Новости про flash-память и Micron

Представленный пакет UFS 4.0 обладает размерами 9×13 мм, что является заметным сокращением габаритов от первоначальных 11×13 мм. В пакете используется собственная 3D-NAND-память, расположенная в 232 слоя, что обеспечивает объём до 1 ТБ. При этом, модули имеют скорость последовательного чтения в 4 400 МБ/с и записи — 4 000 МБ/с, чего достаточно для эффективной работы популярных больших языковых моделей и прочих приложений ИИ. В дополнение ко всему этому была на 25% повышена энергоэффективность.

По словам Micron образцы новых пакетов UFS 4.0 уже поставляются партнёрам в версиях объёмом 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Накопитель Zhitai TiPlus7100 имеет формат M.2-2280. Он будет предложен в объемах 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. При этом скорость передачи данных при последовательном чтении достигает 7000 МБ/с и 6000 МБ/с при записи. При случайном доступе скорости могут достигать 900K операций в секунду при чтении и 700K операций в секунду при записи. При этом, в конструкции SSD нет никаких SDRAM-буферов.

Недавно компания Micron представила свою 232-слойную память. Таким образом, YMTC не является уникальным производителем памяти такого типа, зато является единственной компанией, у которой скорость работы NAND достигает 2400 МТ/с.

Новые накопители созданы для работы с интерфейсом PCIe Gen4 и изготовлены на основе микросхем NAND-памяти, состоящей из 232 слоёв. Это обеспечивает большое преимущество в повышении скорости работы и снижении энергопотребления.

Производитель заявляет, что Micron 2550 по сравнению с другими конкурирующими продуктами передаёт файлы на 112% быстрее, обеспечивает офисную работу на 67% быстрее, а в творческих задачах быстрее на 78%. Его скорость последовательного чтения достигает 5 ГБ/с, а записи — 4 ГБ/с, и это на 43% и 33% соответственно больше, чем в прошлом поколении продуктов.

Ряд инноваций в области энергосбережения позволил сократить потребление энергии накопителей в спящем режиме до 2,5 мВт, до 150 мВт в простое, а при активной работе энергопотребление на превышает 5,5 Вт, что весьма положительно скажется на сроке автономной работы ноутбука.

Представленный модельный ряд предлагается в размерах накопителей 22×80 мм, 22×42 мм и 22×30 мм и в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Чипы описываются как «первые в мире 238-слойные 512 Гб чипы памяти TLC 4D-NAND», и они должны поступить в массовое производство в первой половине 2023 года.

По сравнению с нынешней 176-слойной памятью, новая NAND предлагает на 50% большую скорость передачи данных (2,4 Гб/с), на 21% большую энергоэффективность при чтении данных и 34% прирост общей производительности.

Выпустив новые модули, компания сможет вернуть себе лидерство в этой отрасли, которое сейчас занимает Micron с 232 слоями.

Представленная память позволит увеличить объём накопителей и снизить их себестоимости за счёт увеличения количества слоёв и архитектуры 4D. В этой архитектуре логическая цепь расположена под ячейками памяти, что позволяет «уменьшить размер ячейки, повысив эффективность продукта».

Используя эту память, Micron создала серию накопителей с интерфейсом PCIe 4.0. Серия получила номер 2400. В неё вошли модели размером M.2 2230, 2242 и 2280 и объёмом 512 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ.

Накопитель Micron 2400 PCIe 4.0 SSD стал первым в мире, который предлагает объём 2 ТБ в компактном формате M.2 2230. Это именно тот формат, который использован в Valve Steam Deck и других портативных системах. Также эти SSD открывают дверь будущим ультрапортативным ПК, которым требуется большой объём накопителя.

Накопитель формата 22×30 мм требует на 63% меньше места, по сравнению со стандартным SSD 22×80 мм. Что касается скорости работы, то разработчики заявляют чтение в 4500 МБ/с (4200 для моделей объёмом 512 ГБ). Может показаться, что скорость невелика, однако это самый быстрый M.2 SSD размера 2230 на рынке. Благодаря малому размеру, представленная серия SSD ориентирована в первую очередь на OEM-производителей, поэтому в рознице её доступность будет ограничена.

