Новости про DDR3

Samsung сообщает о повышении цены на DDR3

Южнокорейский гигант, Samsung Electronics, крайне агрессивно настроен на курс повышения стоимости на DRAM модули памяти.

Компания имеет планы по повышению контрактной цены на модули DDR3 объёмом 4 ГБ к концу нынешнего года до 25—27 долларов США. При этом ряд рыночных обозревателей не считают мировую экономическую ситуацию подходящей для такого шага.

В настоящее время, со второй половины января, наблюдается умеренный рост цены на DRAM модули, однако он начал заметно замедляться к концу мая. Сейчас модуль памяти DDR3 объёмом 4 ГБ стоит на оптовом рынке 21,5 доллара.

Поставщики чипов по-прежнему ведут переговоры со своими OEM клиентами по поводу январских квот, что должно сохранить цены или позволит им вырасти крайне незначительно. Спрос на конечном рынке продолжает слегка обескураживать OEM поставщиков ПК своим уверенным повышением.

Несмотря на это, производители ПК придерживаются традиционных оценок спроса на ПК в третьем квартале. Некоторые из них, например Hewlett-Packard, даже уменьшили заказы на чипы памяти.

Промышленные источники полагают, что цены на оперативную память во втором полугодии будут, наиболее вероятно, расти постепенно, без всплесков стоимости.

DDR4 начнёт заменять DDR3 в 2014

Память DDR3 задержалась на наших ПК на довольно продолжительный срок, однако к 2014 году ожидается выход на рынок памяти стандарта DDR4. Но что же это означает для потребителей?

Весной этого года Intel выпускает очередное поколение процессоров Core i-. И мы можем сосчитать, что от начала применения памяти этого типа с процессорами Core 2 Quad до Ivy Bridge прошло 6 поколений CPU. Причём тенденция продолжится ещё минимум два года. Это куда дольше, чем те четыре года, которые просуществовали DDR1 и DDR2.

В любом случае, наследник уже виден на горизонте. Стандарт DDR4 был утверждён и ожидается, что первые образцы памяти этого типа появятся уже через два года. Так что он нам даст?

Введение четвёртого поколения DDR в первую очередь обеспечит значительный рост скорости. Базовый уровень предложит DDR4-2667 и DDR4-3200, а в будущем, в течение полугода после выпуска, появятся DDR4-4000 и 4266. Для снижения задержек первые чипы DDR4 будут иметь целых 16 банков на каждой пластине, таким образом, большее число одновременно открытых страниц должно привести к снижению задержек.

Во вторую очередь новая память обеспечит лучшее энергосбережение. Стандартным напряжением станет 1,2 В, при этом опционально будут предложены модули напряжением 1,05 В. В свою очередь снижение мощности приведёт к меньшему нагреву модулей.

В-третьих, изменится конструкция модулей памяти и материнских плат. Память DDR4 будет сходна с памятью Rambus в интерфейсе «точка-точка» с меньшей нагрузкой на каждый канал, что ускорит передачу данных и уменьшит задержки. Ожидается, что все первые модули памяти будут иметь двузначные CL задержки. Как думаете, вам понравится CL15 на DDR4-3200?

И напоследок стоит отметить, что будет улучшена коррекция ошибок, т. к. DDR4 имеет лучшие способы контроля чётности и ECC ошибок, по сравнению с памятью прошлых типов, что положительно скажется на стабильности работы серверов.

Что ж, ждать осталось не так и долго. Судя по приведенной диаграмме, в производительных системах эта память будет широко использоваться уже в 2015 году, однако ряд производителей памяти, в частности Samsung, толкают Intel к скорейшему введению нового стандарта, поскольку только в этом производители видят для себя выход из кризиса.

Снова побит рекорд частоты памяти

В конце февраля известный шведский оверклокер Кристиан Нэй (Christian Ney) вновь установил рекорд частоты, с которой может работать память DDR3.

Для этого он использовал набор памяти G.SKILL RipjawsZ. Применив 4 ГБ модуль памяти, Нэй достиг частоты DDR3 в 3736 МГц.

О своём эксперименте Нэй заявил: «Настраивать память SKILL было очень весело. Вы можете почувствовать неограниченный потенциал, и всё время хотите гнать выше и выше».

Для проведения разгона швед использовал материнскую плату GA-A75-UD4H от Gigabyte с зарекомендовавшим себя в разгоне процессором AMD. В данном случае был установлен APU A8-3870, работавший с частотой 1600 МГц.

Новый рекорд максимальной частоты работы памяти был подтверждён HWBOT, широко известной среди оверклокеров организацией.

Corsair анонсировали четырёхканальные комплекты памяти

Сразу после выхода процессоров Sandy Bridge-E от Intel, в которые интегрирован четырёхканальный контроллер памяти, ведущий производитель памяти Corsair, анонсировал и новые комплекты памяти.

Новые наборы ОЗУ предназначены для работы в четырёхканальном контроллере и должны работать с новыми процессорами, которые устанавливаются в сокет LGA 2011, наряду с оригинальными 32 ГБ модулями анонсированных компанией месяц назад.

