Новости про Hynix

SK Hynix готовится поставить первую промышленную память HBM3 в NVIDIA

Компания SK Hynix объявила о том, что начала массовое производство памяти HBM3, самой быстрой в мире оперативной памяти.

С момента объявления разработки памяти HBM3 до начала промышленного производства прошло 7 месяцев, что лишь подтверждает ведущую роль компании на этом рынке. С развитием таких передовых технологий, как искусственный интеллект и Big data, крупнейшие мировые компании ищут способы ускорить обработку данных, для чего и требуется максимально быстрая память.

Микросхемы памяти HBM 3 от SK Hynix

Недавно компания NVIDIA завершила апробацию образцов памяти HBM3 от SK Hynix. В результате память получила подтверждение возможности работы с системами NVIDIA, которые должны поступить в продажу в III квартале. Наиболее ожидаемым и большим ускорителем расчётов станет NVIDIA H100, и именно для него SK Hynix начнёт производство памяти с пропускной способностью 819 ГБ/с.

SK Hynix представила вычислительную память GDDR6-AiM

Компания SK Hynix анонсировала новое поколение чипов памяти со встроенными вычислительными возможностями. Новая память получила название GDDR6-AiM (Accelerator In Memory).

Компания представила первый образец памяти GDDR6-AiM, работающий на скорости 16 Гб/с. Новая память отличается от предыдущих решений, поскольку содержит дополнительные вычислительные возможности, что позволяет снимать часть нагрузки с GPU или CPU, и увеличивать конечную производительность до 16 раз.

Память SK Hynix GDDR6-AiM

Новая память GDDR6-AiM предназначена для систем машинного обучения, высокопроизводительных расчётов, устройств хранения и Big Data. Память GDDR6-AiM питается напряжением 1,25 В, что на 0,1 В ниже, чем у GDDR6. Кроме того, благодаря вычислительным возможностям снижается объём передаваемых данных между памятью и CPU+GPU, что в сумме обеспечивает снижение энергопотребления на 80%.

Отмечается, что благодаря новой памяти SK Hynix сможет построить новую экосистему с собственным вычислительным функционалом.

SK Hynix готовит ещё более быструю память HBM3

Южнокорейская компания обновила спецификации разрабатываемой памяти HBM3 уже в третий раз.

В октябре SK Hynix сообщила, что увеличит скорость новой 12-Hi (слоёв) памяти HBM3 DRAM до скорости 820 ГБ/с. Теперь же компания уверяет, что скорость будет составлять 896 ГБ/с, о чём она объявила на форуме ISSCC 2022 (IEEE International Solid-State Circuits Conference).

Модуль памяти SK Hynix HBM3

Детали пока не оговариваются, однако в заголовке сессии на конференции указана её скорость. Новые микросхемы также будут состоять из 12 слоёв ёмкостью по 196 Гб (24 ГБ). Высокая скорость будет достигаться за счёт автокалибровки и оптимизации на основе машинного обучения сквозных связей TSV. Также пока не ясно, идёт ли речь о первых прототипах, или же компания всерьёз задумывается о выпуске этих микросхем в продажу.

Первые спецификации HBM3 от SK Hynix должны были обеспечивать скорость в 5,5 Гб/с на контакт (665 ГБ/с суммарно). И уже через несколько месяцев была заявлена скорость в 819 ГБ/с. Теперь же скорость увеличена ещё на 10%, до 7 Гб/с на контакт.

Кроме этого компания также планирует обсудить 27 Гб/с память GDDR6 с технологией Merged-MUX TX, оптимизированной работой WCK и альтернативной шиной данных. Подобная память станет самой быстрой в мире и позволит обойти выпускаемые в настоящее время модули Samsung, имеющих скорость в 24 Гб/с. Память SK Hynix также будет выпускаться в микросхемах объёмом 16 Гб, как и решения GDDR6 от Samsung и GDDR6X от Micron.

SK Hynix первой выпустила DDR5 объёмом 24 Гб

Компания SK Hynix анонсировала начало поставки опытных образцов оперативной DDR5-памяти объёмом 24 Гб, что является самой плотной микросхемой памяти на рынке.

