Новости про flash-память, NAND и технологии

Innodisk готовит флеш-память с большой долговечностью

Компания Innodisk работает над новой твердотельной памятью iSLC NAND, которая должна значительно увеличить долговечность чипов памяти.

Современная MLC NAND память может выдержать от 3 до 5 тысяч циклов перезаписи. По уверениям Innodisk, новые чипы смогут выдержать порядка 30 000 циклов перезаписи. При этом разработчики обещают, что производительность памяти iSLC будет сопоставима с SLC при заметно меньшей стоимости. Выпуск первых микросхем по технологии iSLC должен произойти уже в этом квартале.

Сама технология предусматривает программирование двух бит на ячейку MLC в один бит на ячейку, что увеличивает разницу чувствительности между слоями. На практике это означает производительность идентичную решениям на базе SLC памяти. В среднем, долговечность iSLC даже превысит показатель в 30 тысяч циклов, многократно увеличив срок службы накопителей, по сравнению с MLC технологией. Кроме того, при подключении по интерфейсу Serial ATA II скорость записи памяти iSLC будет на 70% выше, чем у MLC накопителей.

Фирма Innodisk разрабатывает iSLC для максимально близкой производительности по сравнению с SLC, при максимальном приближении по стоимости к MLC. Сама технология направлена для обеспечения работы в нетребовательных к производительности устройствах, таких как POS-терминалы и интерактивные информационные стенды, при обеспечении высокой ёмкости с сохранением минимальной стоимости.

Viking представили комбинацию DRAM и флэш-памяти

Вчера компания Viking Technology представила свою новую разработку — модули памяти ArxCis-NVTM, которые, по утверждениям разработчиков, могут автоматически определять прерывания ввода-вывода и производить резервное копирование данных на твердотельную NAND память в случае аварийной ситуации.

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Медленно, но уверенно флеш память продолжает становиться все более плотной и более ёмкой.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.