Новости про Micron, оперативная память и производство

Micron предупреждает о сокращении доступности микросхем памяти

Компания Micron прогнозирует снижение прибыли до уровня, ниже ожидаемого, и предупреждает, что поставки микросхем памяти на рынок сократятся в ближайшем будущем из-за дефицита остальных комплектующих для ПК.

Эти изменения коснуться в первую очередь Apple, поскольку память Micron ставится на их машины.

Компания Micron производит как микросхемы NAND для хранения данных, так и чипы оперативной памяти DRAM, которые применяются во всех отраслях вычислительной техники. Фирма является одним из крупнейших мировых производителей, и она уверяет, что заметно сократит объёмы производства микросхем обоих типов.

Микросхема NAND от Micron

Исполнительный директор компании Санджай Мехрота заявил, что некоторые заказчики на рынке PC скорректировали свои заказы на оперативную память и накопители из-за дефицита других комплектующих, не связанных с памятью. «Мы считаем, что эти корректировки наших PC-клиентов будут по большей части разрешены в ближайшие месяцы», — заявил директор.

Сейчас компания ожидает, что в текущем квартале её прибыль составит 7,65 миллиарда, в то время как аналитики прогнозировали 8,57 миллиардов долларов.

Micron выпускает первую высокоплотную память, изготовленную по технологии 1-альфа

Компания Micron сообщила, что начала массово производить микросхемы DRAM используя новейшую технологию 1α (1-альфа).

Изначально компания использует эту технологию для производства микросхем LPDDR4X и DDR4 объёмом 8 Гб, однако позднее она будет распространена на все остальные чипы DRAM.

Блин микросхем памяти

При этом в отличие от конкурентов Micron не планирует использовать для этого экстремальную ультрафиолетовую литографию как минимум ещё несколько лет. Однако поскольку компании нужно продолжать увеличивать плотность микросхем и снижать стоимость производства одного бита, ей нужно полагаться на иные инновационные решения. Процесс 1α от Micron обеспечивает на 40% большую плотность и на 15% меньшее энергопотребление, чем 1Z. Кроме того, такая память имеет больший разгонный потенциал. Компания улучшила конструкцию массива и использует новые материалы, включая лучшие проводники, лучшие изоляторы и новую систему обработки, размещения, модификации или избирательного удаления этих материалов.

Сейчас компания уже массово производит 8 Гб микросхемы DDR4 по технологии 1α. Также в этом месяце она начнёт поставки микросхем LPDDR4X. Однако затем она планирует перевести всю продукцию на процесс 1α, включая микросхемы DDR5, HBM2E и GDDR6/GDDR6X.

Отключение питания на заводе Micron может привести к росту цены на память

Производство микросхем — рискованный бизнес. Не только из-за короткого цикла модернизации и высокой стоимости оборудования и процессов, но и из-за большой уязвимости.

Сама суть производства микросхем — это тонкий баланс между поставками материалов, почти беспрерывным производством, очисткой, проверкой и тестированием. Производство микросхем может занимать месяцы между началом и выходом годного изделия. Это значит, что любые сбои крайне негативно скажутся на выпускаемой продукции.

По информации DigiTimes на одном из заводов Micron в Тайване произошло отключение электропитания длительностью в 1 час. Это может привести к потерям 10% мировых поставок DRAM, поскольку отключение коснулось всех этапов производства.

Производственный цех Micron

Учитывая повышенный интерес к памяти, вызванный пандемией COVID-19, и ростом спроса на продукты, где используется DRAM, игроки рынка теперь ожидают всплеск цен на память, вызванный сбоем на заводе Micron.

Сейчас на рынке памяти наблюдается перепроизводство, как и насколько 10% спад поставок повлияет на цену мы узнаем уже через пару месяцев.

Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

Micron представили первый модуль памяти DDR4

В настоящее время члены JEDEC приводят множество аргументов при обсуждении времени выпуска памяти стандарта DDR4. Одни считают, что это должно произойти уже в следующем году, другие предлагают повременить ещё два года, а между тем, Micron начали выпуск первых опытных модулей памяти DDR4, работающих на частоте 2400 МГц.

Сообщается, что компания уже начала поставки первых инженерных образцов «полнофункциональных модулей DDR4 DRAM» в форм-факторе DIMM своим основным клиентам. Это означает, что Micron будет готов к массовому производству нового типа памяти уже в 2013 году.

Основным преимуществом DDR4 является снижение энергопотребления при повышении производительности, по сравнению с памятью современного стандарта. Представленный образец был разработан в сотрудничестве с тайваньской компанией Nanya (входящей в конгломерат Formosa Plastics) с использованием 30 нм технологического процесса Micron.

Восемь четырёхгигабитных (512 МБ) чипов DDR4 в одном модуле обещают увеличить плотность памяти до 8 ГБ на один DIMM модуль, таким образом, мейнстрим системы смогут иметь объём ОЗУ равный 32 ГБ, а топовые, в будущем — до 128 ГБ. Micron использует чипы с 8-ю, 16-ю и 32-я ножками, сами же чипы способны производить от 2,4 до 3,2 млрд. переключений в секунду. Это значит, что в ближайшее время компания представит модули с эффективной частотой 3,2 ГГц.

Главный игрок рынка вычислений, компания Intel, не планирует переход на память DDR4 ранее 2014 года. Первым чипом, который будет поддерживать память этого типа, будет серверный Haswell-EX. Настольные же ПК должны получить поддержку DDR4 только в 2015 году вместе с Broadwell, 14 нм версией Haswell.

Казалось бы, что если такая компания как Intel не заинтересована в продвижении стандарта, то Micron зря так рано начали работу над этим проектом. Но к счастью для производителей памяти, такие компании как AMD, NVIDIA, Qualcomm и TI не разделяют мнение гиганта и могут начать поддержку DDR4 уже в 2013 году.