Компания подготовила самую плотную в мире память всего через 14 месяцев после выпуска первой микросхемы DDR5, усилив свои лидерские позиции на этом рынке.

DDR5-память от SK Hynix

Новые микросхемы объёмом 24 Гб изготовлены по технологии 1a нм, в которой применяется процесс ультрафиолетовой литографии. Объём одной микросхемы памяти стал на треть выше, поскольку существовавшие ранее чипы имели объём 16 Гб. Кроме этого SK Hynix сумела на 25% снизить энергопотребление, в сравнении с нынешними продуктами, а также снизила энергопотребление при производстве памяти, что положительно скажется на экологии.

Память объёмом 24 Гб будет использоваться в изготовлении модулей объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Использоваться она будет в высокопроизводительных серверах, облачных ЦОД и высоконагруженных системах вроде искусственного интеллекта и машинного обучения, а также для реализации метавселенных.

Память HBM3 от SK Hynix оказалось быстрее, чем ожидалось

Один из мировых лидеров в производстве оперативной памяти, компания SK Hynix, разрабатывая пакеты HBM3 рассчитывала, что скорость её работы составит 665 ГБ/с, однако в реальности этот показатель оказался намного выше.

Компания SK Hynix официально заявила, что её память HBM3 обеспечивает максимальную скорость передачи данных в 819 ГБ/с.

Память HBM3 от SK Hynix

Таким образом SK Hynix стала первой в мире фирмой, представившей рыночный образец памяти HBM3. Разработчики уверяют, что это самая быстрая память в мире, и скорость её работы на 78% выше, чем у предшественницы HBM2E. Для понимания, 819 ГБ/с — это передача 163 фильмов в FullHD за одну секунду.

Модули новой памяти предлагаются в объёмах 24 ГБ или 16 ГБ. Все они имеют коррекцию ошибок данных благодаря встроенной системе ECC. Модули объёмом 24 ГБ имеют толщину 30 мкм, что в три раза тоньше листа бумаги. Память HBM3 предназначена для высокопроизводительных центров обработки данных и платформ машинного обучения, обеспечивает высокую скорость в задачах искусственного интеллекта и суперкомпьютерах.

SK Hynix анонсирует новую память по технологии 1anm

Один из ведущих мировых производителей оперативной памяти, SK Hynix, анонсировал новое поколение чипов, произведенных с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии.

Используя эту технологию можно массово производить новейшие продукты DRAM четвёртого поколения по классу 10 нм. Новый техпроцесс компания назвала 1anm. Он придёт на смену нынешнему 1znm, запущенному в 2019 году. Более высокие плотности технологи 1a позволят выпускать на 25% больше микросхем на том же блине.

Оперативная память SK Hynix LPDDR4 изготовленная по технологии 1anm

В плане улучшений, которые даёт новый техпроцесс, можно отметить рост скорости памяти LPDDR4 до 4266 Мб/с, которая обычно характеризует память LPDDR4X. Кроме высокой скорости также прогнозируется снижение энергопотребления на 20%.

Память LPDDR4, произведённая по новой технологии, будет применяться в смартфонах, и первые устройства, оснащённые памятью по процессу 1anm появятся во втором полугодии. Кроме того, технология 1anm будет применена для производства памяти типа DDR5.

SK Hynix опубликовала спецификации HBM3

Производитель памяти SK Hynix обновил страницу с информацией о памяти HBM2E, случайно выложив в Сеть первичные спецификации HBM3, памяти следующего поколения.

По сути, HBM3 является четвёртым поколением этой высокоскоростной памяти. По данным SK Hynix новый стандарт обеспечит производительность в 665 ГБ/с и скорость ввода-вывода на уровне 5,2 Гб/с.

Сравнение скорости памяти HBM2 и HBM3

Это значит, что будущая память будет почти на 50% быстрее, чем нынешнее поколение. При этом нам по-прежнему неизвестно, какой высоты будут стеки, также неизвестна плотность ядер и техпроцесс, по которому их будут производить. Не имея этих данных невозможно определить и максимальный объём памяти каждого из этих стеков.

