7994420702;horizontal

Новости про 30-нм

Micron представили первый модуль памяти DDR4 #

11 мая 2012

В настоящее время члены JEDEC приводят множество аргументов при обсуждении времени выпуска памяти стандарта DDR4. Одни считают, что это должно произойти уже в следующем году, другие предлагают повременить ещё два года, а между тем, Micron начали выпуск первых опытных модулей памяти DDR4, работающих на частоте 2400 МГц.

Сообщается, что компания уже начала поставки первых инженерных образцов «полнофункциональных модулей DDR4 DRAM» в форм-факторе DIMM своим основным клиентам. Это означает, что Micron будет готов к массовому производству нового типа памяти уже в 2013 году.

Основным преимуществом DDR4 является снижение энергопотребления при повышении производительности, по сравнению с памятью современного стандарта. Представленный образец был разработан в сотрудничестве с тайваньской компанией Nanya (входящей в конгломерат Formosa Plastics) с использованием 30 нм технологического процесса Micron.

Память Micron DDR4

Восемь четырёхгигабитных (512 МБ) чипов DDR4 в одном модуле обещают увеличить плотность памяти до 8 ГБ на один DIMM модуль, таким образом, мейнстрим системы смогут иметь объём ОЗУ равный 32 ГБ, а топовые, в будущем — до 128 ГБ. Micron использует чипы с 8-ю, 16-ю и 32-я ножками, сами же чипы способны производить от 2,4 до 3,2 млрд. переключений в секунду. Это значит, что в ближайшее время компания представит модули с эффективной частотой 3,2 ГГц.

Главный игрок рынка вычислений, компания Intel, не планирует переход на память DDR4 ранее 2014 года. Первым чипом, который будет поддерживать память этого типа, будет серверный Haswell-EX. Настольные же ПК должны получить поддержку DDR4 только в 2015 году вместе с Broadwell, 14 нм версией Haswell.

Казалось бы, что если такая компания как Intel не заинтересована в продвижении стандарта, то Micron зря так рано начали работу над этим проектом. Но к счастью для производителей памяти, такие компании как AMD, NVIDIA, Qualcomm и TI не разделяют мнение гиганта и могут начать поддержку DDR4 уже в 2013 году.

30-нм, DDR4, Micron, аналитика, оперативная память, производство

«VR-Zone»

Компания Samsung представила 30 нм модули памяти DDR3 #

11 июня 2011

Новое поколение более быстрых и энергоэффективных DRAM модулей будет доступно в розничной продаже уже этим летом.

Рид Салливан (Reid Sullivan), старший вице-президент по маркетингу мобильных развлечений компании Samsung, сообщил, что их техпроцесс 30 нм класса позволил создать невероятно сложную комбинацию низкого энергопотребления DDR3 с повышенной пропускной способностью памяти в 1,6 Гб/с.

Новые модули памяти Samsung появятся в продаже в двух вариантах: с объемом в 2 ГБ и в 4 ГБ, в конфигурациях UDIMM для домашних ПК и SODIMM, для ноутбуков. Эти модули обратно совместимы с более старыми системами и могут поставляться в упаковках по две штуки.

память Samsung DDR3

Салливан также заявил, что их память имеет энергопотребление на 2/3 ниже, чем память, произведенная по технологическому стандарту 60 нм. При этом новые модули имеют на 20% большую пропускную способность, чем старые, 40 нм DDR3 чипы Samsung.

Цена на новые модули памяти, с микросхемами 30 нм класса, составит от 30 до 55 долларов за один модуль, и от 55 до 110 долларов при покупке упаковки с двумя планками памяти.

30-нм, DDR3, Samsung, оперативная память

«Fudzilla»

Samsung разработала первые чипы памяти DDR3 класса 30 нм #

5 февраля 2010

Компания Samsung представила первые в мире 30-нм чипы оперативной памяти DDR3 DRAM, которые значительно увеличивают энергоэффективность и уменьшают стоимость.

30-нм чипы памяти DDR3 от Samsung

30-нм чипы DDR3 объёмом 2 Гбит уменьшают энергопотребление на 30 % по сравнению с 50-нм решениями. 4-Гб модуль памяти для ноутбуков, созданный из таких чипов будет потреблять лишь 3 Вт, что составляет примерно 3 % от всей используемой в среднем ноутбуке энергии.

Благодаря уменьшению площади, 30-нм чипы также позволяют увеличить продуктивность на 60 % по сравнению с 40-нм чипами того же объёма, поэтому их выпуск гораздо более выгоден, чем производство по 50-нм или 60-нм технологиям.

30-нм, Samsung, оперативная память, технологии

«ExpReview»