Новости про 7 нм, IBM и производство

IBM решила проблему производства микросхем менее 7 нм

Компания IBM опубликовала отчёт, в котором рассказала о решении проблемы производства микросхем с размером элементов менее 7 нм с помощью электризованного графена.

Данный метод позволяет размещать наноматериалы в предопределённой позиции без химического травления. В журнале Nature Communications исследователи IBM впервые описали применение электризованного графена для размещения элементов с точностью 97%. Данная публикация является результатом работы по программе под названием «7 нм и далее», которая началась четыре года назад.

Менеджер IBM Research-Brazil Матиас Штайнер заявил, что данный «метод пригоден для широкого спектра наноматериалов» и позволяет внедрять «интегрированные устройства с функционалом, который предоставляет уникальные физические свойства наноматериалов».

Микросхема IBM

К примеру, можно интегрировать оптический датчик и эмиттер с определёнными волновыми свойствами, а при необходимости изменения свойств достаточно лишь заменить этот материал. Таким образом, будут изменены спектральные свойства оптоэлектрического устройства без изменения техпроцесса.

Дальнейшее развитие метода позволит собирать различные наноматериалы в разных местах, проводить процессы в несколько проходов и создавать интегральные чипы со встроенными световыми детекторами в различных окнах детекции одновременно.

IBM представила первый 7 нм FinFET чип

Компания IBM объявила о создании первого полнофункционального полупроводника, основанного на транзисторе, который был изготовлен по 7 нм технологическому процессу, через год после начала совместных с Samsung и GlobalFoundries исследований.

В прошлом году IBM анонсировала запуск программы исследований стоимостью 3 миллиарда долларов США, которая должна была помочь разработать 7 нм и «более совершенный» процесс.

«Вопрос не в том, сможем ли мы представить 7 нм технологию производству, а скорее, как, где и сколько это будет стоить», пояснял в своё время Джон Келли, старший вице-президент IBM Research.

Сейчас в консорциум исследователей входят Государственный университет Нью-Йорка, Samsung и GlobalFoundries, которая недавно приобрела полупроводниковый бизнес IBM. Согласно отчёту, который опубликовала компания в New York Times, ей удалось успешно произвести прототипы чипов с 7 нм транзисторами FinFET, заменив кремний, который обычно используется при производстве полупроводников, на кремниево-германиевую смесь.

Данный анонс прошёл на фоне слухов, согласно которым Intel столкнулась с очередными проблемами и теперь вынуждена отложить выпуск 10 нм процессоров Cannonlake, заменив его модифицированными 14 нм микросхемами.