Новости про flash-память и накопители

Представленный пакет UFS 4.0 обладает размерами 9×13 мм, что является заметным сокращением габаритов от первоначальных 11×13 мм. В пакете используется собственная 3D-NAND-память, расположенная в 232 слоя, что обеспечивает объём до 1 ТБ. При этом, модули имеют скорость последовательного чтения в 4 400 МБ/с и записи — 4 000 МБ/с, чего достаточно для эффективной работы популярных больших языковых моделей и прочих приложений ИИ. В дополнение ко всему этому была на 25% повышена энергоэффективность.

По словам Micron образцы новых пакетов UFS 4.0 уже поставляются партнёрам в версиях объёмом 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Компания рассказала о своём технологическом прорыве, которого она достигла после выпуска самой ёмкой на сегодня NAND-памяти со 238 слоями, которая уже находится в массовом производстве. Этот прорыв вызван ограничениями в количестве стеков и технологическими ограничениями, приводивших к невозможности изготовления чипа толщиной более трёхсот слоёв.

Новая терабитная память из 321 слоя обеспечивает 59% прирост производительности. Её планируют применять в накопителях стандарта PCIe 5.0. коммерческое внедрение памяти запланировано на первую половину 2025 года.

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

В интервью с Алексом МакМулланом, техническим директором Pure Storage, издание Blocks & Files получило эксклюзивную информацию, что уже через три года компания планирует выйти на объёмы 300 ТБ.

Компания создала собственные SSD Direct Flash Module, в которых используется 3D-NAND-память и заказной контроллер. Такие накопители используются в системах FlashArray и работают под управлением специализированной ОС FlashBlade. Столь высокий уровень кастомизации позволяет компании создавать накопители значительных объёмов сейчас и в будущем, по мере развития технологии 3D-NAND.

В ближайшие годы производители 3D-NAND перейдут от современной 200-слойной памяти до 400/500-слойных чипов, поведя накопители на новые высоты. По мере развития технологии, компания Pure со своими картами DFM, используемыми с обычными коннекторами U.2 NVMe в специальном формате, смогут в дальнейшем развивать свои системы Pure FlashArray.

По сравнению с будущими HDD от Toshiba и Seagate, накопители Pure Storage DFM SSD предложат намного большую ёмкость и скорости чтения/записи. Сравнение возможностей накопителей разного типа можно увидеть на графике.

Новые накопители созданы для работы с интерфейсом PCIe Gen4 и изготовлены на основе микросхем NAND-памяти, состоящей из 232 слоёв. Это обеспечивает большое преимущество в повышении скорости работы и снижении энергопотребления.

Производитель заявляет, что Micron 2550 по сравнению с другими конкурирующими продуктами передаёт файлы на 112% быстрее, обеспечивает офисную работу на 67% быстрее, а в творческих задачах быстрее на 78%. Его скорость последовательного чтения достигает 5 ГБ/с, а записи — 4 ГБ/с, и это на 43% и 33% соответственно больше, чем в прошлом поколении продуктов.

Ряд инноваций в области энергосбережения позволил сократить потребление энергии накопителей в спящем режиме до 2,5 мВт, до 150 мВт в простое, а при активной работе энергопотребление на превышает 5,5 Вт, что весьма положительно скажется на сроке автономной работы ноутбука.

Представленный модельный ряд предлагается в размерах накопителей 22×80 мм, 22×42 мм и 22×30 мм и в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Предприятие Технодинамика, входящее в корпорацию, разработало специализированный USB-флеш-накопитель, который построен на вполне традиционной NAND-памяти и типичном контроллере. Однако он имеет батарею и электрический детонатор, который можно использовать для разрушения содержимого накопителя. Процесс выполняется нажатием одной кнопки на краю накопителя, которая активирует детонатор и «выжигает цепь печатной платы кумулятивным зарядом».

