Новости про flash-память

Компания Samsung стала одним из первых производителей, представивших твердотельную память eMMC 5.1, спецификация которой совсем недавно была представлена JEDEC. Стандарт eMMC предназначен для MultiMediaCard и был использован в коммуникаторах и подобных устройствах. Новая память eMMC 5.1 позволяет читать последовательные данные со скоростью до 250 МБ/с и записывать со скоростью до 125 МБ/с. При этом скорости проведения операций чтения и записи составляют 11 000 и 13 000 IOPS соответственно.

Для сравнения, прошлое поколение eMMC 5.0 может достигать «лишь» 90 МБ/с, но при намного меньшем количестве операций ввода вывода за секунду.

По слухам, южнокорейский гигант может устанавливать новую память в свои флагманские смартфоны Galaxy S6, однако никаких подтверждений данной информации пока нет.

Образованная в результате соглашения структура позволит клиентам обеих компаний получить преимущества от концентрации усилий по обеспечению лучших в отрасли решений в области хранения данных, помогая им более быстро и эффективно внедрять инновации.

Несмотря на то, что изначально данное сотрудничество сфокусировано на стратегических поставках NAND и SAS SSD следующего поколения, в Micron и Seagate надеются, что это многолетнее соглашение перерастёт в будущее сотрудничество в работе над решениями для корпоративного рынка, благодаря поддержке технологии NAND flash памяти от Micron. Президент по общемировым операциям с продукцией EMC Corporation Майк Кероуак заявил: «Мы смотрим в будущее на преимущества от этого сотрудничества Micron и Seagate, в будущее технологий хранилищ на основе NAND flash».

«Сотрудничество приведёт как Seagate, так и Micron, к цели роста корпоративного рынка флэш-памяти с лучшим в отрасли предложением из наших обоих портфелей продукции», — заявил Дэррен Томас, вице-президент Micron по накопителям. Он добавил: «Данные отношения обеспечат Micron доступ к технологии корпоративных приводов и платформ, расширив наш портфель и ускорив наше продвижение в сегмент корпоративного рынка».

Как известно, коннектор типа С — является первым реверсивным USB разъёмом, который похож на коннектор Apple Lightning. Это значит, что при подключении флешки не будет существовать правильной и неправильной стороны и вам больше не придётся переворачивать её, чтобы попасть в разъём. Второй важной особенностью флэшек с Type C OTG станет скорость передачи данных до 10 Гб/с, т. е. такая же, как в первом поколении Thunderbolt. Версия USB 3.1 вдвое быстрее 3.0, однако в мире по-прежнему отсутствуют недорогие накопители с памятью, способной работать на таких скоростях.

Новые чипсеты Intel Skylake-S не смогут непосредственно работать со стандартом USB 3.1, однако смогут его поддержать с помощью сторонних контроллеров. Ожидается, что первые платы с USB 3.1 появятся уже во втором полугодии 2015 года. Таким образом 2015 станет годом массового внедрения нового стандарта и можно надеяться, что планшет Nokia N1 не станет единственным мобильным гаджетом с коннектором типа C. Как бы то ни было, но N1, несмотря на поддержку Type C, передаёт данные лишь по стандарту USB 2.0

Гигант рынка полупроводников планирует выпустить первые SSD с памятью 3D NAND во второй половине 2015 года. Эти чипы станут результатом совместной работы с Micron. В них будут собраны 32 плоских слоя, что может обеспечить ёмкость одного MLC ядра в 256 Гб (32 ГБ), а с использованием технологии трёх бит на ячейку (TLC), объём чипа может вырасти до 384 Гб (48 ГБ).

Память 3D NAND обещает совершить прорыв в вопросах стоимости и габаритов. В результате, SSD объёмом 1 ТБ будет иметь толщину всего 2 мм, а через пару лет, благодаря 3D NAND, твердотельные накопители вырастут в объёме до 10 ТБ.

Для сравнения, 32-слойная V-NAND флэш-память от Samsung предлагает всего 86 Гб на ядро MLC и 128 Гб при TLC конфигурации. Таким образом, Intel с Micron становятся явными лидерами рынка твердотельной памяти.

В ходе конференции, компания Intel показала презентацию с работающим прототипом новой флэш-памяти, так что все работы по её созданию действительно подходят к концу. О том, где Intel хочет использовать новые накопители, она пока не решила. Перспективными направлениями использования компания считает центры обработки данных, корпоративных клиентов и энтузиастов PC.

Этот накопитель имеет корпус из «авиационного алюминия», основан на контроллере SandForce и содержит чипы памяти достаточные, для достижения скорости чтения в 455 МБ/с и записи в 440 МБ/с, что вполне соответствует скоростям, демонстрируемыми SATA SSD.

И, конечно, эта скорость не будет дешёвой. Разработчик рекомендовал продавать накопитель объёмом 120 ГБ за 175 долларов США. Для сравнения, SSD Crucial модели MX100 и объёмом 256 ГБ стоит порядка 110 долларов.

Безусловно, удобство иметь SSD накопитель у себя в кармане, нельзя недооценивать. В VisionTek отмечают, что на Pocket SSD можно установить Windows 8.1 и использовать его как устройство в стиле «офис-на-ходу». Поскольку устройство имеет стандартный интерфейс USB 3.0, его можно смело использовать в старых компьютерах с USB 2.0, только не стоит забывать о заметно меньшей скорости.

