Новости про DDR4 и LPDDR

Южнокорейский гигант заявил о начале массового производства 12 Гб (1,5 ГБ) модулей памяти DDR4 для мобильных устройств, производимых на собственных 20 нм заводах. Эти новые микросхемы памяти имеют тот же физический размер, что и 6 Гб модули компании, что означает, что устройства могут получить вдвое больше ОЗУ при том же занимаемом на печатной плате пространстве. Либо же будут доступны меньшие по размеру телефоны с 3 ГБ ОЗУ.

Кроме того сообщается, что новые модули на 30% более производительны, чем 8 Гб чипы компании, используемые во многих устройствах с 4 ГБ ОЗУ, что несомненно положительно скажется на общей производительности мобильных устройств. Вообще же Samsung амбициозно заявила, что её новая память вдвое быстрее, чем DDR4 RAM для компьютеров. Также эта память использует на 20% меньше энергии, означая более эффективное использование заряда аккумулятора.

Сейчас компания занимается производством чипов и заполнением складов, а значит, ваш следующий гаджет может иметь больше ОЗУ, чем ваш настольный компьютер.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

Итак, спецификация получила название JESD209-4 Low Power Double Data Rate 4 или коротко — LPDDR4.

Он определяет пропускную способность модулей LPDDR4 на уровне 3200 МТ/с, а целевая скорость составит 4266 МТ/с, что вдвое больше, чем установлено для LPDDR3.

Для достижения этого архитектура была полностью переработана. В ней было заменено 16-битное одноканальное ядро на 32-битное двухканальное ядро (по 16 бит на канал). Ключевой особенностью новой памяти стала именно двухканальная архитектура, поскольку она позволяет снизить затраты энергии, необходимые для отправки больших объёмов данных, требуемых для интерфейса LPDDR4. Также были объединены тактовая и адресная шины, что позволило уменьшить тайминги.

На первый взгляд память LPDDR4 значительно превосходит по своим характеристикам прошлое поколения, и очень жаль, что мы не увидим лэптопов, основанных на ней, до середины будущего года.