Новости про 3D Xpoint и flash-память

Micron выкупит долю Intel в IM Flash Technologies

Компания IM Flash Technologies является совместным предприятием, которое организовали Intel и Micron для работы над созданием и продвижением твердотельной памяти. И теперь Micron намерена перевести его в свою собственность.

Сообщается, что сумма сделки составит 1,5 миллиарда долларов. При этом на конец августа стоимость части Intel оценивалась в 1 миллиард.

Изначально обе компании вложили в IM Flash Technologies по 1,2 миллиарда долларов. Было это в далёком 2006 году. Главным достижением совместного предприятия можно считать разработку и внедрение памяти 3D XPoint, которая нашла себе применение в ЦОД и высокопроизводительных компьютерах энтузиастов.

Логотип IM Flash Technologies
Логотип IM Flash Technologies

Что касается сделки, то в своих финансовых отчётах Micron уже считает данное СП консолидированным. Компания не считает, что проводимая сделка повлияет на финансовые результаты компании и снизит прибыль за 2019 фискальный год.

В июле оба производителя чипов договорилась о завершении совместной разработки технологии 3D XPoint и раздельном ведении операций. На основании прошлых соглашений, Micron продолжит продавать пластины с памятью 3D XPoint компании Intel в течение года после закрытия. Сама же IM Flash после закрытия сделки будет полностью принадлежать Micron.

Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Samsung Z-SSD

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

Спецификации SSD Samsung SZ985

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

Intel готовит DIMM модули Optane на 2018 год

Компания Intel перенесёт выпуск DIMM модулей Optane на вторую половину 2018 года.

Эти модули должны стать важнейшим изменением в способе хранения информации компьютером, за более чем два десятка лет. Они открывают эпоху энергонезависимой памяти, объединяя в себе лучшие свойства DRAM и NAND памяти. В первом случае, это скорость и низкие задержки, а во втором — способность хранить информацию после отключения питания. В этом году Intel уже приступила к поставкам потребительских твердотельных накопителей на базе памяти того же типа — 3D XPoint.

DIMM модуль Optane

В ходе мероприятия USB Global Technology Conference, компания Intel описала Optane DIMM как основной накопитель, который работает в виде картированной памяти, но со значительно большими плотностями, чем это возможно с нынешней DRAM DDR4.

Как обычно, первыми доступ к технологии получат промышленные потребители, в первую очередь — экзаскалярные системы, суперкомпьютеры, с производительностью порядка экзафлопса. Затем память будет доступна для более простых промышленных систем, и, наконец, для бытовых потребителей.

Планы на Optane DIMM

Кроме энергонезависимости, применение памяти нового типа должно снизить цены на память, увеличить плотность накопителей и решить проблему нехватки пропускной способности шин.

Intel демонстрирует Optane 3D XPoint SSD

В ходе конференции Oracle OpenWorld компания Intel воспользовалась возможностью представить свою свежую реализацию революционной памяти 3D XPoint, которая должна заменить NAND флеш в качестве следующего шага развития твердотельных технологий. Новый тип памяти предлагает экспоненциальный рост скорости и плотности.

Optane — это кодовое имя для будущих SSD Intel на базе памяти 3D XPoint, с быстрыми интерфейсами (PCIe M.2, U.2, карта расширения PCIe) и протоколом NVMe. В работе сервера Oracle серии X5-2 модели 1U, он показал в 4,42 раза большую скорость случайного доступа, 6,44 раза меньшие задержки, по сравнению с лучшими NANDSSD образцами. Также, при работе с ПО от Oracle, накопитель Optane обещает в 7,13 раза большую пропускную способность.

Optane DIMM SSD

Кроме Optane компания также представила прототип 3D XPoint SSD в форм-факторе памяти DDR4 DIMM. Таким образом, компания надеется обойти все узкие места в транспортных шинах и обращаться непосредственно к контроллеру памяти процессора.

Преимущества 3D Xpoint SSD

Преимущества 3D Xpoint SSD

Системные интеграторы смогут объединять оперативную память DDR4 и SSD модули, обеспечив наименьшие, из возможных, задержки передачи данных в системе. По словам исполнительного директора Intel Брайана Крзанича, модули Optane DIMM будут иметь производительность близкую к оперативной памяти, а потому могут ускорить реализацию идеи хранения базы данных в памяти.

Intel продемонстрировала новую память 3D Xpoint

На прошлой неделе мы писали о том, что компания Intel готовится к презентации твердотельного накопителя, основанного на памяти нового типа под названием 3D Xpoint, которая может заменить память NAND уже в следующем году.

В Intel назвали новый накопитель Optane SSD. Сообщается, что он будет доступен в форм факторах M.2/NGFF, SATA-Express, либо в виде платы PCI-Express.

На конференции IDF фирма представила первый инженерный образец накопителя, и выяснилось, что он в 5,5 раз быстрее, чем основанный на NANDSSD серии P3700, и это ещё сырая разработка!

Сравнение производительности NAND и 3D Xpoint

Новый накопитель также поддерживает и протокол связи NVMe. По сравнению с AHCI, у которого глубина очереди команд составляет 32, в протоколе NVMe очередь может достигать 65 536 команд.

Как известно, 3D Xpoint разработана совместно с Micron, таким образом, в будущем году нам стоит ожидать новую технологию не только в SSD под брендом Intel, но и под брендом Crucial.