Новости про DDR4 и Samsung

Samsung анонсирует первые в мире чипы LPDDR4X объёмом 24 Гб

Компания Samsung объявила, что смогла создать первый в мире мультичиповый пакет памяти LPDDR4X на основе формата UFS. Этот пакет имеет объём 12 ГБ и уже готов к началу поставок.

Модуль 12 GB uMCP LPDDR4X будет производиться по 1y-нанометровому процессу. В нём комбинируются 4 чипа LPDDR4X объёмом по 24 Гб каждый и NAND накопитель eUFS 3.0. Всё это заключено в едином пакете.

Компания отмечает, что использование данных пакетов позволит предложить 12 ГБ оперативной памяти не только для смартфонов хай-энд класса, но и для телефонов среднего уровня. Этот объём необходим, поскольку производители смартфонов применяют экраны всё большего разрешения, и компаниям просто необходимо увеличение доступной ОЗУ, чтобы обеспечить высокую производительность и многозадачность.

Пакет Samsung 12 GB uMCP LPDDR4X

Новая технология предлагает полуторное увеличение ёмкости оперативной памяти, по сравнению с прошлым поколением, при сохранении скорости в 4266 Мб/с. Этого достаточно для видео в разрешении 4K и средств искусственного интеллекта.

Модули Samsung 12 GB uMCP LPDDR4X уже находятся в массовом производстве. Их поставки заказчикам начнутся в ближайшее время.

Samsung приступает к производству чипов памяти типа A-Die

То, что компания Samsung работала над созданием микросхем памяти типа A-die, не является секретом. В связи с этим обозреватели ожидают дальнейшего удешевления памяти.

Сейчас южнокорейский гигант планирует разместить новые чипы DDR4, изготовленные по 10 нм нормам, в потребительских модулях. В Сети даже появились номера моделей этих модулей, M378A4G43AB2-CVF. Именно они и получат микросхемы типа A-die.

Оперативная память Samsung A-Die

Микросхемы B-die от Samsung считаются лучшими. Их предпочитают все оверклокеры, однако в настоящее время они сняты с производства, и постепенно им на смену будут приходить модули с микросхемами A-dies, которые основаны на более тонком 10 нм процессе. Переход на более тонкие технологии позволяет уплотнить память, разместить большее количество микросхем на одной пластине, а потому снизить себестоимость.

Представленная пара модулей имеет объём 32 ГБ, с 8 чипами на модуль. Однако у этих приятный изменений есть и ложка дёгтя. Дело в том, что из-за незрелости технологии пришлось снизить частоты работы памяти. Данный набора работает на частоте 2933 МГц, что очень слабо. Но ещё хуже тайминги: CL21-21-21. Этой памяти явно нужны улучшения до CL17 или CL16.

Samsung разработала 3-е поколение памяти DDR4 10-нанометрового класса

Компания Samsung заявила о завершении разработки 3-го поколения оперативной памяти DDR4 DRAM 10-нанометрового класса, для чего ей не потребовалась экстремальная ультрафиолетовая литография.

Благодаря своим разработкам была выпущена память 1Z нм объёмом 8 Гб. Технология позволила увеличить долю выпуска годной продукции на 20%, по сравнению с прошлым поколением. Массовое производство микросхем начнётся во второй половине 2019 года.

1z нм память DDR4 от Samsung

Новая память планируется к использованию в серверах нового поколения и хай-энд компьютерах, выпускаемых в 2020 году. Также технология будет использоваться для производства DRAM памяти других типов, включая DDR5, LPDDR5 и GDDR6.

В компании отмечают, что наладка производства 1Z нм памяти позволит фирме сохранить лидерство на рынке DRAM.

Samsung выпускает одночиповую память LPDDR4X объёмом 12 ГБ

Компания Samsung анонсировала выпуск пакетов памяти LPDDR4X объёмом 12 ГБ, которая предназначена для смартфонов нового поколения. Таким образом, южнокорейский гигант создал самый ёмкий пакет, который будет использоваться с 512 ГБ eUFS хранилищем.

