Новости про e-MMC и flash-память

В отличие от обычных накопителей, эти устройства содержат контроллеры и память в одном пакете, упрощая создание устройств.

Новые e-MMC устройства доступны в объёмах от 16 ГБ до 128 ГБ. Все они изготавливаются по нормам 15 нм процесса, что делает эти чипы одними из самых маленьких в мире. Последовательное чтение данных достигает 320 МБ/с, а запись — 180 МБ/с, что на 2—20% быстрее памяти Toshiba прошлого поколения. Скорость случайного же чтения выросла примерно на 100%, а записи — на 140%.

В памяти UFS используется более широкий интерфейс связи MIPI M-PHY, что позволило в новых модулях увеличить скорость чтения до 850 МБ/с, а записи — 180 МБ/с. Микросхемы UFS построены на той же 15 нм NAND памяти и доступны в объёмах от 32 ГБ до 128 ГБ.

Компания Toshiba производит для своих накопителей не только память, но и контроллеры. Так, фирма разработала собственное аналоговое ядро M-PHY 3.0 и цифровое ядро UniPro 1.6, интегрируемые в UFS контроллер. В результате полученные микросхемы отвечают всем требованиям по скорости работы.

Главными причинами этих прогнозов служат ожидаемо высокий спрос на SSD накопители и прочие устройства хранения. При этом перепроизводство сохранится в секторе флэш-памяти низкого объёма, поскольку основной спрос на неё поступает с уже насытившегося рынка карт памяти и USB накопителей, на котором нет места для дальнейшего роста. В результате цены на твердотельную память высокой и низкой ёмкости будут находиться на противоположных концах прайс-листов, отмечает источник.

Так, цена на 64 Гб и 32 Гб чипы NAND вырастет в 2012 году, поскольку их поставки, как ожидается, будут немного меньше спроса. Спрос на память будет ускорен стремительно растущим рынком SSD и карт памяти eMMC, которые применяются в устройствах потребительского сектора. Предполагается, что общемировые поставки SSD достигнут 40 млн. штук в 2012 году, что значительно больше 12 миллионов проданных SSD в уходящем году. И по мере того, как удельная цена гигабайта в твердотельных накопителях будет снижаться, спрос на них будет расти, пока не достигнет 120─150 млн. экземпляров ежегодно.

Рынок eMMC также должен принести большую прибыль производителям памяти. В текущем году спрос на неё был невелик, ввиду недостаточно отработанной технологии производства контроллеров. Однако с преодолением этих трудностей в 2012-м спрос на память eMMC тоже резко возрастёт.

Тем не менее, по мнению аналитиков, цена на NAND чипы начального уровня с 3-я битами на ячейку вырастет крайне незначительно. Однако если же тенденции по переходу флэш накопителей на интерфейс USB 3.0 ускорятся, то появившийся спрос может вызвать некоторую нехватку этих микросхем, и таким образом способствовать более значительному росту цены.

Карта памяти формата e-MMC использует стек чипов памяти объёмом 64 Гб. Применяемые микросхемы представляют собой NAND память «20 нм класса» с интерфейсом DDR2. Микросхемы памяти имеют толщину 1,4 мм и массу 0,6 г.

«Начав в этом году производство 64 ГБ e-MMC решений на основе 64 Гб микросхем, мы ускорили темп внедрения встраиваемых карт памяти премиум класса»,— заявил в своем отчёте вице-президент по маркетингу памяти Samsung Мьюн Хо Ким (Myung Ho Kim).

По заявлению компании-производителя, карта памяти способна обеспечить последовательное чтение на скорости до 80 МБ/с и последовательную запись до 40 МБ/с, что примерно в три раза лучше продуктов нынешнего поколения. Производительность ввода-вывода заявлена разработчиками на уровне 400 IOPS.

Первые карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung начали поставлять ещё в январе 2010 года, используя для их производства 30 нм чипы NAND объёмом 32 Гб. Производство 64 ГБ модулей NAND памяти с использованием 20 нм чипов ёмкостью 32 Гб было начато ранее в этом году. О том, когда же компания начнёт поставки представленной вчера памяти, ничего не сообщается.