Новости про flash-память и Samsung

Производители NAND ожидают высокий спрос со стороны ЦОД

Поставщики микросхем NAND-памяти начали ускорять темп своего производства на фоне ожидаемого интереса к такой памяти со стороны промышленного сектора и центров обработки данных.

Ожидается, что спрос на NAND-накопители для промышленности и ЦОД вырастет в первой половине 2020 года и сохранит тенденцию в течение всего следующего года, сообщает DigiTimes. Это связывают с развитием 5G и прогнозируют взрывной рост трафика до 20 ЗБ после коммерческого запуска этих сетей.

Источник отмечает, что уже сейчас такие компании как Samsung, Toshiba Memory, Micron Technology, Intel и SK Hynix готовятся к данному событию.

3D NAND память от Samsung
3D NAND память от Samsung

Лидер индустрии Samsung уже анонсировал массовое производство SATA SSD объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND. Во второй половине года компания готовится выпустить более быструю память V-NAND большей ёмкости.

Что касается Toshiba Memory, то она представила XL-Flash с низкими задержками и высокой производительностью. Эта память предназначена именно для коммерческого применения. Опытные образцы этой памяти появились в сентябре, а массовое производство начнётся в 2020 году.

Тем не менее, несмотря на продолжающейся рост плотности NAND-памяти, цены на неё продолжают падать, что негативно сказывается на всём рынке. По данным аналитической организации ChinaFlashMarket, мировой рынок NAND флэш-памяти в этом году составит 43 миллиарда долларов. Цены на NAND-память в первом полугодии снизились на 30%.

Samsung выпускает SSD 6-го поколения

Компания Samsung анонсировала начало производства новых твердотельных накопителей объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND.

Конечно, таким объёмом сейчас никого не удивить, однако эти SSD стали первым этапом внедрения памяти V-NAND 6-го поколения, которая обеспечивает задержки на уровне 450 мкс при записи и 45 мкс при чтении, что на 10% меньше. Вместе с ростом производительности новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 15%.

Samsung SSD
Samsung SSD

Благодаря применению 136-слойной памяти компания смогла добиться 40% прироста числа ячеек в каждом чипе, по сравнению с прошлой 96-слойной технологией, при сохранении физического размера микросхемы. Также новая память требует создания меньшего числа каналов в чипе. Их количество снижается с 930 миллионов до 670 миллионов, что экономит место и снижает сложность производства, а это, в свою очередь, положительно скажется на ценах.

Твердотельный накопитель 6-го поколения от Samsung
Твердотельный накопитель 6-го поколения от Samsung

В скором будущем компания планирует выпустить SSD на базе 6-го поколения памяти TLC V-NAND объёмом 512 ГБ.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba
Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Samsung создала терабайтный eUFS накопитель

Ровно год назад Samsung начала производство 512 ГБ встраиваемых модулей Universal Flash Storage.

Эти чипы нашли себе место в Galaxy Note 9, а сам телефон был назван первым «готовым к терабайту» мобильным устройством, имея ввиду возможность установки карты microSD такого же размера и объёма.

Микросхема флеш-памяти Samsung eUFS объёмом 1 ТБ
Микросхема флеш-памяти Samsung eUFS объёмом 1 ТБ

Однако уже в ближайшем будущем мы можем увидеть мобильные устройства со встроенным терабайтом памяти. Южнокорейский гигант Samsung объявил о разработке чипа формата UFS объёмом 1 ТБ. В нём «объединяются 16 слоёв наиболее совершенной 512-гигабитной стековой V-NAND памяти Samsung и свежеразработанный проприетарный контроллер». Новая микросхема демонстрирует не только лучшую ёмкость, но и высокую скорость. Так, в Samsung обещают скорость последовательного чтения на уровне до 1000 МБ/с и до 260 МБ/с при записи.

Появится ли эта микросхема в топовых смартфонах Samsung этого года — вопрос открытый. Но учитывая важность конкурентной борьбы и прошлый опыт, этого можно ожидать.

Samsung начинает массовое производство 96-слойной памяти NAND

Ведущий производитель твердотельной памяти, компания Samsung, приступила к массовому производству памяти V-NAND пятого поколения.

Данная память позволит увеличить объёмы накопителей. Новая память объёмом 256 Гб состоит из стеков в 96-слоёв. Эта память стала первой в истории, использующей интерфейс Toggle DDR 4.0, который работает как высокоскоростной транспорт для передачи данных между накопителем и памятью на скорости в 1,4 Гб/с. Это на 40% быстрее, чем прошлое 64-слойное поколение памяти. Другое усовершенствование в скорости связано с уменьшением времени записи на 30% до 500 мкс и снижением времени чтения до 50 мкс.

96-слойная V-NAND память от Samsung
96-слойная V-NAND память от Samsung

Кроме того, выросла и энергоэффективность чипов. Новая память работает на напряжении 1,2 В, в то время как 64-слойной требовалось напряжение 1,8 В.

В пресс-релизе южнокорейский гигант заявил, что выпустит новые чипы на рынок как можно скорее. Изначально они будут представлены 256 Гб TLC модулями, а позднее будут подготовлены 1 Тб QLC модели.