В новом чипе компания упаковала шесть отдельных 1Y-нм ядер объёмом 16 Гб. Толщина полученного пакета составляет 1,1 мм, а пропускная способность — 34,1 ГБ/с. Хотя компания сообщила, что чип будет использоваться в новых флагманских смартфонах, пока она не назвала ни одной модели.

Память Samsung LPDDR4X объёмом 12 ГБ

Новая микросхема выпущена вслед за аналогичным LPDDR4X решением объёмом 8 ГБ, в котором упакованы те же 16 Гб ядра, изготовленные по 1y нм процессу. Увеличение объёма ОЗУ компания связывает с возросшим спросом на такую память.

В любом случае, этим модулям компания уже готовит замену. Так, у Samsung уже есть образцы 8 ГБ пакетов LPDDR5, которые построены на ядрах объёмом 8 Гб, но пока у фирмы нет точных сроков её выпуска.

Samsung выпустила самую маленькую микросхему DRAM

Компания Samsung Electronics выпустила новые микросхемы оперативной памяти, которые по её уверению являются самыми маленькими в мире.

Микросхемы DRAM DDR4 от Samsung, выпущены по второму поколению технологии 10 нм класса, они имеют объём 8 Гб. Они обеспечивают 30% прирост в производительности по сравнению с первым поколением 10 нм класса производства. Энергоэффективность новых микросхем была увеличена на 15%, а 10% прирост производительности обусловлен новыми проприетарными технологиями производства. Среди инноваций компания отметила высокочувствительную систему данных ячеек и прогрессивную схему воздушного зазора.

Новые 8 Гб микросхемы DDR4 могут работать на скорости 3600 Мб/с на контакт, в то время как 8 Гб чипы первого поколения обеспечивают скорость в 3200 Мб/с на контакт.

Компания Samsung уже завершила валидацию памяти второго поколения 10 нм класса у производителей CPU. Следующим шагом компании станет тесное сотрудничество с заказчиками в разработке более эффективных вычислительных систем следующего поколения.

Samsung выпустила 8 ГБ модули ОЗУ

Похоже, что в скором будущем мы увидим смартфоны, оснащённые 8 ГБ оперативной памяти, поскольку компания Samsung приступила к выпуску 8 ГБ модулей оперативной памяти в крошечном пакете.

В представленных модулях использована память типа LPDDR4, изготавливаемая по 10 нм технологии. Распространение 64-битной архитектуры в SoC для смартфонов позволило устанавливать в портативные устройства больше 4 ГБ ОЗУ, однако многие производители, включая Samsung, пока не заинтересованы в этом. Выпустив же 8 ГБ модули стоит ожидать, что южнокорейские флагманы будущего года могут получить целых 8 ГБ ОЗУ.

Память LPDDR4 сейчас является самой быстрой среди всей памяти с низким энергопотреблением. По словам Samsung, представленная ею RAM находится в том же классе, что и память для ПК, только работает на частоте вдвое большей, которая составляет 4266 МГц.

Благодаря 10 нм техпроцессу удалось создать модули размером 15х15х1 мм. Столь малая толщина также позволяет размещать их поверх других чипов.

Пока цель использования этих модулей в смартфонах не совсем понятна, однако в планшетах и производительных устройствах 2-в-1 она может прийтись кстати.

Samsung представила 10 нм память LPDDR4

Компания Samsung представила мобильную память LPDDR4 объёмом 6 ГБ, изготовленную по 10 нм техпроцессу. По слухам, эта память будет использована в смартфоне Galaxy Note 6, который поступит в продажу в августе этого года.

Отмечается, что новый смартфон получит 5,8” AMOLED дисплей «Slim RGB» и будет основан на процессоре Snapdragon 823. Также платформа получит 6 ГБ оперативной памяти. Также, по слухам, Galaxy Note 6 получит сканер роговицы.

По всей видимости, Note 6 станет первым смартфоном от Samsung, оснащённым 6 ГБ памяти LPDDR4.

Будучи изготовленной по 10 нм технологии, новая память обеспечит большую производительность при меньшем энергопотреблении, что означает увеличение времени автономной работы. Сообщается, что компания уже занята разработкой прошивки для данного смартфона, который должен появиться в продаже в августе.