Новая 176-слойная память является эволюционным этапом развития нынешней 96-слойной памяти. В ней применены такие новые технологии, как Charge Trap Flash (CTF) и Periphery Under Cell (PUC). Память названа четырёхмерной, поскольку разработчики разместили структуры управления ячейками под стеком 3D-NAND, что уменьшило размер кристалла и снизило себестоимость производства. С новыми 176-слойными микросхемами SK Hynix достигла «лучшего в индустрии числа чипов на блин».

По сравнению с прошлым поколением, новая память обеспечивает 20% прироста в скорости чтения ячейки и 33% прирост в скорости передачи данных, что означает увеличение скорости с 1,2 Гб/с до 1,6 Гб/с.

Также компания SK Hynix отметила, что готовится к производству чипов объёмом 1 Тб, что позволит создавать накопители неимоверной плотности.

В середине следующего года компания готовится выпустить мобильные продукты, которые обеспечат 70% прирост в максимальной скорости чтения и 35% прирост в скорости записи.

Компания отмечает, что переход на 176-слойную память является радикальным прорывом, который обеспечит резкий рост производительности в широком спектре устройств для ЦОД, искусственного интеллекта и мобильного сегмента.

В компании отметили, что новая память предлагает на 40% больше, чем у ближайших конкурентов, а благодаря архитектуре КМОП-под-массивом, новая технология компании обеспечивает лидерство по стоимости.

По сравнению с прошлым поколением, 176-слойная память NAND от Micron обеспечивает меньшие задержки при чтении и записи более чем на 35%. При этом размер ядра на 30% меньше, чем у лучших конкурентных предложений.

Пятое поколение Micron 3D-NAND обеспечивает скорость передачи данных в 1600 МТ/с по интерфейсу Open NAND Flash Interface, что на 33% лучше, чем раньше. Это означает более быструю загрузку системы и работу приложений. А для автомобильных систем это означает практически мгновенную реакцию, сразу после включения двигателя.

Для упрощения разработки прошивки новая память компании обеспечивает однопоточный программируемый алгоритм, обеспечив более простую интеграцию и процесс выхода на рынок.

Данная разработка открывает возможность изготовления более плотных продуктов уже в следующем году. В четвёртом поколении 3D-NAND компания Micron продолжает использовать конструкцию КМОП-под-массивом, однако применяет технологию заменяемого затвора вместо плавающего, которая используется уже несколько лет. Сейчас компания массово производит 96-слойную флэш-память 3D-NAND с физическим слоем TLC, несмотря на готовность QLC-памяти.

Компания отмечает, что новая 128-слойная память будет применяться ограниченно и не достигнет тех уровней популярности, как 96-слойные чипы. В компании более сконцентрированы на эволюции, возможно, пятом поколении 3D-NAND, которое даст заметное снижение себестоимости, вызванное переходом к более тонкой технологии производства, а также использованием более новых технологий, наряду с заменяемым затвором. Однако это произойдёт лишь в 2021 финансовом году.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Сообщается, что сумма сделки составит 1,5 миллиарда долларов. При этом на конец августа стоимость части Intel оценивалась в 1 миллиард.

Изначально обе компании вложили в IM Flash Technologies по 1,2 миллиарда долларов. Было это в далёком 2006 году. Главным достижением совместного предприятия можно считать разработку и внедрение памяти 3D XPoint, которая нашла себе применение в ЦОД и высокопроизводительных компьютерах энтузиастов.

Что касается сделки, то в своих финансовых отчётах Micron уже считает данное СП консолидированным. Компания не считает, что проводимая сделка повлияет на финансовые результаты компании и снизит прибыль за 2019 фискальный год.

В июле оба производителя чипов договорилась о завершении совместной разработки технологии 3D XPoint и раздельном ведении операций. На основании прошлых соглашений, Micron продолжит продавать пластины с памятью 3D XPoint компании Intel в течение года после закрытия. Сама же IM Flash после закрытия сделки будет полностью принадлежать Micron.