Новости про Intel и QLC

Intel выпускает гибрид Optane Memory H10

Компания Intel официально выпустила новый гибридный модуль Optane Memory H10 с SSD в формате M.2. Этот накопитель объединяет в себе память 3D XPoint, которая обеспечивает скорость, и QLC NAND, которая даёт объём.

В новом устройстве память Optane соединяется с Intel 660p QLC SSD. Полученный модуль имеет формат 2280 M.2 NVMe. Накопитель подключается по интерфейсу PCIe 3.0 x4. Технически плата содержит 16 ГБ памяти Optane и 256 ГБ QLC NAND. Также есть варианты 32+512 ГБ и 32+1 ТБ. Гибрид обеспечивает последовательное чтение на скорости 2400 МБ/с и запись — 1800 МБ/с. При работе блоками по 4K скорости чтения и записи составляют 32K и 30K операций в секунду. Надёжность декларируется на уровне 300 перезаписываемых терабайт, а гарантия производителя составляет 5 лет.

Накопитель Intel Optane Memory H10
Накопитель Intel Optane Memory H10

По словам Intel, устройство Optane Memory H10 обеспечивает значительный прирост производительности, по сравнению с типичными SSD. Компания декларирует 90% увеличение скорости работы в офисных приложения и при создании контента.

Производдительность Optane Memory H10
Производдительность Optane Memory H10

Накопитель работает только с процессорами Intel Core 8-го и 9-го поколений.

Micron имеет более 50% брака в микросхемах QLC NAND

Компания Micron изготавливает микросхемы памяти 3D Xpoint совестно с Intel, а также производит более традиционную NAND память для SSD. Фирма, вместе с остальными лидерами рынка, перешла на выпуск QLC NAND памяти, но её выпуск идёт с большими потерями.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

SSD Intel 600p
SSD Intel 600p

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

Micron и Intel создают терабайтный QLC 3D NAND чип

Компании Intel и Micron продолжают укреплять своё сотрудничество, плодом которого стала 3D память NAND, хранящая по 4 бита на ячейку.

Партнёрам удалось создать 64-слойную структуру, достигнув плотности 1 Тб на ядро, что является самым плотным решением среди всей флеш-памяти в мире.

Micron
Micron

Также компании сообщили о разработке третьего поколения памяти 3D NAND представленной 96 слоями. Она обеспечит 50% увеличение числа слоёв и сохранит союзу Intel/Micron место на передовой NAND технологий.

Обе анонсированные технологии используют методику CuA — CMOS under the array, которая сокращает размер ядра и распараллеливает потоки подключения, позволяя увеличить количество одновременно считываемых и записываемых ячеек.