Новости про DDR3 и Elpida

Компания Elpida объявила о разработке 25 нм модулей памяти

В четверг компания Samsung провела громкую презентацию своего нового завода по производству модулей памяти «20 нм класса». Причем по заявлению самой компании, это крупнейший завод в мире. И вот на следующий день, японская фирма Elpida Memory, специализирующаяся на производстве микросхем памяти, заявила, что им удалось создать самый маленький 4 Гб модуль памяти DDR3.

Такого результата в Elpida смогли достичь благодаря внедрению технологии производства микросхем с размером элементов равных 25 нм. Напомним, что ранее, в мае этого года, японская компания объявила о разработке 25 нм микросхем памяти ёмкостью 2 Гб.

Elpida

Новый чип Elpida потребляет на 25—30% меньше операционного тока, при этом сила тока в режиме ожидания также снижается на 30—50%, по сравнению с модулями памяти такого же объёма, но изготовленных по нормам 30 нм техпроцесса. Кроме превосходств, связанных с пониженной мощностью, изготовитель также заявил, что благодаря 25 нм техпроцессу новые 4 Гб чипы имеют на 45% большую производительность, чем 30 нм решения их же производства.

Характеристики 4 Гб 25 нм чипов Elpida

Новые 4 Гб микросхемы памяти могут работать на частоте 1866 МГц при напряжении питания 1,35 В или 1,5 В и предназначены для применения в модулях памяти для всех устройств, начиная от настольных ПК и серверов и заканчивая нетбуками.

Первые образцы памяти, изготовленной по усовершенствованному техпроцессу, а также коммерческое производство чипов, компания планирует начать уже в конце этого года.

Elpida начала массовое производство 2-Гбит 40-нм чипов DDR3

Японский производитель памяти, Elpida Memory, сообщила о том, что сегодня ею началось на заводе в Хиросиме началось производство 40-нм 2-гигабитных чипов памяти DDR3.

Завершение разработки 40-нм чипов DDR3 компания закончила в октябре, поэтому всего за два месяца Elpida удалось наладить массовое производство.

По данным Elpida, новые 2-гигабитные кристаллы DDR3 позволяют производить на 44 % больше чипов на одной 300-мм пластине по сравнению с 50-нм чипами. По сравнению с 50-нм чипами, новые продукты также используют на две трети меньше тока и работают при напряжении всего 1,2/1,35 В. Всё это позволяет уменьшить энергопотребление на 50 %.

В середине 2010 года компания собирается расширить 40-нм производство чипов памяти и на своё подразделение Rexchip в Тайване.