Samsung начинает массовое производство 10 нм памяти DDR4

Компания Samsung приступила к массовому производству «первых в мире 10 нм, 8 Гб чипов DRAM DDR4», а также модулей памяти, основанных на этих чипах.

По уверению разработчиков, новая память обеспечит лучшие скорости передачи данных и повышенную энергоэффективность, по сравнению с предыдущей памятью 20 нм класса. Так, прирост составит до 30%, а чипы смогут поддерживать передачу данных на скорости до 3200 Мб/с.

Что касается энергоэффективности, то она возрастёт на 10—20%. Этого удалось добиться благодаря фирменной конструкции ячеек памяти Samsung, новой технологии литографии и технологии осаждения сверхтонкого диэлектрического слоя.

Кроме энергоэффективности это позволило повысить и качество. В своём блоге компания отметила, что при переходе на 10 нм производство 8Gb DDR4 DRAM количество брака на пластинах снизилось более чем на 30%.

Следующим шагом в развитии памяти, компания Samsung видит выпуск более плотных 10 нм чипов мобильной ОЗУ, которая будет иметь меньшие габариты и большую скорость работы.

Также не будут забыты и пользователи PC, которые получат модули памяти объёмом от 4 ГБ для ПК и ноутбуков до 128 ГБ для промышленных серверов. Эти модули памяти южнокорейская компания планирует выпустить в текущем году.

Чипы Samsung позволят расширить ОЗУ смартфонов до 6 ГБ

Объёмы оперативной памяти устройств растут постоянно, однако сейчас производители столкнулись с технологическими ограничениями дальнейшего роста объёма ОЗУ, которые инженерам Samsung удалось преодолеть. В результате, ваш будущий смартфон или планшетный компьютер будет работать заметно быстрее, и содержать вдвое больше ОЗУ.

Южнокорейский гигант заявил о начале массового производства 12 Гб (1,5 ГБ) модулей памяти DDR4 для мобильных устройств, производимых на собственных 20 нм заводах. Эти новые микросхемы памяти имеют тот же физический размер, что и 6 Гб модули компании, что означает, что устройства могут получить вдвое больше ОЗУ при том же занимаемом на печатной плате пространстве. Либо же будут доступны меньшие по размеру телефоны с 3 ГБ ОЗУ.

Кроме того сообщается, что новые модули на 30% более производительны, чем 8 Гб чипы компании, используемые во многих устройствах с 4 ГБ ОЗУ, что несомненно положительно скажется на общей производительности мобильных устройств. Вообще же Samsung амбициозно заявила, что её новая память вдвое быстрее, чем DDR4 RAM для компьютеров. Также эта память использует на 20% меньше энергии, означая более эффективное использование заряда аккумулятора.

Сейчас компания занимается производством чипов и заполнением складов, а значит, ваш следующий гаджет может иметь больше ОЗУ, чем ваш настольный компьютер.

Samsung снизила цену на память DDR4

Памяти стандарта DDR4 ещё предстоит стать основой обычных ПК, однако Samsung Electronics уже заботится о своём будущем, для чего снижает стоимость чипов. Этот подход позволит компании захватить больше рынка ОЗУ и повлечёт дальнейшее удешевление чипов.

В настоящее время память DDR4 можно встретить исключительно в настольных ПК высшего уровня и серверных системах. Основная же масса компьютеров использует память DDR3. В ближайшие месяцы Intel готовит выпуск процессоров с микроархитектурой Skylake, которая будет поддерживать память DDR4, что повлияет на увеличение спроса на модули памяти данного типа. Компания Samsung, желая гарантировать себе надёжную позицию на новом рынке, начала предлагать DDR4 со скидкой.

Теперь цена на память DDR4 близка к цене DDR3. Если Samsung закрепится на этом рынке, другие производители ОЗУ, такие как SK Hynix и Micron Technology, будут вынуждены и дальше снижать цену.

Эксперты в данной области уверены, что для сохранения высокого дохода производители будут вынуждены изготавливать микросхемы DRAM по наиболее тонким техпроцессам, таким как с размером элементов 20 нм, и сейчас лишь Samsung выпускает значительное количество памяти по данной технологии. Именно поэтому компания и может позволить себе скидку.

Сама же Samsung отказалась комментировать данную информацию.