Новости про DDR4 и Samsung

Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

Samsung

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Микросхемы памяти Samsung LPDDR4

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

Samsung изготовила 8 Гб микросхемы DDR4

Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

32 ГБ модуль памяти DDR4 от Samsung

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

Samsung начала промышленное производство 20 нм памяти DDR4

Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Модуль памяти Samsung DDR4

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Samsung изготовили первый серверный модуль DDR4 на 16 ГБ

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в разработке технологий памяти, заявила, что начала изготавливать первые образцы модулей памяти DDR4 объёмом 16 ГБ, разработанной для применения в серверах.

«С запуском новых высокоплотных модулей DDR4, Samsung вышла на путь тесной технической кооперации с ключевыми производителями CPU и серверов для разработки зелёных IT систем следующего поколения»,— заявил вице-президент Samsung Electronics по продажам памяти и маркетингу Ванхун Хон (Wanhoon Hong). «Кроме того Samsungбудет агрессивно продвигаться на рынок премиум памяти для профессиональных систем, включая корпоративные серверные системы и обслуживание конкурентных систем для продуктов SamsungGreenMemory при продолжении работы над введением в будущем DDR4 DRAM 20 нанометрового класса».

Модуль памяти Samsung DDR4 объёмом 16 ГБ

Используя технологию 30 нм класса, Samsung изготовили 8 ГБ и 16 ГБ модули памяти DDR4. Эти модули обеспечат максимальную плотность и производительность для корпоративных серверов премиум класса. Напомним, что память DDR4 30 нм производственного класса компания Samsung представила на 2 ГБ модулях в декабре 2010 года.

Компания утверждает, что тесно сотрудничает со своими клиентами, включая OEM производителей серверов, а также с фирмами, работающими на рынке CPU и контроллеров. Целью этого сотрудничества является расширение рынка модулей DDR4 после начала их массового производства в следующем году. После перехода в будущем году на 20 нм класс, компания обещает выпустить на рынок модули памяти ещё большей плотности, объёмом в 32 ГБ.

Samsung разработала первые модули памяти DDR-4

Следующее поколение оперативной памяти уже проходит тестирование.

Samsung Semiconductor объявило о завершении разработки модулей памяти стандарта DDR4 и начале опытного производства соответствующих микросхем памяти по 30 нм технологическому процессу. Разработка памяти стандарта DDR4 началась еще в 2008 года, а появление на рынке ожидается лишь в 2012 году, но уже сейчас компания начала предоставлять модули ёмкостью 2 Гб разработчикам контроллеров для тестирования. Модули DDR4 предоставят скорость обмена 2,133 Гбит/с (эффективная полоса пропускания 17,064 Гб/с на модуль) при напряжении питания 1,2 В, с перспективой достижения в будущем скоростей обмена до 3,2 Гбит/с. Представленные на изображении модули имеют маркировку PC4-14300E, что означает эффективную полосу пропускания в 14,3 Гб/с, и, судя по числу микросхем и индексу E, поддерживают ECC и предназначены для серверов.

Samsung DDR-4 memory module

Главным преимуществом новой памяти в Samsung считают снижение энергопотребления в сравнении с текущими модулями DDR-3. В ноутбуках компания ожидает уменьшения вклада оперативной памяти в разрядку батарей на 40 %, как благодаря общему снижению напряжения, так и благодаря применению технологии терминации линий шины Pseudo Open Drain, уже хорошо зарекомендовавшей себя в памяти GDDR для графических применений.

Стандартизация DDR4 в консорциуме JEDEC должна произойти во второй половине этого года, так что к концу года память DDR4 уже может выйти на серверный рынок.