Новости про HBM2 и Samsung

Samsung создаёт новую память GDDR6

Компания Samsung представила новые модули памяти типа GDDR6, которые обладают увеличенной производительностью и объёмом.

Память получила название GDDR6W. Её чипы изготовлены в классическом пакете BGA и будут предназначены для устройств среднего сегмента.

В настоящее время чипы GDDR6 и GDDR6X содержат память DRAM и 32-битный интерфейс. В то же время GDDR6W содержит два таких ядра памяти и два интерфейса в 32 бита. В результате объём чипа увеличился с 16 Гб до 32 Гб, а ширина интерфейса с 32 бит до 64 бит.

Чип Samsung GDDR6W

Технология, по которой собираются эти микросхемы, получила название Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP). Она пришла на замену традиционным печатным платам с распределительным слоем, обеспечивая меньшую толщину и лучшее соединение.

Таким образом, GDDR6W использует тот же протокол, что и GDDR6, но обеспечивает большую ёмкость и пиковую производительность. По сравнению с GDDR6 скорость передачи данных вырастает с 88 Гб/с до 176 Гб/с, а объём чипа с 16 Гб до 32 Гб. То есть для размещения одинакового объёма памяти потребуется вдвое меньше микросхем.

По сути, Samsung создала аналог HBM2E, только заметно дешевле и проще в монтаже на плате.

Samsung анонсирует третье поколение памяти HBM2E

Компания Samsung продолжает усовершенствование памяти HBM2. Новой разработкой стало третье поколение стека Flashbolt, которое обещает высокую производительность с возможностью дальнейшего ускорения.

Фирма представила новое поколение памяти Flashbolt HBM2E, модуль которой имеет объём 16 ГБ, а пропускная способность составляет 3,2 Гб/с, что означает общую скорость в стеке на уровне 410 ГБ/с. Для сравнения, память HBM2 в Radeon RX Vega 56 имеет такую же скорость, но на двух чипах. Это значит, что Flashbolt работает вдвое быстрее.

Микросхема памяти HBM2E Samsung Flashbolt

Более того, разработчики отмечают, что пропускная способность может быть увеличена до 4,2 Гб/с, или до 538 ГБ/с общей скорости. Однако такую память предполагается использовать для «определённых будущих задач». В любом случае, даже 410 ГБ/с — поразительный результат.

Когда Samsung начнёт поставлять память Flashbolt HBM2 пока не сообщается.

Samsung представила 12-слойный чип HBM2

Южнокорейский гигант Samsung представил первую в промышленности 12-слойную 3D-TSV (Through Silicon Via) микросхему, которую она назвала «одной из самых сложных пакетных технологий для массового производства высокоскоростных чипов».

Эта технология будет использоваться для производства памяти HBM объёмом 24 ГБ. Компания назвала данную технологию самой сложной потому, что ей пришлось «штабелировать» в одном пакете 12 микросхем DRAM в крошечной трёхмерной системе. Слои памяти соединяются вертикальными линиями связи, для прокладки которых в чипах изготовлены 60 000 отверстий, каждое из которых в 12 раз тоньше человеческого волоса.

Чип памяти HBM2 от Samsung

«Толщина пакета (720 мкм) осталась той же, что и в продуктах HBM2 высотой 8 слоёв, конструкция компонентов которых весьма сложная. Это поможет заказчикам реализовать следующее поколение продуктов с высокой ёмкостью с большей производительностью без необходимости изменения конструкции и конфигурации их системы».

В компании отметили, что технология пакетирования 3D-TSV становится актуальной из-за нарастающих ограничений в сохранении темпов Закона Мура.

Конструкция 8-и и 12-и слойной упаковки 3D-TSV

Стоит отметить, что у новой разработки Samsung могут возникнуть проблемы с внедрением. Технология памяти HBM2 довольно дорогая. Пару лет назад эту память использовала AMD в своих топовых видеокартах, но сейчас из-за её высокой стоимости она перешла на GDDR6.

Samsung выпускает память HBM2E

Компания Samsung на конференции GTC представила обновленную версию своей широкополосной памяти, которую она назвала Flashpoint.

Память новой модификации может работать на треть быстрее, чем HBM2. Новые чипы обладают пропускной способностью в 3,2 Гб/с на контакт, а плотность на ядро удвоена до 16 Гб. При этом речь идёт о 8-слойных стеках. Таким образом, пакет 16 ГБ памяти HBM2E обладает пропускной способностью 410 ГБ/с. При работе с 4 стеками скорость составит поразительные 1,64 ТБ/с при объёме 64 ГБ. Современные конструкции стеков 4х4-Hi, используемые в AMD Radeon VII, имеют объём 16 ГБ и предлагают скорость 1 ТБ/с.

Память HBM2 от Samsung

Пока неизвестно, поступит ли память Samsung HBM2E в массовое производство, но эти чипы явно не стоит ожидать в Navi, поскольку AMD наверняка использует куда более доступные GDDR6.

Samsung начинает производство памяти HBM2 нового поколения

Компания Samsung объявила о начале производства второго поколения 8 ГБ памяти типа High Bandwidth Memory-2, предлагая самую высокую пропускную способность из доступных на рынке.

Новые чипы получили название Aquabolt, и целью их применения являются суперкомпьютеры нового поколения, решения искусственного интеллекта и графические системы.

Память Aquabolt работает на скорости 2,4 Гб/с на контакт при напряжении 1,2 В, что на 50% больше, чем у первого поколения памяти HBM2, которое обеспечивало при том же напряжении пропускную способность 1,6 Гб/с.

Один пакет Aquabolt предлагает скорость в 307 Гб/с, что в 9,6 раза выше, чем 8 ГБ чип GDDR5, который обеспечивает скорость в 32 Гб/с. По словам компании, применив четыре Aquabolt можно обеспечить пропускную способность равную 1,2 Тб/с.

В Samsung обещают обеспечить стабильные поставки памяти Aquabolt всем IT клиентам по всему миру.