Samsung начинает производство 512 ГБ чипов eUFS

Почти два года назад Samsung приступила к выпуску 256 ГБ чипов Universal Flash Storage (UFS) 2.0 со скоростями чтения и записи 850 МБ/с и 260 МБ/с соответственно. Однако теперь фирма готовит 512 ГБ накопители с интерфейсом UFS.

Компания сообщила, что выпускает эти накопители для «использования в мобильных устройствах следующего поколения». Вероятно, речь идёт о пока не анонсированных смартфонах Galaxy S9. В пресс-релизе Samsung ничего не говорится об использованной версии интерфейса, но сказано, что накопители достигнут скорости «последовательного чтения и записи равной 860 мегабайт в секунду и 255 МБ/с соответственно», что весьма близко к нынешним показателям UFS 2.0.

Samsung eUFS

Учитывая наличие 512 ГБ памяти в телефоне, людям вряд ли понадобится дополнительный накопитель в виде карты microSD. С другой стороны, встроенные полтерабайта очевидно поднимут стоимость конечного устройства, ведь даже нынешние Galaxy Note8 с 256 МБ встроенной памяти стоят 1000 долларов.

Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Samsung Z-SSD

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

Спецификации SSD Samsung SZ985

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

Samsung начала производство 256 ГБ встраиваемой памяти

Компания Samsung представила 256 ГБ чипы встраиваемой памяти, которые должны удовлетворить всем потребностям в хранении данных на мобильных устройствах.

Южнокорейский гигант отметил, что начал массовое производство памяти, основанной на стандарте Universal Flash Storage (UFS) 2.0, который вдвое быстрее устройств прошлого поколения UFS.

Таким образом, современные телефоны могут стать заметно быстрее. Дело в том, что скорость чтения с новых чипов вдвое быстрее, чем в типичных SATA SSD, и достигает 850 МБ/с. Правда, скорость записи немного ниже и может достигать 250 МБ/с.

UFS память Samsung объёмом 256 ГБ

По словам производителя, новая память позволит «бесшовно воспроизводить UltraHD видео», а при комбинации с технологией USB 3.0 обеспечит заметное ускорение в передачи данных на устройство.

Примечательно, что новый чип по размеру даже меньше карты micoSD, что облегчает его интеграцию в смартфоны, при том, что скорость работы такого устройства несравнимо выше, чем у съёмных решений.

Что касается внедрения, то Tame Apple Press уже заявила, что в первую очередь микросхемы памяти будут использованы в новых мобильных решениях Apple, но вполне возможно, что скоро мы их увидим и в некоторых смартфонах Samsung.

Samsung предлагает SSD объёмом 2 ТБ

Нужно быстрое хранилище для вашего настольного ПК, но вы не можете принять никаких компромиссов по его скорости? Тогда новое решение Samsung для вас.

Компания представила новые твердотельные накопители 850 PRO и 850 EVO объёмом 2 ТБ.

Теперь, предложив две новые модели, в портфеле компании имеются 20 различных решений с вертикальной 3D NAND памятью объёмом от 120 ГБ до 2 ТБ. Все они относятся к модельным рядам 850 PRO и EVO. Все 20 накопителей выпускаются в одинаковом 2,5” корпусе толщиной 7 мм.

SSD Samsung 850 PRO

Твердотельные накопители объёмом 2 ТБ оснащены 128 отдельными 32-слойными 128 Гб чипами 3D NAND производства Samsung, обновлённым высокопроизводительным контроллером MHX и четырьмя 20 нм чипами LPDDR DRAM объёмом 4 Гб. Модель 2TB 850 EVO имеет гарантию на запись 150 ТБ данных, а 850 PRO — на запись 300 ТБ.

В ближайшем будущем Samsung также надеется выпустить 2 ТБ накопители 850 серии в форматах mSATA и M.2.

Чтобы приобрести новые накопители вам придётся выложить 800 долларов за модель 850 EVO и 1000 долларов за 850 PRO.

Samsung анонсирует сверхбыструю встраиваемую флэш-память

С учётом современных быстрых процессоров, больших объёмов ОЗУ и камер высокого разрешения, многие по праву считают, что нынешним вычислительным системам необходимы быстрые накопители. Данная проблема была решена в компьютерах с помощью SSD, а в мобильной среде на помощь придёт новая флэш-память eMMC 5.1 от Samsung.

Компания Samsung стала одним из первых производителей, представивших твердотельную память eMMC 5.1, спецификация которой совсем недавно была представлена JEDEC. Стандарт eMMC предназначен для MultiMediaCard и был использован в коммуникаторах и подобных устройствах. Новая память eMMC 5.1 позволяет читать последовательные данные со скоростью до 250 МБ/с и записывать со скоростью до 125 МБ/с. При этом скорости проведения операций чтения и записи составляют 11 000 и 13 000 IOPS соответственно.

Память Samsung eMMC 5.1

Для сравнения, прошлое поколение eMMC 5.0 может достигать «лишь» 90 МБ/с, но при намного меньшем количестве операций ввода вывода за секунду.

По слухам, южнокорейский гигант может устанавливать новую память в свои флагманские смартфоны Galaxy S6, однако никаких подтверждений данной информации пока нет.