопителем. Целью CXL является предоставление пользователям большего объёма памяти, которой легче управлять, памяти, не связанной с CPU, как традиционная ОЗУ.

Фирма производила память 3D XPoint на заводе в Юте. Сейчас она ведёт переговоры о продаже предприятия. Единственным производителем памяти 3D XPoint остаётся Intel, которая предлагает её в накопителях Optane.

Сама суть производства микросхем — это тонкий баланс между поставками материалов, почти беспрерывным производством, очисткой, проверкой и тестированием. Производство микросхем может занимать месяцы между началом и выходом годного изделия. Это значит, что любые сбои крайне негативно скажутся на выпускаемой продукции.

По информации DigiTimes на одном из заводов Micron в Тайване произошло отключение электропитания длительностью в 1 час. Это может привести к потерям 10% мировых поставок DRAM, поскольку отключение коснулось всех этапов производства.

Учитывая повышенный интерес к памяти, вызванный пандемией COVID-19, и ростом спроса на продукты, где используется DRAM, игроки рынка теперь ожидают всплеск цен на память, вызванный сбоем на заводе Micron.

Сейчас на рынке памяти наблюдается перепроизводство, как и насколько 10% спад поставок повлияет на цену мы узнаем уже через пару месяцев.

Новая 176-слойная память является эволюционным этапом развития нынешней 96-слойной памяти. В ней применены такие новые технологии, как Charge Trap Flash (CTF) и Periphery Under Cell (PUC). Память названа четырёхмерной, поскольку разработчики разместили структуры управления ячейками под стеком 3D-NAND, что уменьшило размер кристалла и снизило себестоимость производства. С новыми 176-слойными микросхемами SK Hynix достигла «лучшего в индустрии числа чипов на блин».

По сравнению с прошлым поколением, новая память обеспечивает 20% прироста в скорости чтения ячейки и 33% прирост в скорости передачи данных, что означает увеличение скорости с 1,2 Гб/с до 1,6 Гб/с.

Также компания SK Hynix отметила, что готовится к производству чипов объёмом 1 Тб, что позволит создавать накопители неимоверной плотности.

В середине следующего года компания готовится выпустить мобильные продукты, которые обеспечат 70% прирост в максимальной скорости чтения и 35% прирост в скорости записи.

Компания отмечает, что переход на 176-слойную память является радикальным прорывом, который обеспечит резкий рост производительности в широком спектре устройств для ЦОД, искусственного интеллекта и мобильного сегмента.

В компании отметили, что новая память предлагает на 40% больше, чем у ближайших конкурентов, а благодаря архитектуре КМОП-под-массивом, новая технология компании обеспечивает лидерство по стоимости.

По сравнению с прошлым поколением, 176-слойная память NAND от Micron обеспечивает меньшие задержки при чтении и записи более чем на 35%. При этом размер ядра на 30% меньше, чем у лучших конкурентных предложений.

Пятое поколение Micron 3D-NAND обеспечивает скорость передачи данных в 1600 МТ/с по интерфейсу Open NAND Flash Interface, что на 33% лучше, чем раньше. Это означает более быструю загрузку системы и работу приложений. А для автомобильных систем это означает практически мгновенную реакцию, сразу после включения двигателя.

Для упрощения разработки прошивки новая память компании обеспечивает однопоточный программируемый алгоритм, обеспечив более простую интеграцию и процесс выхода на рынок.

Широкополосная память используется в графических ускорителях от AMD с 2015 года. Лидером рынка была SK Hynix, чья память HBM нашла себе место в видеокартах AMD Fiji, а именно, в серии R9. В целом этот тип памяти быстрее и энергоэффективнее GDDR5, использовавшейся в то время, однако заметно дороже.

В 2016 году Samsung анонсировала HBM2, более быструю версию стековой широкополосной памяти. Следом эту память начала производить SK Hynix, а двумя годами позднее HBM2 JEDEC выпустила стандарт на ещё более быструю версию HBM2E.