Комплекты Dominator и Vengeance будут использовать технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP) версии 1.3, которая позволяет легко подстраивать производительность модулей. В наборах Dominator используются обычные радиаторы DHX+, в то время как в модулях Vengeance алюминиевый тепловой спредер.

Модули Dominator доступны в частотных вариантах от 1600 МГц до 2400 МГц, с ёмкостью от 8 ГБ (4 модуля по 2 ГБ) до 32 ГБ (4 модуля по 8 ГБ). Vengeance доступны в частотах от 1600 МГц до 1866 МГц и тех же объёмах.

Dominator

Объём

Скорость

Номенклатура

32 ГБ

1866 МГц, 9-10-9-27, 1.5 В

CMT32GX3M4X1866C9

32 ГБ

1600 МГц, 10-10-10-27, 1.5 В

CMP32GX3M4X1600C10

16 ГБ

2133 МГц, 9-11-10-27, 1.5 В

CMT16GX3M4X2133C9

16 ГБ

1866 МГц, 9-10-9-27, 1.5 В

CMP16GX3M4X1866C9

Vengeance

Объём

Скорость

Охлаждение

Номенклатура

32 ГБ

1866 МГц, 10-11-10-30, 1.5 В

Jet Black

CMZ32GX3M4X1866C10

32 ГБ

1600 МГц, 10-10-10-27, 1.5 В

Jet Black

CMZ32GX3M4X1600C10

16 ГБ

1600 МГц, 9-9-9-24, 1.35 В

Military Green

CMZ16GX3M4X1600C9G

16 ГБ

1600 МГц, 9-9-9-24, 1.5 В

Jet Black

CMZ16GX3M4X1600C9

16 ГБ

1600 МГц, 8-8-8-24, 1.5 В

Low-Profile Jet Black

CML16GX3M4X1600C8

8 ГБ

1600 МГц,  9-9-9-24, 1.5V

Jet Black

CMZ8GX3M4X1600C9

8 ГБ

1600 МГц, 9-9-9-24, 1.35V

Military Green

CMZ8GX3M4X1600C9G

8 ГБ

1600 МГц, 8-8-8-24, 1.5V

Racing Red

CMZ8GX3M4X1600C8R

«Corsair гордятся поддержкой нового второго поколения процессоров IntelCorei7 для LGA-2011 широким диапазоном комплектов четырёхканальной памяти с высокой и экстремальной производительностью», — заявил вице-президент подразделения памяти в Corsair Ти Ла (Thi La). «Эти комплекты идеальны для энтузиастов, являются ли они соревнующимися оверклокерами, геймерами, изготовителями рабочих станций или же просто хотят иметь возможность оснастить свои системы надёжной высокопроизводительной памятью объёмом до 32 ГБ».

Viking представили комбинацию DRAM и флэш-памяти

Вчера компания Viking Technology представила свою новую разработку — модули памяти ArxCis-NVTM, которые, по утверждениям разработчиков, могут автоматически определять прерывания ввода-вывода и производить резервное копирование данных на твердотельную NAND память в случае аварийной ситуации.

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.

Corsair выпускает 8 ГБ модули памяти

Входящая в лидирующую тройку производителей памяти компания Corsair начала выпуск модулей DDR3 объёмом 8 ГБ сразу двух типов: обычная память для ПК с общим объёмом 32 ГБ, и память следующего поколения SNB-E для платформы X79 с общим объёмом 64 ГБ.

Компания начала производство модулей памяти с самым большим объёмом в 8 ГБ под названием Vengeance и Value. Модель Vengeance заявлена как DDR3-1600 при задержках 10-10-10-27. Вторая модель должна работать на частоте 1333 МГц при формуле задержек 9-9-9-27. Для обеих моделей номинальное напряжение питания равно 1,5 В.

Представленные планки памяти не будут стоить дешево. Заявленная цена на старшую модель составляет 270 долларов США, что означает, что 32 ГБ комплект для двухканальных платформ обойдется в 1 080 долларов. В то же время 64 ГБ комплект для X79 и процессора Jaketown обойдется в 2 160 долларов.

Наши коллеги с сайта BSoN имели возможность пообщаться с представителями Corsair, которые сообщили, что их модули памяти большого объёма, в своём следующем поколении, будут иметь меньшую стоимость, однако компания, безусловно, выйдет на рынок ёмкой памяти до того, как более дешевая память станет доступной. И в этом есть смысл, ведь модули Vengeance 8 ГБ имеют самый большой, на сегодняшний день объём.

Факт в том, что теперь у каждого появилась возможность оснастить свой компьютер 32 ГБ оперативной памяти, и такое технологическое достижение должно вызвать большой ажиотаж у энтузиастов, стремящихся получить максимальную производительность своей системы.

Компания Elpida объявила о разработке 25 нм модулей памяти

В четверг компания Samsung провела громкую презентацию своего нового завода по производству модулей памяти «20 нм класса». Причем по заявлению самой компании, это крупнейший завод в мире. И вот на следующий день, японская фирма Elpida Memory, специализирующаяся на производстве микросхем памяти, заявила, что им удалось создать самый маленький 4 Гб модуль памяти DDR3.