Разработчики сообщают, что процесс безопасен для пользователей. Несмотря на громкое название «детонатор», взрыва не происходит. Во флешке нет опасных веществ. Корпус остаётся нетронутым. В общем, всё произойдёт предельно тихо, а не как в фильмах про шпионов.

Игорь Насенков, исполнительный директор Технодинамики, сообщил, что эта флешка создана для защиты информации от возможного несанкционированного доступа. Пока разработка находится на этапе тестирования и её ждёт ещё множество проверок на надёжность при длительной работе, механическую и климатическую стойкость. Также разработчикам ещё нужно определиться с конструкцией корпуса.

Конечно, большинству пользователей вполне достаточно того встроенного шифрования AES-256, что предлагают современные безопасные накопители. Но наверняка каждый сможет представить отрасли, где кроме шифрования нужно применять и дополнительные меры, включая физическое уничтожение данных вместе с носителем.

Новые модули памяти Western Digital iNAND MC EU551 предназначены для обеспечения высочайшей производительности в потребительских устройствах хай-энд класса, таких как камеры сверхвысокого разрешения, устройствах AR/VR, играх и видео 8K.

Накопитель iNAND MC EU551 стал первым продуктом, построенным на платформе UFS 3.1, обеспечив более быструю память NAND и более быстрый контроллер, улучшенную версию прошивки, что в итоге позволяет:

• на 100% увеличить производительность при случайном чтении и до 40% при случайной записи;
• на 90% увеличить скорость последовательной записи, чтобы раскрыть потенциал сетей 5G и Wi-Fi 6;
• на 30% увеличить производительность в последовательном чтении, что ускорит загрузку устройства и увеличит скорость выгрузки данных в Сеть.

Встраиваемый накопитель Western Digital iNAND MC EU551 UFS 3.1 сейчас проходит опытное производство, а массовое производство начнётся уже в июле. Представленные накопители предлагаются в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.

Эта линейка является наследницей популярной серии Supersonic Rage выпущенной в 2013 году. Новое поколение накопителей может похвастать современными микросхемами флэш-памяти 3D-NAND, новыми контроллерами и поддержкой последних технологий.

Устройства используют преимущества шины USB 3.1 Gen1 (5 Гб/с) и имеют интерфейс Type-A, а также протокола UASP (USB-attached SCSI). Разработчик уверяет, что скорость передачи при последовательном доступе составляет 420 МБ/с, а скорость при случайном доступе блоками 4K достигает 8000 IOPS, что делает её идеальным решением для Windows-to-Go или запуска иных ОС.

Накопители Supersonic Rage Pro предлагаются в объёме 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ, которые продаются по цене 40, 60 и 110 евро соответственно.

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

Накопители серии IronKey прошли сертификацию FIPS 140-2 3-го уровня, что гарантирует соответствие правительственным требованиям, в частности, в области защиты от стороннего вмешательства, улучшенной аутентификации и менеджменте криптографических ключей.

Сам флеш-накопитель помещён в защищённый цинковый корпус, а хранимые данные шифруются посредством аппаратной системы AES-XTS с 256-битным ключом. Защита корпуса отвечает стандарту IEC 60529 IPX8, с возможным погружением под воду на глубину до 1,2 м.

Также накопители серии IronKey D300 имеют аппаратную цифровую подпись прошивки, что предохраняет её от атак типа BadUSB с комплексной парольной защитой от неавторизованного доступа. Модель IronKey D300S, в дополнение, получила ещё и уникальный штрих-код идентификации, который может быть просканирован службой безопасности для отслеживания за перемещением и применением. Кроме того, она также имеет виртуальную клавиатуру для ввода паролей кликами мыши, что исключает возможность использования клавиатурного шпиона.

Устройства Kingston IronKey D300 имеют интерфейс подключения USB 3.1 Gen 1, предлагаются в объёме от 4 ГБ до 128 ГБ и обеспечивают скорость чтения в 250 МБ/с и 85 МБ/с при записи.