Новости про DDR4, Samsung и производство

Микросхемы DRAM DDR4 от Samsung, выпущены по второму поколению технологии 10 нм класса, они имеют объём 8 Гб. Они обеспечивают 30% прирост в производительности по сравнению с первым поколением 10 нм класса производства. Энергоэффективность новых микросхем была увеличена на 15%, а 10% прирост производительности обусловлен новыми проприетарными технологиями производства. Среди инноваций компания отметила высокочувствительную систему данных ячеек и прогрессивную схему воздушного зазора.

Новые 8 Гб микросхемы DDR4 могут работать на скорости 3600 Мб/с на контакт, в то время как 8 Гб чипы первого поколения обеспечивают скорость в 3200 Мб/с на контакт.

Компания Samsung уже завершила валидацию памяти второго поколения 10 нм класса у производителей CPU. Следующим шагом компании станет тесное сотрудничество с заказчиками в разработке более эффективных вычислительных систем следующего поколения.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».