Такого результата в Elpida смогли достичь благодаря внедрению технологии производства микросхем с размером элементов равных 25 нм. Напомним, что ранее, в мае этого года, японская компания объявила о разработке 25 нм микросхем памяти ёмкостью 2 Гб.

Новый чип Elpida потребляет на 25—30% меньше операционного тока, при этом сила тока в режиме ожидания также снижается на 30—50%, по сравнению с модулями памяти такого же объёма, но изготовленных по нормам 30 нм техпроцесса. Кроме превосходств, связанных с пониженной мощностью, изготовитель также заявил, что благодаря 25 нм техпроцессу новые 4 Гб чипы имеют на 45% большую производительность, чем 30 нм решения их же производства.

Новые 4 Гб микросхемы памяти могут работать на частоте 1866 МГц при напряжении питания 1,35 В или 1,5 В и предназначены для применения в модулях памяти для всех устройств, начиная от настольных ПК и серверов и заканчивая нетбуками.

Первые образцы памяти, изготовленной по усовершенствованному техпроцессу, а также коммерческое производство чипов, компания планирует начать уже в конце этого года.

Производители памяти испытывают трудности

Промышленность, связанная с производством памяти, сейчас переживает не лучшие времена. Причиной тому стало резкое падение стоимости на чипы, вызванное их перепроизводством.

Некоторые из компаний-производителей памяти даже были вынуждены изменить свои рыночные планы на оставшийся период 2011 года.

По информации Digitimes, котировка мейнстрим модулей памяти DDR3 ёмкостью 2 Гб упала ниже 1 доллара, но ещё хуже то, что существующая тенденция по снижению уровня продаж вряд ли изменится в обозримом будущем.

Одной из возможных причин снижения спроса на микросхемы памяти является слабые продажи ПК и ноутбуков. В то же время планшетные компьютеры и сервера не обеспечивают объём продаж достаточный для преодоления кризиса.

Некоторое время назад Samsung начали активное продвижение памяти изготавливаемой по технологии 20 нм класса, что позволило снизить стоимость производства и смягчить предстоящий удар по промышленности DRAM.

Похоже, что в результате нынешнего кризиса перепроизводства многим, не очень богатым компаниям, придётся покинуть рынок, как это сделали Siliconware Precision Industries (SPIL). Другие же заводы, вроде ChipMOS Technologies, будут вынуждены уменьшать свои операционные расходы, стараясь просто выжить.

AMD начинает продажи памяти DDR3 под брендом Radeon

Удивительно тихо и незаметно компания AMD, известная своими центральными, графическими и гибридными процессорами, начала продажи нового продукта. Этим продуктом стали модули оперативной памяти DDR3, для которых компания выбрала уже раскрученный бренд Radeon.

Со ссылкой на PCWatch, сайт Bright Side of News сообщает, что планки памяти уже продаются в Японии. В настоящее время для приобретения доступны модули памяти объёмом 2 ГБ. Компания представила три модели модулей памяти отличающихся рабочей частотой и таймингами. Так, серия Entertainment содержит чипы DDR3-1333 с таймингами 9-9-9, более быстрая «ULTRAPRO Gaming» имеет память DDR3-1600 и тайминги 11-11-11. Характеристики третьей модели модулей Radeon под названием Enterprise, пока еще не объявлены.

Большая часть модулей памяти имеет традиционный зелёный цвет, однако на сайте AMD представлены и модули голубого цвета, хотя оба этих цвета нельзя назвать характерными для торговой марки Radeon.

Безусловно, компания AMD не производит эту память самостоятельно, однако фирма-изготовитель модулей на сегодняшний день остаётся неизвестной.

Производители памяти снижают цены на 2 ГБ модули

Компания Kingston Technology распространила информацию о том, что модули памяти DDR3 объемом 2 ГБ теперь будут продаваться по 11 долларов США на среднеоптовом рынке.

Прочие фирмы-производители оперативной памяти также последовали примеру Kingston Technology, заявив цену на 2 ГБ модули на уровне 10 долларов, сообщают источники близкие к производству.

Ожидается, что поставки памяти вырастут благодаря более привлекательным квотам. Однако источники также отмечают, что ввиду довольно мягкого розничного рынка, планируемый конечный объём продаж всё ещё слишком оптимистичен.

По данным, собранным DRAMeXchange, контрактные цены на память упали более чем на 15% в июле этого года, и при этом маловероятно, что данное снижение цены прекратится в августе.

Согласно отчётам DRAMeXchange, средняя контрактная цена на модули DDR3 памяти объёмом 2 ГБ уменьшилась на 9,4% до US$14,50 во второй половине июля, в то же время 4 ГБ модули упали в цене еще сильнее ─ на 9,7% до US$28. Цены на 1 Гб и 2 Гб чипы составили соответственно 0,75 и 1,59 доллара США.