Дорожная карта памяти HBM

Что касается выпуска HBM3, то, по всей видимости, ждать эту память пока не стоит. Память HBM2E полностью выполняет свои задачи, а значит, современным GPU обновления не нужны.

SK Hynix выпустила дефектные микросхемы памяти

Один из крупнейших производителей микросхем памяти, компания SK Hynix, заявила о том, что некоторые из её продуктов DRAM оказались дефектными. Об этом компания сообщила изданию The Register.

В Сети появились слухи, что SK Hynix произвела огромное количество дефектных микросхем памяти. Сама фирма прокомментировала это следующим образом: «Мы подтверждаем, что в нескольких продуктах DRAM были выявлены дефекты. Сейчас мы ведём переговоры с ограниченным количеством вовлечённых клиентов, чтобы решить проблему. Пока ещё слишком рано оценивать потенциальные убытки, однако мы не думаем, что они будут значительным, поскольку дефект заключён в объёме типичной проверки качества».

Память DDR4 от SK Hynix

Компания отметила, что количество дефектных продуктов, которые были поставлены, сильно преувеличено. «Масштабы потенциальных потерь, о которых гласят слухи, совершенно неправдивы и гиперболизированы», — сообщили в SK Hynix.

По слухам, речь идёт о 240 000 дефектных блинов, что является невероятно большим количеством и вызывает беспокойство, особенно на фоне имеющегося мирового дефицита микросхем.

После этих сообщений акции компании упали на 0,78%. Учитывая негативное влияние на репутацию из-за сложившейся ситуации, SK Hynix обратилась в полицию, чтобы там провели расследование и нашли источник неправдивых слухов.

SK Hynix начала производить пакеты LPDDR5 объёмом 18 ГБ

Компания SK Hynix начала массовые продажи самых ёмких в мире пакетов LPDDR5. Новые устройства имеют объём 18 ГБ. Они созданы преимущественно для смартфонов хай-энд уровня и ноутбуков, в которых используются чипсеты с поддержкой LPDDR5.

Пакеты LPDDR5 объёмом 18 ГБ от SK Hynix включают различные устройства в области памяти и поддерживают скорость передачи данных в 6400 МБ/с, самую высокую, из доступных по спецификации на этот тип ОЗУ. Кроме того, новые пакеты предлагают на 11,7% большую ёмкость, по сравнению с микросхемами объёмом 16 ГБ.

Модули памяти LPDDR5 от SK Hynix объёмом 18 ГБ

В компании не сообщают, по какой технологии производится новая память, но очевидно, что речь идёт об одном из передовых процессов.

Одним из первых претендентов на применение памяти SK Hynix 18 ГБ LPDDR5-6400 станет игровой смартфон Asus ROG 3. Также эти пакеты могут появиться в топовых моделях ноутбуков и планшетов с 18 ГБ или 36 ГБ ОЗУ.

Teamgroup приступила к валидации памяти DDR5

Производитель памяти Teamgroup сообщил о том, что компания приступила к валидации первых потребительских модулей памяти DDR5.

В настоящее время она тестирует модули объёмом 16 ГБ и частотой 4800 МГц при напряжении 1,1 В. Эти значения совпадают с объявленными в октябре SK Hynix величинами для микросхем памяти. Компания рассчитывает стать пионером рынка DDR5 и выпустить свои первые наборы уже в III квартале 2021 года.

Память DDR5 от TeamGoup

Первой платформой для памяти DDR5 должна стать Intel Alder Lake-S, которая появится примерно в то же время. Что касается AMD, то она выпустит платформу с DDR5 немного позднее, в 2022 году, когда будут готовы процессоры архитектуры Zen 4. Эти процессоры, по слухам, будут использовать сокет AM5.

По словам Teamgroup, её память DDR5 не будет требовать от пользователей входа в BIOS и выставления рабочих частот или включения технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP). Память должна сама запуститься на проверенной частоте по умолчанию, при условии, что ваш процессор и материнская плата её поддерживают.