Приобрести Pocket SSD объёмом 120 ГБ и 240 ГБ можно на сайте VisionTek.

Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.

SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.

Память MRAM характеризуется высокой скоростью, которая сравнима с SRAM и DRAM, однако в отличие от последних она энергонезависма, и позволяет хранить информацию годами, как мы делаем это с флэш памятью.

Технология MRAM, или Magnetoresistive Random Access Memory, не нова, однако только сейчас её работа была продемонстрирована на прототипе в составе микросхемы STT MRAM, на которую данные можно как записывать, так и считывать.

В ходе демонстрации было проведено сравнение чипов MRAM и современной флэш-памяти, при этом новая технология показала в 7 раз большую производительность. В качестве прототипа использовался модуль объёмом всего 8 МБ.

Вы уже предвкушаете новый твердотельный накопитель на магниторезистивной памяти? Зря. По словам самой TDK, до промышленного внедрения технологии ждать придётся ещё порядка 10 лет, да и современных технологий вполне достаточно для большинства нужд.

Однако это вовсе не означает, что мы не увидим применения MRAM в быту, просто сначала эта технология будет опробована в промышленных и научных целях, и лишь затем появятся приборы потребительского класса. Как бы то ни было, но в Buffalo уже объявили, что компания в скором времени начнёт использовать микросхемы нового типа в своих жёстких дисках для организации кэша. Превосходная маленькая победа новой технологии.

Сами микросхемы памяти начали изготавливаться ранее в этом году на заводе, которым компания владеет совместно с Sandisk.

Будучи нацеленной на мобильные телефоны и рынок носимой электроники, 15 нм серия Toshiba на 26% меньше, чем предыдущие микросхемы компании. Кроме того, они на 8% быстрее при случайном чтении и на 20% быстрее при записи, благодаря оптимизации контроллера.

Каждая группа по объёму представлена в двух версиях: Premium, для устройств начального и среднего сегментов, и Supreme, для хай-энд устройств. В первом квартале 2015 года компания станет предлагать модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. По словам Toshiba, во втором квартале будут представлены также модули по 8 ГБ и 128 ГБ. Габариты памяти очень мало зависят от объёма. Например, 32 ГБ Supreme памяти имеют габариты в 11,5х13х1 мм.

Теперь любители мультимедиа могут записать «на накопитель крошечного размера полноценный фильм всего за 40 секунд, наслаждаясь высокой скорость передачи данных, в 10 раз выше, чем в накопителях USB 2.0». Подготовив традиционно пафосный пресс-релиз, компания отказалась пояснять в каком формате и какого объёма этот самый «полноценный фильм».

«Как лидера на просторах флэш накопителей, нашей целью всегда была поставка лучших, наиболее надёжных продуктов», — заявил Филипп Вильямс, директор по маркетингу компании SanDisk. Он добавил: «В то время как на рынке есть и другие продукты USB 3.0, SanDisk Ultra Fit USB 3.0 Flash Drive предлагает потребителям превосходную производительность и впечатляющую ёмкость в предельно компактной конструкции».

Накопитель SanDisk Ultra Fit USB 3.0 Flash Drive создан для продолжения успеха крайне популярного накопителя Cruzer Fit, важного игрока в категории «подключи и оставь». Компания использовала низкопрофильное 2.0 USB решение для расширения ёмкости. Кроме того, новый накопитель получил и обновлённый дизайн, а также увеличенную производительность для быстрой передачи медиаданных.

Скорость чтения компанией гарантируется на уровне 130 МБ/с, а вот о записи лишь сказано, что для моделей объёмом 64 ГБ и 32 ГБ она будет в 10 раз выше, чем у продуктов USB 2.0, а для флэшки ёмкостью 16 ГБ — в 5 раз выше.

Цена на накопители SanDisk Ultra Fit USB 3.0 Flash Drive объёмом 16, 32 и 64 ГБ составит 40, 70 и 110 долларов США соответственно.

Новая карта представлена в ёмкостях от 8 ГБ до 64 ГБ. Сейчас на рынке есть масса производителей SD карт, поэтому ожидать чего-то от карты 10 класса, которая имеет скорость записи не ниже 10 МБ/с, довольно трудно. Решение PNY не может похвастать необычной скоростью записи. По факту, на новой карте она достигала 30 МБ/с, но что касается скорости чтения, то PNY удалось создать невероятно быструю карту.

Как известно, между объёмом и скоростью есть некоторая зависимость, и вот в самой быстрой версии, объёмом 64 ГБ, карта памяти способна отдавать данные со скоростью в 200 МБ/с.

Безусловно, скорости записи в 10 МБ/с вполне достаточно для сохранения высококачественного видео на телефоне или быстрой записи фотографий высокого разрешения даже в RAW формате. Однако использование такой карты в зеркальной фотокамере или видеокамере позволит вам передавать видеозаписи и снимки на компьютер с максимальной скоростью.

Разработчики также видят будущее использование своей новой карты в прочих производительных устройствах, таких как портативные игровые консоли, планшеты и смартфоны, где скорость нужна для быстрого запуска видеоигр.