Новости про 7 нм и технологии

2 нм могут оказаться невыгодными

В ходе мероприятия группы Synopsys, прошедшего в Санта Кларе, Калифорния, прозвучали слова сомнения о возможности перехода полупроводниковой промышленности на 2 нм нормы производства в будущем, поскольку этот переход вряд ли будет экономически целесообразным.

Конечно, инженеры видят способы уменьшения транзисторов до 5 нм, 3 нм и даже 2 нм, но некоторые сомневаются в коммерческой эффективности этих переходов. Пока об этом говорить слишком рано, но повышение сложности и рост затрат на всё уменьшающиеся чипы может означать, что даже 5 нм процесс окажется экономически нецелесообразным.

Дорожная карта уменьшения размеров транзисторов в микросхемах

«Прирост производительности в 16%, полученный при переходе на 10 нм, теряется при переходе на 7 нм по причине сопротивления в металлических дорожках. Энергосбережение, возросшее на 30% при 10 нм, при переходе на 7 нм возрастёт на 10—20%, а площадь кристалла, уменьшившаяся на 37% при 10 нм сократится на 20—30% с переходом на 7 нм», — заявил Пол Пензес, старший директор технологической команды Qualcomm.

«Площадь по-прежнему уменьшается на хорошую двухзначную величину, но скрытые затраты возрастают, означая, что реальные преимущества в стоимости и прочие улучшения начинают снижаться… И не ясно, что останется на 5 нм», — добавил Пензес, допустив, что 5 нм процесс может стать единственным улучшением после 7 нм.

Samsung готовит 7 нм производство на следующий год

Несмотря на то, что исполнительный директор находится за решёткой, компания Samsung продолжает готовить новые технологии, среди которых и 7 нм техпроцесс, запланированный на 2018 год.

Компания Samsung Electronics продемонстрировала дорожную карту, касающуюся производства микросхем.

В ходе презентации вице-президент Samsung по технологии Хо-Кью Кан отметил, что многие производители столкнулись с проблемой при разработке технологий меньше 10 нм. Однако Samsung справилась с задачей, ключом к которой стало использование полевого транзистора с «кольцевым» затвором (GAA FET). Эти транзисторы позволят компании продолжить уменьшать элементы до размера 7 нм и 5 нм. Для изготовления пластин компания применит технологию экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV).

Вице-президент отметил, что 7 нм процесс Samsung разрабатывается для изготовления чипов хай-энд уровня, таких как GPU и процессоры искусственного интеллекта, серверных процессоров и систем помощи управления автомобилем.

Что касается 5 нм производства, то Кан отметил, что его планируют запустить в серию в 2020 году.

Кроме новых технологий с малым размером элементов Samsung также сообщила о запуске технологии FD-SOI, которая является недорогой альтернативой FinFET, а также представила 28 нм FD-SOI, которая создана специально для устройств интернета вещей.

Intel планирует 10 нм в 2015 году

Компания Intel провела для журналистов хорошую техническую пресс-конференцию, в ходе которой сотрудник компании Марк Бор (Mark Bohr) рассказал о 14 нм производственном процессе.

Он сообщил, что Intel надеется выпустить 14 нм производство уже к концу 2013 года. Этот процесс будет проходить по графику подготовки процессоров следующего поколения, известных под кодовым именем Broadwell, которые поступят в массовое производство в 2014 году.

Сам техпроцесс называется P1272 и предусматривает использование элементов схемы равных 16 нм, однако в Intel предприняли некоторые шаги, которые позволили уплотнить элементы кристалла. Разработчики сумели расположить элементы более плотно, чем ожидалось 6 лет назад, когда этот техпроцесс был только анонсирован. В результате Intel получила более энергоэффективную дорожную карту, в отличие от более ранней,  направленной на высокую производительность.

Говоря о будущем компании, были отмечены исследования в области 10 нм технологии, которая запланирована на 2015 год. В то же время Intel работает и над 7 нм, и даже над 5 нм техпроцессами, но Бор не уточнил ожидаемые сроки их поступления в производство.

Если Intel продолжит обновление техпроцесса теми же темпами, то при условии выхода 10 нм литографии в 2015 году, 7 нм появятся в 2017, а 5 нм технология — в 2019 году.

Intel начинает работу над 7 нм и 5 нм техпроцессами

Исполнительный директор Intel Corp. Пол Отеллини (Paul Otellini) недавно заявил, что компания начинает работу над технологическими процессами с размером элементной базы в 7 нм и 5 нм.

В то же время компания планирует оснастить свои заводы в Орегоне, штат Аризона, и в Ирландии оборудованием для производства микросхем по 14 нм техпроцессу.

Отеллини заявил: «Наши исследования и разработки достаточно глубоки, я говорю о десятке лет».

Исполнительный директор крупнейшего в мире производителя микропроцессоров уточнил, что продукты компании, изготовленные с использованием 7 нм и 5 нм техпроцессов, находятся «в работе и на правильном пути».

Во время встречи с инвесторами Отеллини отметил: «Изобретения продолжаются… Мы продолжим предоставлять все возможности [нашим инвесторам] и партнёрам посредством нашей кремниевой технологии».