Что касается Micron, то она стала догонять SK Hynix и Samsung только в 2020 году, начав производство HBM2. Однако уже до конца года компания наладит выпуск HBM2E, доступной в «плотностях 4H/8GB и 8H/16GB» со скоростью передачи до 3,2 Гб/с. Для сравнения, ускоритель NVIDIA A100 имеет память HBM2E со скоростью 2,4 Гб/с.

Для дальнейшего закрепления на рынке Micron готовит память HBMnext, которая будет выпущена в 2022 году. Сейчас «Micron полностью вовлечена в проводящуюся стандартизацию JEDEC», и уверена, что по мере увеличения объёма клиентских данных «продукты, подобные HBM, будут процветать и вести технологии к большим объёмам».

Данный типа памяти предназначен для использования в видеокартах, серверных и прочих процессорах. Это желанный, но относительно дорогой тип памяти, однако после выхода на этот рынок Micron, цена должна подстроится под нового игрока. Сейчас память этого типа уже изготавливают SK-Hynix и Samsung, а Micron добавится в эту группу уже в этом году, сформировав традиционную доминирующую тройку на рынке памяти.

До настоящего времени компания возлагала надежды на собственную разработку, память типа Hybrid Memory Cube (HMC), однако она не увидела большого интереса к ней со стороны заказчиков. Эта память нашла себе лишь несколько применений, например, в процессорах Fujitsu SPARC64 XIfx, применённых в суперкомпьютере Fujitsu PRIMEHPC FX100, представленном в 2015 году.

В 2018 году компания заявила, что приостанавливает работу над HMC и решила приложить все усилия к разработке памяти GDDR6 и HBM. Результатом работы стала готовность начать выпуск памяти HBM2 в 2020 году.

Новая память обеспечивает увеличенную производительность при меньшем энергопотреблении, что делает LPDDR5 идеальным решением для мобильных платформ. Её планируется использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также в некоторых устройствах ИИ и автомобильных системах.

Разработчики обещают, что память LPDDR5 предоставит скорость в 6400 Мб/с, что на 50% быстрее 4266 Мб/с в LPDDR4X. При этом энергопотребление было снижено на 20%.

На фоне массового старта технологии 5G, компания надеется, что её новая быстрая память позволит поднять скорость передаваемых данных, исключив медленную память из списка потенциальных ограничителей.

Микросхемы Micron LPDDR5 будут доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ со скоростями в диапазоне от 5,5 Гб/с до 6,4 Гб/с. К середине 2020 года компания начнёт поставки многочиповых UFS-модулей (uMCP5) для применения в смартфонах среднего и верхнего сегментов.

Рынок памяти в 2019 году составлял 26,7%. Эндрю Норвуд, вице-президент Gartner, отметил, что его годовой спад составил 31,5%. В этой категории снижение прибыли от DRAM составило 37,5%, что было вызвано глобальным перепроизводством. Это привело к снижению рыночной цены вдвое, что порадовало потребителей и расстроило производителей.

Рынок NAND потерял не настолько много, поскольку здесь прибыль упала лишь на 23,1%. В результате Samsung, занимавшая первую позицию в рейтинге производителей микросхем в 2017 и 2018 годах, в 2019 году не смогла сохранить лидерство, поскольку большая доля её поступлений приходится именно на микросхемы памяти. Новым старым лидером стала Intel. На 3, 4 и 5 местах расположились SK Hynix, Micron Technology и Broadcom.

По данным производителя, память DDR5 позволит удвоит плотность, улучшив надёжность. При серверной нагрузке производительность памяти возрастёт на 85%.

Также память типа DDR5 боле энергоэффективна при масштабировании, и предлагает некоторые улучшения, такие как MIR («зеркальный» контакт) улучшающий сигналирование DIMM, и команды PRECHARGE и REFRESH.

Сравнение характеристик памяти типов DDR4 и DDR5 представлены в таблице ниже.

Важно отметить, что память типа DDR5 рассматривается исключительно для серверного сегмента. Пока нет планов по внедрению этой памяти в сфере настольных систем, и ни AMD, ни Intel не планируют поддерживать этот стандарт.

В любом случае, то, чем занимается Micron, является важнейшим этапом в развитии технологии оперативной памяти.