Новости про flash-память и Intel

Intel продаёт свой бизнес NAND

Компания Intel официально объявила о том, что она продаёт свой бизнес по производству памяти NAND южнокорейской компании SK Hynix за 9 миллиардов долларов.

Сделка будет оформлена исключительно деньгами и позволит корейской компании стать вторым производителем памяти NAND в мире. За свои деньги SK Hynix получит весь NAND-бизнес Intel, включая бизнес твердотельных накопителей, а также производство для компонентов NAND и блинов. Кроме того, в собственность SK Hynix перейдёт завод в китайском Даляне.

Данный ход является продолжением стратегии Intel по избавлению от непрофильных направлений бизнеса. Продав бизнес NAND у компании останется бизнес Optane, который намного меньше, зато за счёт инновационности обладает большей прибыльностью.

SSD Intel

Для SK Hynix это будет крупнейшая сделка после того, как в 2017 году компания инвестировала 3,7 миллиарда долларов в японскую Kioxia. Благодаря новой сделке компания сможет сократить своё отставание от лидера рынка — Samsung Electronics.

И хотя акционеры не очень рады данной сделке, поскольку она весьма дорогая, она принесёт пользу рынку за счёт его консолидации.

Intel может отказаться от производства NAND Flash

Компания Intel может отказаться от производства флэш-памяти типа NAND, и покупать её у сторонних производителей.

Финансовый директор Intel Джордж Дэвис в ходе конференции аналитиков Моргана Стенли заявил, что компания производит микросхемы NAND в Далиане, Китай, однако они не могут продать достаточное количество SSD на базе этих чипов, чтобы генерировать прибыль.

SSD на базе NAND-памяти Intel

Также компания сообщает, что может вообще прекратить собственное производство микросхем, а фирменные SSD комплектовать памятью стороннего производства, либо же вообще покупать сторонние SSD. Альтернативным вариантом называлась продажа микросхем NAND сторонним покупателям.

Дэвис отметил, что, хотя NAND-память становится всё более важной для ЦОД, «мы должны иметь прибыльность, долгосрочную прибыльность и привлекать возврат [инвестиций]… мы не способны генерировать прибыль из этого».

Intel обещает более плотную флэш-память

Компания Intel анонсировала новую технологию изготовления энергонезависимой памяти, которая предусматривает 5-уровневые ячейки.

Фрэнк Хэйди, представитель группы энергонезависимой памяти Intel, заявил, что пятиуровневые ячейки позволят в дальнейшем увеличить плотность и снизить затраты, по сравнению с четырёхуровневыми.

SSD на базе 3D NAND-памяти Intel

Пока компания не сообщает сроки коммерческой готовности или влияние на себестоимость такой памяти. В заявлении лишь говорится: «Сегодня мы проводим исследования осуществимости».

Стоит сказать, что Intel нужно поспешить. Компания Toshiba представила собственную флэш-память с 5-уровневыми ячейками в августе. Кроме многослойности ячеек производители памяти также размещают сами ячейки в несколько слоёв, что делает данную конструкцию условно четырёхмерной. Уже в следующем году ожидается появление 144-слойной NAND памяти.

Память MRAM готова к производству

Компания Intel готова начать выпуск памяти типа MRAM в больших объёмах. Этот тип памяти разработан Intel и представляет собой энергонезависимую память, то есть её можно использовать для хранения данных, а не только в качестве ОЗУ.

Магниторезистивная память со случайным доступом создавалась как универсальная замена для DRAM (энергозависимой) и NAND (энергонезависимой) памяти. Сейчас стало очень сложно уменьшать размеры элементов при производстве памяти данных типов, а MRAM не имеет столь жёстких ограничений. Кроме того, у MRAM намного выше процент выхода годных микросхем при производстве. Так, при 22 нм технологии производства уровень годных микросхем на блине составляет 99,9% — поразительная надёжность технологии.

Фотография памяти SRAM MRAM

Кроме того, память MRAM уже демонстрировала установочное время в 1 нс, что выше теоретического предела для DRAM. Скорость записи также в несколько тысяч раз выше, чем у NAND. Также MRAM гарантирует 10 лет хранения данных при температуре 200° C и надёжность в 106 циклов переключений. Всё это сообщил Лигион Веи, инженер Intel.

Блок-схема памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM

Похоже, что именно по 22 нм технологии и будет начато производство памяти MRAM, хотя отмечается, что Intel уже начала разгружать 14 нм заводы, так что возможен быстрый переход на более тонкий техпроцесс.

Micron выкупит долю Intel в IM Flash Technologies

Компания IM Flash Technologies является совместным предприятием, которое организовали Intel и Micron для работы над созданием и продвижением твердотельной памяти. И теперь Micron намерена перевести его в свою собственность.

Сообщается, что сумма сделки составит 1,5 миллиарда долларов. При этом на конец августа стоимость части Intel оценивалась в 1 миллиард.

Изначально обе компании вложили в IM Flash Technologies по 1,2 миллиарда долларов. Было это в далёком 2006 году. Главным достижением совместного предприятия можно считать разработку и внедрение памяти 3D XPoint, которая нашла себе применение в ЦОД и высокопроизводительных компьютерах энтузиастов.

Логотип IM Flash Technologies

Что касается сделки, то в своих финансовых отчётах Micron уже считает данное СП консолидированным. Компания не считает, что проводимая сделка повлияет на финансовые результаты компании и снизит прибыль за 2019 фискальный год.

В июле оба производителя чипов договорилась о завершении совместной разработки технологии 3D XPoint и раздельном ведении операций. На основании прошлых соглашений, Micron продолжит продавать пластины с памятью 3D XPoint компании Intel в течение года после закрытия. Сама же IM Flash после закрытия сделки будет полностью принадлежать Micron.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Intel готовит DIMM модули Optane на 2018 год

Компания Intel перенесёт выпуск DIMM модулей Optane на вторую половину 2018 года.

Эти модули должны стать важнейшим изменением в способе хранения информации компьютером, за более чем два десятка лет. Они открывают эпоху энергонезависимой памяти, объединяя в себе лучшие свойства DRAM и NAND памяти. В первом случае, это скорость и низкие задержки, а во втором — способность хранить информацию после отключения питания. В этом году Intel уже приступила к поставкам потребительских твердотельных накопителей на базе памяти того же типа — 3D XPoint.

В ходе мероприятия USB Global Technology Conference, компания Intel описала Optane DIMM как основной накопитель, который работает в виде картированной памяти, но со значительно большими плотностями, чем это возможно с нынешней DRAM DDR4.

Как обычно, первыми доступ к технологии получат промышленные потребители, в первую очередь — экзаскалярные системы, суперкомпьютеры, с производительностью порядка экзафлопса. Затем память будет доступна для более простых промышленных систем, и, наконец, для бытовых потребителей.

Кроме энергонезависимости, применение памяти нового типа должно снизить цены на память, увеличить плотность накопителей и решить проблему нехватки пропускной способности шин.

Intel демонстрирует Optane 3D XPoint SSD

В ходе конференции Oracle OpenWorld компания Intel воспользовалась возможностью представить свою свежую реализацию революционной памяти 3D XPoint, которая должна заменить NAND флеш в качестве следующего шага развития твердотельных технологий. Новый тип памяти предлагает экспоненциальный рост скорости и плотности.

Optane — это кодовое имя для будущих SSD Intel на базе памяти 3D XPoint, с быстрыми интерфейсами (PCIe M.2, U.2, карта расширения PCIe) и протоколом NVMe. В работе сервера Oracle серии X5-2 модели 1U, он показал в 4,42 раза большую скорость случайного доступа, 6,44 раза меньшие задержки, по сравнению с лучшими NAND SSD образцами. Также, при работе с ПО от Oracle, накопитель Optane обещает в 7,13 раза большую пропускную способность.

Кроме Optane компания также представила прототип 3D XPoint SSD в форм-факторе памяти DDR4 DIMM. Таким образом, компания надеется обойти все узкие места в транспортных шинах и обращаться непосредственно к контроллеру памяти процессора.

Системные интеграторы смогут объединять оперативную память DDR4 и SSD модули, обеспечив наименьшие, из возможных, задержки передачи данных в системе. По словам исполнительного директора Intel Брайана Крзанича, модули Optane DIMM будут иметь производительность близкую к оперативной памяти, а потому могут ускорить реализацию идеи хранения базы данных в памяти.

Intel продемонстрировала новую память 3D Xpoint

На прошлой неделе мы писали о том, что компания Intel готовится к презентации твердотельного накопителя, основанного на памяти нового типа под названием 3D Xpoint, которая может заменить память NAND уже в следующем году.

В Intel назвали новый накопитель Optane SSD. Сообщается, что он будет доступен в форм-факторах M.2/NGFF, SATA-Express, либо в виде платы PCI-Express.

На конференции IDF фирма представила первый инженерный образец накопителя, и выяснилось, что он в 5,5 раз быстрее, чем основанный на NAND SSD серии P3700, и это ещё сырая разработка!

Новый накопитель также поддерживает и протокол связи NVMe. По сравнению с AHCI, у которого глубина очереди команд составляет 32, в протоколе NVMe очередь может достигать 65 536 команд.

Как известно, 3D Xpoint разработана совместно с Micron, таким образом, в будущем году нам стоит ожидать новую технологию не только в SSD под брендом Intel, но и под брендом Crucial.

Intel анонсирует прорыв в области энергонезависимой памяти

Компания Intel в партнёрстве с Micron анонсировала прорыв в технологии памяти, которая изменит подход к хранению данных. Технология получила название 3D XPoint (читается CrossPoint).

Компании считают данный прорыв крупнейшим с момента разработки NAND Flash, которая впервые была представлена в 1989 году. Новая технология предлагает энергонезависимую память совершенно нового класса. Так, память 3D XPoint будет в 1000 раз быстрее, чем обычная NAND и будет обладать в 1000 раз большей надёжностью. И это ещё не всё, ведь новая память будет в 10 раз плотнее нынешних образцов.

Всё это означает, что новая память позволит заметно ускорить работу современных компьютеров даже без изменения производительности процессоров. Сейчас один из крупнейших барьеров производительности заключён во времени, необходимом для передачи данных от CPU к накопителю, однако в 3D XPoint это время резко сокращено. По словам Intel, это позволит использовать PC в совершенно новых областях, к примеру, новая память даст врачам возможность изучать распространение болезни в реальном времени, а ЦОД смогут записывать и считывать информацию заметно быстрее.

Наши коллеги из Neowin пообщались с представителями Intel и выяснили, что фирма уже начала изготавливать память 3D XPoint и готовится передать её избранным партнёрам, а уже в следующем году появятся новые продукты на основе памяти 3D XPoint.

3D XPoint™ Technology Revolutionizes Storage Memory